Организация памяти. Организация систем адресации и команд
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1. Организация памяти.
2. Организация систем адресации и команд
3. Заключение
4. Список использованной литературы
Организация памяти
Системная память. Обычно под системной понимают лишь оперативную память. На самом деле работоспособность всей компьютерной системы зависит от характеристик подсистемы памяти в целом. Подсистема памяти охватывает:
оперативную память как таковую;
кэш-память первого уровня, расположенную в ядре МП;
кэш-память второго уровня (в некоторых конфигурациях она выступает как кэш третьего уровня), размещаемую на СП, на картридже МП или в его ядре;
контроллер памяти;
шины данных и команд, объединяющие все элементы подсистемы в единое целое.
Системная память подразделяется на два типа — с динамической и статической выборкой. В первом случае значение бита информации в ячейке определяется наличием или отсутствием заряда на миниатюрном конденсаторе, управляемом одним—двумя транзисторами. В статической памяти применены специальные элементы — триггеры, реализованные на 4-6 транзисторах. Естественно, что из-за необходимости ожидания накопления (стекания) заряда на конденсаторе быстродействие DRAM ниже. Однако благодаря большему числу транзисторов на ячейку, память SRAM существенно дороже. Обычно модули DRAМ применяют в оперативной и видеопамяти, а модули SRAМ — в качестве быстрых буферных элементов в процессорах, на СП, в контроллерах дисков, CD-RОМ и пр.
2. Организация систем адресации и команд
3. Заключение
4. Список использованной литературы
Организация памяти
Системная память. Обычно под системной понимают лишь оперативную память. На самом деле работоспособность всей компьютерной системы зависит от характеристик подсистемы памяти в целом. Подсистема памяти охватывает:
оперативную память как таковую;
кэш-память первого уровня, расположенную в ядре МП;
кэш-память второго уровня (в некоторых конфигурациях она выступает как кэш третьего уровня), размещаемую на СП, на картридже МП или в его ядре;
контроллер памяти;
шины данных и команд, объединяющие все элементы подсистемы в единое целое.
Системная память подразделяется на два типа — с динамической и статической выборкой. В первом случае значение бита информации в ячейке определяется наличием или отсутствием заряда на миниатюрном конденсаторе, управляемом одним—двумя транзисторами. В статической памяти применены специальные элементы — триггеры, реализованные на 4-6 транзисторах. Естественно, что из-за необходимости ожидания накопления (стекания) заряда на конденсаторе быстродействие DRAM ниже. Однако благодаря большему числу транзисторов на ячейку, память SRAM существенно дороже. Обычно модули DRAМ применяют в оперативной и видеопамяти, а модули SRAМ — в качестве быстрых буферных элементов в процессорах, на СП, в контроллерах дисков, CD-RОМ и пр.
Похожие материалы
Организация прерываний и прямого доступа к памяти в вычислительных системах, распределение ресурсов, технология Plug and Play
evelin
: 5 октября 2013
Содержание
1. Прерывания и исключения
2. Основные принципы организации системы прерываний
3. Аппаратные средства системы прерываний Системный контроллер PIC (Programmable Interrupt Controller)
4. Обработка прерываний на основе контроллера 8259A
5. Контроллер прерываний APIC (Advanced Programmable Interrupt Controller)
6. Режим прямого доступа к памяти
7. Распределение ресурсов, технология Plug and Play
Список литературы
1. Прерывания и исключения
Чтобы обработать запросы от внешних уст
15 руб.
Другие работы
Электроника, Курсовая работа, Вариант 06
Devide
: 4 февраля 2011
Содержание
Введение 3
Задание 4
Электрический расчет цифровой схемы 5
Разработка топологии ИМС 12
Выводы 17
Литература 18
Интегральная микросхема, или просто интегральная схема ИС, микроэлектронное изделие, с высокой плотностью упаковки электрически соединенных элементов (или элементов и компонентов) и кристаллов, выполняющее функцию преобразования и обработки сигналов. Под элементом ИС понимают такую ее часть, которая выполняет функцию одного простого радиоэлемента (например, резистора, конденс
40 руб.
Вопросы по ГОС экзамену. ДО СибГУТИ магистратура 2020 г. Вопрос №38
glebova95
: 25 октября 2020
Вопросы ГОС экзамен ДО СибГУТИ магистратура 2020 г. Вопрос №38
38. Сравнительная оценка параметров модулированных сигналов при использовании амплитудной (AM), частотной (ЧМ) и фазовой (ФМ) модуляции. Многократная фазовая и квадратурная АМ модуляции при передаче дискретных сигналов.
80 руб.
Лабораторные работа №1,2,3 по вычислительной математике. Вариант №6
SOKOLOV
: 19 января 2025
Лабораторные работа No1
Рассчитать h – шаг таблицы функции f(x), по которой с помощью линейной интерполяции можно было бы найти промежуточные значения функции с точностью 0.0001, если табличные значения функции округлены до 4-х знаков после точки.
Написать программу, которая
выводит таблицу значений функции с рассчитанным шагом h на интервале [c, c+15h] (таблица должна содержать 2 столбца: значения аргумента и соответствующее ему округленное до 0.0001 значение функции);
по сформированной таб
341 руб.
Контрольная работа по БЖД-
ЮлияИГАБМ
: 23 мая 2012
1. Обязанность работодателя по обеспечению охраны труда на предприятиях.
32. Медицинские средства индивидуальной защиты.
3адача 4. Рассчитать противопож. расход воды и емкость запасного резервуара для промышленного предприятия. Задача №8. Город расположен на левом низком берегу реки. В 25 км от города река перекрыта плотиной ГЭС. Необходимо определить размеры наводнения при разрушении плотины, если известно, что объем водохранилища W =80 млн м3, ширина прорана В = 60 м, глубина воды перед плот
100 руб.