Механика жидкости и газа СПбГАСУ 2014 Задача 4 Вариант 31
Состав работы
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Круглое отверстие в вертикальной стенке закрытого резервуара с водой перекрыто сферической крышкой. Радиус сферы R = (0,5 + 0,02·y) м. угол α = (120 + 0,1·z)º, глубина погружения центра тяжести отверстия H = (1,0 + 0,1·y) м.
Определить давление воды на крышку, если на свободной поверхности рм = (147 + 0,2·z) = 148,8 кПа (рис. 4).
Определить давление воды на крышку, если на свободной поверхности рм = (147 + 0,2·z) = 148,8 кПа (рис. 4).
Другие работы
Насос шестеренчатый - ПМИГ.ХХХХХХ.044 СБ
.Инженер.
: 7 июня 2026
В.П. Большаков. Создание трехмерных моделей и конструкторской документации в системе КОМПАС-3D. Практикум. Задание варианта 44 - Насос шестеренчатый. Сборочный чертеж. Деталирование. Модели.
Насос состоит из корпуса 1, к которому с одной стороны крепится крышка 2 при помощи винтов 10. С другой стороны на штифты 15 центрируется фланец 3 и закрепляется шпильками 13, шайбами и гайками. В корпусе устанавливаются шестерня 4 и вал 7, на конце которого выполнены зубья. Цилиндрический конец вала поса
600 руб.
Серьга ЧМ.06.40.01.00 Сварные соединения
coolns
: 12 декабря 2022
Серьга ЧМ.06.40.01.00 Сварные соединения
Из литой детали серьги выполнить вариант сварного соединения деталей по ГОСТ 5264-80 в масштабе 1:1.
Все чертежи и 3d модели (все на скриншотах показано и присутствует в архиве) выполнены в компасе 3D v13, возможно открыть в 14,15,16,17,18,19,20,21,22 и выше версиях компаса.
Также открывать и просматривать, печатать чертежи и 3D-модели, выполненные в КОМПАСЕ можно просмоторщиком КОМПАС-3D Viewer.
По другим вариантам и всем вопросам пишите в Л/С. Отвеч
250 руб.
Зачет по дисциплине: Устройства оптоэлектроники 5-й семестр
agentorange
: 9 апреля 2017
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Энергетические параметры.
Раздел Излучатели.
2.Структурная схема лазера.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фототранзистора.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия жидкокристаллического индикатора на основе «Твист эффекта».
120 руб.
Исследование взаимосвязи электрофизических параметров кремния полученного методом карботермического восстановления от технологии его получения
Slolka
: 27 сентября 2013
Технология получения чистого полупроводникого кремния на данный момент отработана достаточно хорошо. Наиболее чистые материалы получают путем синтеза кремния в газовую фазу (SiCl3), последующую очистку и восстановления чистого кремния.
Данный метод достаточно дорог для солнечной энергетики, так как в солнечных элементах, где основную стоимость составляет именно используемый кремний и применение кремния восстановленного из газовой фазы приведет к такой цене, что преимущество солнечной (альтернат
5 руб.