Лабораторная работа №6.8. "Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников". Вариант №10

Цена:
180 руб.

Состав работы

material.view.file_icon E6B461D3-26AD-4BA3-A8FE-26825A6F64D2.doc [ 270 KB ]
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
4. Задание
1.Установить силу тока через образец в пределах от 3 до 10 мА. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
2.Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
3.Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности.
4.Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все данные занесите в таблицу измерений.
5.Построить график зависимости ln от .
6.На графике выбрать две точки в диапазоне температур от 400С до 800С. Определить для этих точек по графику величины ln от и вычислить по формуле (8) ширину запрещенной зоны полупроводника.
Вывод.
5. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln от .?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Литература

Дополнительная информация

Оценка - отлично!
Преподаватель: Грищенко Ирина Валентиновна
Специальность: ССиСК

Похожие материалы

«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
******* Не известно Физика Работа Лабораторная
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников» 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
СибГУТИ Физика Работа Лабораторная
User chita261 : 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Теоретические сведения и ход работы: В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно, |q+| = |q-| = e и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n Тогда (2)
СибГУТИ Работа Лабораторная Физика. Физика математическая
User Murlishka : 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
СибГУТИ Физика и энергетика Работа Лабораторная
User AndrewZ54 : 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны 2. Теоретическое введение Электропроводность материалов определяется выражением: где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
СибГУТИ Работа Лабораторная Физика. Физика математическая
User qawsedrftgyhujik : 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны ВЫВОД В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( ) Контрольные вопросы 1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
СибГУТИ Физика. Физика математическая Работа Контрольная
User DenKnyaz : 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
СибГУТИ Работа Лабораторная Физика. Физика математическая
User vereney : 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7. 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны. Контрольные вопросы 1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .? 3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
СибГУТИ Работа Лабораторная Физика. Физика математическая
User gerold66 : 22 октября 2009
49 руб.

Другие работы

Технико-экономический проект развития передающего радиоцентра
Наименование передатчиков, приведенных в таблице 1, графа 2 означает: -ПДСВ-150 – передатчик длинных и средних волн вещательный мощностью 150 кВт; -ПКВ-100 – передатчик коротковолновый вещательный мощностью 100 кВт; -ПКМ-100 – передатчик коротковолновый магистральный (для магистральной радиосвязи) мощностью 100 кВт и т.д. Наименования заказчиков: ТРК – телевизионные и радиовещательные компании; ИТАРТАСС – Телеграфное агентство; ПС–предприятия связи; ГУГМС - Главное управление гидрометеорологиче
Радиопередающие устройств Работа Курсовая
User Slolka : 14 сентября 2013
5 руб.
Технико-экономический проект развития передающего радиоцентра
Учебное пособие: Выполнение курсовой работы по дисциплине "Деньги, кредит, банки"
1. ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА В стране происходят радикальные перемены, связанные с ломкой прежнего механизма управления экономикой и заменой его рыночными методами хозяйствования. Первостепенное значение в этих условиях приобретает хорошее знание финансовой деятельности предприятий, учреждений и организаций в различных сферах деятельности. Учебный курс «Деньги, кредит, банки» позволяет студентам получить необходимые знания в области банковского дела: кредитования и расчетов, налично-денежного обращ
Банковское дело и кредитование Работа
User ostah : 6 ноября 2012
30 руб.
Гидравлика Задача 1.224
При гидравлическом испытании трубопровода диаметром d = 200 мм и длиной 250 м давление в трубе было повышено до 3 МПа. Через час давление снизилось до 2 МПа. Сколько воды вытекло через неплотности?
Задачи Гидравлика
User Z24 : 2 декабря 2025
130 руб.
Гидравлика Задача 1.224
Автоматизирование расчета по определению потребности и обеспеченности сельскохозяйственного предприятия в удобрениях
Введение 1. Экономическая сущность задачи 1.1 Постановка задачи 1.2 Система показателей и методов их расчета 2. Информационное обеспечение 2.1 Проектирование классификаторов 2.2 Проектирование форм входных документов 2.3 Проектирование форм выходных документов 3. Алгоритм и программное обеспечение. Контрольный пример 3.1 Алгоритм решения задачи 3.2 Контрольный пример 3.3 Макросы (модули) 4. Инструкции по использованию программного обеспечения 5. Экономическая эффективность автоматиз
Автоматизированные информационные системы Работа
User Elfa254 : 3 октября 2013
10 руб.
up Наверх