Москва Ивана Грозного

Цена:
5 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon bestref-4393.doc
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Династическая ситуация, сложившаяся после смерти в 1533 году великого князя Василия III Ивановича была сложной. Наследником был официально объявлен трехлетний сын великого князя – Иван IV Васильевич. Василий III рассчитывал, что бремя правления государством падет на бояр, которых на смертном одре увещевал верно служить его сыну. Однако, ситуация сложилась по-иному. Неожиданную твердость и стремление к власти проявила вдова великого князя – Елена Васильевна Глинская. Она приняла правление в свои руки и начала с того, что отправила в заточение младшего брата Василия III дмитровского князя Юрия Ивановича. Несомненно, память о Феодальной войне была еще жива в умах московских государственных людей. При Елене Глинской пытался выдвинуться на первое место ее дядя князь Михаил Львович Глинский, но племянница не нуждалась в его советах. Возник конфликт, и Глинский также отправился в тюрьму, где вскоре умер. Ближайшим советником молодой великой княгини стал другой боярин – князь Иван Федорович Телепнев-Овчина-Оболенский, которого, как говорили, связывали с Еленой Глинской романтические отношения.
В 1537 г. другой брат Василия III Андрей Старицкий, опасаясь участи Юрия Дмитровского, попытался поднять мятеж против Елены Глинской. Мятеж был быстро ликвидирован и старицкий князь, также как и Юрий Дмитровский окончил свои дни в тюрьме. А вскоре, 3 апреля 1538 г. неожиданно скончалась великая княгиня Елена Глинская. Скоропостижная смерть молодой женщины вызвала слухи об ее отравлении. До недавнего времени, историки не придавали значения этой версии, однако, результаты исследования останков Елены Глинской, выполненного по научно-исследовательской программе музеев Московского Кремля, дают основания утверждать, что эти предположения не так уж беспочвенны. Впрочем, до окончательных результатов исследования, ничего нельзя утверждать.
Вычислительная техника и информационные технологии
Экзамен По дисциплине: Вычислительная техника и информационные технологии 1. Влияние параметров схемы на работу транзисторного ключа. Значения элементов и напряжений в схеме транзисторного ключа влияют на длительности соответствующих процессов. Изменение параметров коллекторной цепи Rк и Ек приводит к изменению тока /к нас и влияет на длительности всех трех процессов. Например, уменьшение Ек до Е'к ведет к уменьшению /К нас до /'К нас. При включении ключа амплитуда коллекторного тока будет на
User BOND : 23 декабря 2009
75 руб.
Гидравлика и гидропривод ПГУПС 2016 Задача 2 Вариант 0
В вертикальном цилиндрическом резервуаре, имеющем диаметр D, хранится нефть, вес ее G, плотность ρ=850 кг/м³, коэффициент температурного расширения βt=0,00072 1/ºC. Расширение стенок резервуара не учитывается. Требуется определить: 1. Объем нефти в резервуаре при температуре 0 ºC. 2. Изменение уровня нефти в резервуаре, если температура повысится на Т, ºC.
User Z24 : 5 января 2026
120 руб.
Гидравлика и гидропривод ПГУПС 2016 Задача 2 Вариант 0
Разработка вакуум-фильтра дискового
Данный курсовой проект состоит из страниц, рисунка, литературных источников. Графический материал включает 1 листа формата А1, 1 листа формата А2, 2 листа формата А3 , 2 листа формата А4. САПР, ВАКУУМ ФИЛЬТР, ВИД, СЛОЙ, ПРИВЯЗКА, МАСШТАБ, ФАСКА, ПАРАМЕТРИЗАЦИЯ, СКРУГЛЕНИЕ, ОПЕРАЦИЯ. Целью курсового проекта является разработать проектно-конструкторскую документацию на дисковый вакуум фильтр. В курсовой работе описана конструкция и принцип действия дискового вакуум фильтра, проведены рас
User ostah : 6 сентября 2011
45 руб.
Разработка вакуум-фильтра дискового
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1.
Отчет по работе №1. «Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов» 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Результаты исследования 1. Снятие вольтамперных характеристик диодов при прямом включении. Вольтамперные характеристики германиевого и кремниевого диодов IПР=f(UПР) ...
User kisa7 : 20 июля 2012
50 руб.
up Наверх