Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники.3-й семестр. Вариант №19
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника физическая, Работа Контрольная
-
Добавлен:
22.09.2013
-
Размер:
505 KB
-
Покупок:
13
-
Добавил:
58197
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Кр.раб.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность , рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия h .
Дано:
транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 75В, сопротивление нагрузки RН=1500 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 250 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150 мкА.
Задача 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты1⁄2 Н211⁄2 / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Задача 4
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Дано:
Полевой транзистор КП103K, UСИ0=7 В , UЗИ0=4 В . Выходные характеристики по приложению Б.
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность , рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия h .
Дано:
транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 75В, сопротивление нагрузки RН=1500 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 250 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150 мкА.
Задача 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты1⁄2 Н211⁄2 / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Задача 4
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Дано:
Полевой транзистор КП103K, UСИ0=7 В , UЗИ0=4 В . Выходные характеристики по приложению Б.
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 10.05.2013
Савиных Валерий Леонидович
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 10.05.2013
Савиных Валерий Леонидович
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники". 3-й семестр. вариант №21
Serebro09
: 16 марта 2015
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 4
Исходные данные для задачи берем
Serebro09
: 16 марта 2015
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторные работы №№1-3 . 3-й семестр. Вариант №19
58197
: 22 сентября 2013
ОТЧЕТ ПО ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
ОТЧЕТ ПО ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ №2
"ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА"
Цель работы:
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучить его вольтамперные характеристики
58197
: 22 сентября 2013
65 руб.
Контрольная работа по дисциплине физические основы электроники
Иннокентий
: 30 сентября 2019
Описание:
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
№ вар. Тип БТ ЕК, В
RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t пc К,
6 КТ605А 15 300 625 375 20 2,5 230
Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или
Иннокентий
: 30 сентября 2019
100 руб.
Контрольная работа По дисциплине: «Физические основы электроники»
andreyan
: 13 декабря 2017
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
andreyan
: 13 декабря 2017
60 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники
sergeyw78
: 23 мая 2013
ЗАДАЧА №1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2),
включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
ЗАДАЧА №2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
sergeyw78
: 23 мая 2013
75 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники"
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 23 февраля 2013
Задача 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на частот
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 23 февраля 2013
300 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники"
RomIN
: 1 июля 2010
СибГути 04 вариант
Задача 1:
Дан биполярный транзистор КТ605А
По статическим характеристикам (рис.1.1 и рис.1.2) заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) ра
RomIN
: 1 июля 2010
100 руб.
Контрольная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант 7. (3-й семестр)
Jack
: 30 марта 2013
Задача No1: Исходные данные для задачи
No Вар. Тип БТ , В
, Ом
, мкА , мкА , МГц
, пс
7 КТ603А 60 800 300 200 100 2,75 70
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины
Jack
: 30 марта 2013
245 руб.
Другие работы
Сетевые базы данных (ДВ 7.1). Билет №21
IT-STUDHELP
: 24 ноября 2021
Вопрос 21
Защита данных. Объектные привилегии, их виды, назначение и удаление. Отличие объектных привилегий от системных. Как, используя словарь данных, определить свои объектные привилегии.
IT-STUDHELP
: 24 ноября 2021
280 руб.
Становление новой государственности в России
xtrail
: 18 февраля 2013
Реферат по истории, 2 курс
Оглавление
Введение 3
Либеральные реформы в экономике 1992-1994 годов 4
Кризис государственной власти в 1993 году, его причины 11
Парламентские и президентские выборы в России в 1990-е годы 14
Кризис 17 августа 1998 года и его влияние на Россию 18
Современное состояние России 21
Заключение 23
Список литературы 24
Становление российской государственности - крайне сложная и противоречивая сфера, где происходят глубокие и быстрые перемены: отказ от старых стереотип
xtrail
: 18 февраля 2013
59 руб.
Задача по мировой экономике
studypro2
: 19 ноября 2016
Задание.
Для увеличения производства импортозамещающей отрасли на заданную величину (достижения одинакового протекционистского эффекта) правительство может использовать два подхода:
(А) тариф;
(Б) субсидии отечественным производителям импортабельного товара.
1. Покажите с помощью графической модели, что точка потребления в варианте (Б) будет лежать на общественной кривой безразличия более высокого ранга, чем в варианте (А).
2. Сравните долгосрочные и краткосрочные эффекты.
studypro2
: 19 ноября 2016
200 руб.
Лабораторная работа № 4 дисциплина: «Введение в интернет» Графика и картинки
xtrail
: 31 марта 2013
Лабораторная работа N 4
Графика и картинки
Первая часть задания. Графика
Создать документ, в котором в заголовке окна браузера должна быть надпись "Лабораторная 4-1", а на экране используя таблицу собрать мозаику из приведенных ниже элементов (они расположены в директории RIS/LAB04):
Обязательно сделать так, чтобы при наведении мышки на картинку, рядом с указателем мышки появлялось название файла.
Рамку вокруг таблицы не отрисовывать. Название таблицы: "МОЗАИКА" - расположить сверху по центру
xtrail
: 31 марта 2013
150 руб.
