Лабораторная работа №6.8. "Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников". Вариант №10

Состав работы

material.view.file_icon E6B461D3-26AD-4BA3-A8FE-26825A6F64D2.doc
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
4. Задание
1.Установить силу тока через образец в пределах от 3 до 10 мА. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
2.Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
3.Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности.
4.Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все данные занесите в таблицу измерений.
5.Построить график зависимости ln от .
6.На графике выбрать две точки в диапазоне температур от 400С до 800С. Определить для этих точек по графику величины ln от и вычислить по формуле (8) ширину запрещенной зоны полупроводника.
Вывод.
5. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln от .?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Литература

Дополнительная информация

Оценка - отлично!
Преподаватель: Грищенко Ирина Валентиновна
Специальность: ССиСК
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников» 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
User chita261 : 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Теоретические сведения и ход работы: В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно, |q+| = |q-| = e и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n Тогда (2)
User Murlishka : 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
User AndrewZ54 : 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны 2. Теоретическое введение Электропроводность материалов определяется выражением: где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
User qawsedrftgyhujik : 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны ВЫВОД В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( ) Контрольные вопросы 1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
User DenKnyaz : 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
User vereney : 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7. 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны. Контрольные вопросы 1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .? 3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
User gerold66 : 22 октября 2009
49 руб.
Задание №2. вариант №1. Кривошип
Задание 2 вариант 1 Кривошип Кривошип (рис. 25 и 26) — вращающееся звено кривошипного механизма, служащего для передачи движения от шатуна к валу. При этом поступательное движение поршня паровой машины преобразуется во вращательное движение вала (см. схему на рис. 26). Кривошип состоит из эксцентрично расположенных пальца (2) и вала (3), соединенных посредством плеча (I). Способы соединения вала и пальца с плечом могут быть различными. Их выбирают в зависимости от условий, в которых будет работ
User coolns : 28 мая 2019
150 руб.
Задание №2. вариант №1. Кривошип
Техническая термодинамика и теплотехника УГНТУ Задача 5 Вариант 93
Водяной пар, имея начальные параметры р1=2 МПа и степень сухости х1=0,9, нагревается при постоянном давлении до температуры t2 (процесс 1-2), затем дросселируется до давления p2 (процесс 2-3). При давлении p2 пар попадает в сопло Лаваля, где расширяется до давления р3=0,05 МПа (процесс 3-4). Определить, используя h-s — диаграмму водяного пара (приложение Д, рисунок Д1): — количество теплоты, подведенной к пару в процессе 1-2; — изменение внутренней энергии и конечную температуру дроссел
User Z24 : 16 декабря 2025
200 руб.
Техническая термодинамика и теплотехника УГНТУ Задача 5 Вариант 93
Гидравлика Москва 1990 Задача 26 Вариант 4
Два одинаковых насоса работают параллельно и подают воду в открытый резервуар из колодца на геодезическую высоту Н по трубопроводу диаметром d, длиной l, с коэффициентом гидравлического трения λ=0,03 и суммарным коэффициентом местных сопротивлений ξ=30. Определить рабочую точку (подачу и напор) при совместной работе насосов на сеть. Как изменятся суммарная подача и напор, если частота вращения рабочего колеса одного из насосов увеличится на 10%? (Данные, необходимые для построения характеристик
User Z24 : 27 декабря 2025
220 руб.
Гидравлика Москва 1990 Задача 26 Вариант 4
Зачет по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. 3-й семестр.
Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Закон Снеллиуса. Раздел Излучатели. 2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа.
User vindemia : 3 июня 2015
75 руб.
up Наверх