Лабораторная работа №6.8. "Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников". Вариант №10
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Физика. Физика математическая
-
Добавлен:
17.09.2013
-
Размер:
270 KB
-
Покупок:
4
-
Добавил:
Jack
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
E6B461D3-26AD-4BA3-A8FE-26825A6F64D2.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
4. Задание
1.Установить силу тока через образец в пределах от 3 до 10 мА. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
2.Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
3.Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности.
4.Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все данные занесите в таблицу измерений.
5.Построить график зависимости ln от .
6.На графике выбрать две точки в диапазоне температур от 400С до 800С. Определить для этих точек по графику величины ln от и вычислить по формуле (8) ширину запрещенной зоны полупроводника.
Вывод.
5. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln от .?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Литература
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
4. Задание
1.Установить силу тока через образец в пределах от 3 до 10 мА. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
2.Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
3.Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности.
4.Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все данные занесите в таблицу измерений.
5.Построить график зависимости ln от .
6.На графике выбрать две точки в диапазоне температур от 400С до 800С. Определить для этих точек по графику величины ln от и вычислить по формуле (8) ширину запрещенной зоны полупроводника.
Вывод.
5. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln от .?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Литература
Дополнительная информация
Оценка - отлично!
Преподаватель: Грищенко Ирина Валентиновна
Специальность: ССиСК
Преподаватель: Грищенко Ирина Валентиновна
Специальность: ССиСК
Похожие материалы
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
gerold66
: 22 октября 2009
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
gerold66
: 22 октября 2009
49 руб.
Другие работы
Конспект лекций по электронике. Часть 1
Администратор
: 19 января 2008
Рассмотрены вопросы:
1 .Проводники, изоляторы, полупроводники. Их зонные энергетические диаграммы.
2. Собственная электропроводность полупроводников.
3. Электронная электропроводность полупроводников.
4. Дырочная электропроводность полупроводников.
5. Электронно-дырочный переход. Виды пробоя электронно-дырочного перехода.
6. Механизм туннельного пробоя электронно-дырочного перехода.
7. Прямое и обратное включение р-п-перехода.
8. Переход металл-полупроводник.
9. ВАХ р-n-перехода и перех
Администратор
: 19 января 2008
Организационно-правовое обеспечение информационной безопасности. Билет № 7
dralex
: 24 декабря 2021
Экзамен По дисциплине: Организационно-правовое обеспечение информационной безопасности билет № 7
1. Расскажите о публичном и частном праве. Как взаимосвязаны эти виды права? Что понимается под термином «Позитивное право»?
2. Какие методы и способы обеспечения физической защиты вы знаете? Приведите примеры.
3. Расскажите о полномасшабном комплексе обеспечения безопасности предприятия.
dralex
: 24 декабря 2021
250 руб.
Вариант 12. Сальник
Чертежи сборочные и деталировки 2D/3D
: 14 октября 2024
Возможные программы для открытия данных файлов:
WinRAR (для распаковки архива *.zip или *.rar)
КОМПАС 3D не ниже 16 версии для открытия файлов *.cdw, *.m3d, *.a3d, *.spw
Любая программа для просмотра ПДФ для открытия ПДФ файлов.
Пьянкова Ж.А. Компьютерная графика. Построение трехмерных сборочных единиц в системе КОМПАС 3D.
Вариант 12. Сальник
Сальник – уплотнение, герметизирующее зазор между подвижными деталями в устройстве. Данный сальник, или проходник, предназначен для ввода кабеля питани
Чертежи сборочные и деталировки 2D/3D
: 14 октября 2024
150 руб.
Сухов А.В. Гидропривод 551800 Задача 7.1.1 Вариант в
Z24
: 10 января 2026
Определить избыточное давление на входе в шестеренный насос системы смазки, имеющий частоту вращения вала n, число зубьев z, модуль m, ширину колёса b.
Длина стального всасывающего трубопровода L, диаметр d, шероховатость трубы Δ. Входное сечение насоса расположено ниже свободной поверхности в масляном баке на h. Местные потери в трубопроводе принять равными 10% потерь на трение по длине.
Z24
: 10 января 2026
180 руб.
