Лабораторная работа №6.8. "Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников". Вариант №10
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Физика. Физика математическая
-
Добавлен:
17.09.2013
-
Размер:
270 KB
-
Покупок:
4
-
Добавил:
Jack
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
E6B461D3-26AD-4BA3-A8FE-26825A6F64D2.doc
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
4. Задание
1.Установить силу тока через образец в пределах от 3 до 10 мА. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
2.Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
3.Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности.
4.Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все данные занесите в таблицу измерений.
5.Построить график зависимости ln от .
6.На графике выбрать две точки в диапазоне температур от 400С до 800С. Определить для этих точек по графику величины ln от и вычислить по формуле (8) ширину запрещенной зоны полупроводника.
Вывод.
5. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln от .?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Литература
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
4. Задание
1.Установить силу тока через образец в пределах от 3 до 10 мА. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
2.Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
3.Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности.
4.Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все данные занесите в таблицу измерений.
5.Построить график зависимости ln от .
6.На графике выбрать две точки в диапазоне температур от 400С до 800С. Определить для этих точек по графику величины ln от и вычислить по формуле (8) ширину запрещенной зоны полупроводника.
Вывод.
5. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln от .?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Литература
Дополнительная информация
Оценка - отлично!
Преподаватель: Грищенко Ирина Валентиновна
Специальность: ССиСК
Преподаватель: Грищенко Ирина Валентиновна
Специальность: ССиСК
Похожие материалы
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
gerold66
: 22 октября 2009
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
gerold66
: 22 октября 2009
49 руб.
Другие работы
Особенности управления разными видами природных ресурсов
evelin
: 17 ноября 2013
1
Содержание: 1
Введение. 2
Природные ресурсы играют значительную роль в экономике любого государства. Обеспеченность природными ресурсами – один из важнейших экономических показателей, характеризующих экономическое положение страны. Наряду с трудом и капиталом природные ресурсы являются также фактором производства. Отсутствие природных ресурсов или плохое качество их приводят к увеличению затрат других ресурсов. Безусловно, природные ресурсы имеют ценность. Все это приводит к необходимости р
evelin
: 17 ноября 2013
5 руб.
Цифровые системы передачи. (Контрольная работа). Вариант №14
StudMaster
: 5 января 2015
Задача 1.
Разработайте структурную схему и нарисуйте цикл передачи N канальной системы передачи с ИКМ, разрядность кода равна m. Определите скорость группового сигнала. Разработайте генераторное оборудование этой системы и нарисуйте диаграммы его работы.
Последняя цифра номера студенческого №4
N=26
Предпоследняя цифра номера студенческого №1
m=6
Задача 2.
Рассчитать для заданных отсчетов группового АИМ сигнала:
1. Число уровней квантования Мрасч для двух заданных значений шага квантов
StudMaster
: 5 января 2015
200 руб.
Информатика. Семестр 1. Контрольная работа. Сибгути ДО. Вариант 8.
Hazardous
: 19 декабря 2019
Задание на контрольную работу.
Системы счисления
Умножить в двоичной арифметике числа a и b.
Перевести число a из десятичной в систему счисления по основанию 4.
Перевести число a из двоичной в десятичную систему счисления.
Перевести число а из восьмеричной в шестнадцатиричную систему счисления.
Представление информации в компьютере
Даны десятичные коды символов из таблицы ASCII (для удобочитаемости коды символов разделены дефисом). Определить закодированный текст.
Зап
Hazardous
: 19 декабря 2019
250 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Теория телетрафика. Задача №1
Елена22
: 13 апреля 2022
Задача №1.
На однолинейную СМО поступает простейший поток вызовов с параметром 34 выз/час. Вызовы обслуживаются с ожиданием. Время обслуживания вызовов распределено:
а) показательно со средним значением 60 c; модель обслуживания М/М/1;
б) постоянно с h=t; модель обслуживания М/Д/1.
Допустимое время ожидания начала обслуживания - 120 с.
Определить:
- для модели М/М/1 и М/Д/1 - функцию распределения времени ожидания начала обслуживания;
- среднее время начала обслуживания для любого поступив
Елена22
: 13 апреля 2022
100 руб.
