Основы схемотехники. Лабораторная работа. 5-й сем. Вариант №6

Цена:
10 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 32F026AD-97D4-4253-903C-CA23610C5CDE.rar [ 365 KB ]
material.view.file_icon ЛР№1.doc [ 748 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Тема: “Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе”
1. Цель работы
Исследовать влияние параметров элементов схемы каскада с эмиттерной стабилизацией на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики).

2. Содержание отчета
1. Принципиальная схема исследуемого каскада.
2. Результаты расчета.
3. Графики амплитудно-частотных характеристик.
4. Осциллограммы выходного импульсного сигнала, данные измерений
переходных искажений.
5. Выводы по результатам измерений, сравнение с результатами расчетов.

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Основы схемотехники
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 16.03.2013
Рецензия:Уважаемый слушатель,
Травин Геннадий Андреевич

Похожие материалы

Основы схемотехники. Лабораторная работа №2. 5-й сем. Вариант №6
Тема: «Исследование резисторного каскада широкополосного усилителя на полевом транзисторе» Цель работы: Исследовать влияние элементов схемы каскада широкополосного усилителя на полевом транзисторе с общим истоком на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики). Содержание отчета. 1. Принципиальная схема каскада. 2. Результаты предварительного расчёта. 3. Графики амплитудно-частотных характеристик. Граничные частоты и площадь усиления для каждого случая. 4. Осцилл
СибГУТИ Основы схемотехники Работа Лабораторная
User Vasay2010 : 26 октября 2013
10 руб.
Основы схемотехники. Лабораторная работа №3. 5-й сем. Вариант №6
Тема: “Исследование интегратора и дифференциатора на основе операционного усилителя ” Цель работы Исследовать свойства и характеристики схем интегратора и дифференциатора на основе операционного усилителя (ОУ). Содержание отчета. 1 . Принципиальные схемы интегратора и дифференциатора на ОУ. 2 . Полученные в ходе работы амплитудно-частотные и переходные характеристики схем. 3. Выводы по проделанной работе.
СибГУТИ Основы схемотехники Работа Лабораторная
User Vasay2010 : 26 октября 2013
10 руб.
Основы схемотехники. Экзамен. 5-й сем, Билет №15
Вопрос №1 Устойчивость усилителей с обратной связью. Критерий устойчивости. Обеспечение устойчивости с помощью корректирующих цепей. Вопрос №2 Дифференциальные каскады. Достоинства, области применения. Вопрос№3 Схема выходного двухтактного трансформаторного каскада в режиме «А».
СибГУТИ Основы схемотехники Работа Экзаменационная
User Vasay2010 : 26 октября 2013
58 руб.
Основы схемотехники. Контрольная работа. 5-й сем. Вариант №60
Задача No 1. Начертить принципиальную схему однотактного резисторного каскада предварительного усиления на БТ, включенном по схеме с ОЭ с эмиттерной стабилизацией точки покоя. Рассчитать параметры элементов схемы, режим работы каскада по постоянному току, коэффициент усиления в области средних частот, входные параметры каскада и амплитуду входного сигнала. Марка транзистора КТ315Б Амплитуда сигнала на нагрузке, UmН, В 1,4 Относительный коэффициент усиления на верхней рабочей частоте fВ, YВ, раз
СибГУТИ Основы схемотехники Работа Контрольная
User Vasay2010 : 26 октября 2013
42 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Основы схемотехники. Вариант №6
Тема: "Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе" Цель работы: Исследовать влияние параметров элементов схемы каскада с эмиттерной стабилизацией на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики). Описание схемы исследуемого усилителя Исходные данные для предварительного расчета: транзистор типа KT3102А с параметрами: h21э=185, Сбэ.дин=1,8нФ, fh21э=1,5МГц, rб.б=50Ом, Eп=15В, iк0=18,6мА Варианты значений емкостей № варианта
ДО СИБГУТИ Схемотехника телекоммуникационных устройств Работа Лабораторная
User Учеба "Под ключ" : 20 августа 2017
400 руб.
Лабораторная работа №2 по дисциплине: Основы схемотехники. Вариант №6
Тема: "Исследование резисторного каскада широкополосного усилителя на полевом транзисторе" Цель работы: Исследовать влияние элементов схемы каскада широкополосного усиления на полевом транзисторе с общим истоком на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики). Описание схемы исследуемого усилителя Исходные данные для предварительного расчета: Варианты значений выходной разделительной емкости (С2) и емкости нагрузки С4, указанные в таблице 2, выбираются по послед
ДО СИБГУТИ Схемотехника телекоммуникационных устройств Работа Лабораторная
User Учеба "Под ключ" : 20 августа 2017
400 руб.
Лабораторные работы №№1-2 по дисциплине: Основы схемотехники. Вариант №6
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №1 Тема: "Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе" Цель работы: Исследовать влияние параметров элементов схемы каскада с эмиттерной стабилизацией на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики). Описание схемы исследуемого усилителя Исходные данные для предварительного расчета: транзистор типа KT3102А с параметрами: h21э=185, Сбэ.дин=1,8нФ, fh21э=1,5МГц, rб.б=50Ом, Eп=15В, iк0=18,6мА Варианты значе
ДО СИБГУТИ Схемотехника телекоммуникационных устройств Работа Лабораторная
User Учеба "Под ключ" : 20 августа 2017
750 руб.
Устройства оптоэлектроники. 4-й сем. Вариант №6
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника (Составной фототранзистор). Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Задача № 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней . Тип ПП материала Ge Квантовая эффективность, n=0,2 Ширина запрещенной зоны W=0,6 эВ Задача №3 Изобразить принципиальную схему включения семисе
СибГУТИ Электроника Работа Контрольная
User Vasay2010 : 28 апреля 2013
48 руб.

Другие работы

Контрольная работа. По дисциплине: Управление качеством в телекоммуникациях Вариант-6
1. Задание: Расшифровать вышеприведенные сообщения управляющего протокола, в соответствии с поставленными ниже в пп. 1…18 вопросами. Ответы оформить в соответствии с прилагаемыми ниже требованиями. Для расшифровки сообщений используйте сведения в прилагаемых файлах – rfc1213, rfc1700, ETHERNET VENDOR ADDRESS.doc, ETHER TYPES.doc, а также сведения, полученные на лекциях и практических занятиях. 2. Определить из приведенных сообщений: 1. Фирму-поставщика оборудования сетевых интерфейсов 2. MAC-
ДО СИБГУТИ Управление качеством в телекоммуникациях Работа Контрольная
User autotransport : 8 февраля 2023
100 руб.
Ядерная физика
Содержание Введение 2 1. Обзор истории развития ядерной физики 4 2. Игорь Васильевич Курчатов - основоположник советской атомной науки и техники 15 3. Ретроспективный список ученых, сформировавших современный взгляд на физику частиц и ядра 21 4. График зависимости интеллектуального потенциала человечества от времени жизни человечества 29 Выводы 31 Список литературы 33 Мир, в котором мы живем, сложен и многообразен. Издавна человек стремился познать окружающий его мир. Исследования шли в трех н
Физика и энергетика Работа
User Aronitue9 : 10 сентября 2012
25 руб.
Деятельность Департамента инвестиционных программ строительства г. Москвы в реализации инвестиционных программ строительства
Оглавление. Введение-----------------------------------------------------------------------3 1. Теоретические основы инвестиций. Регулирование инвестиционной деятельности на рынке недвижимости------------------------------------------4 2. Анализ современного состояния Департамента инвестиционных программ строительства г. Москвы----------------------------------------------22 3. Направления совершенствования методов и средств, используемых Департаментом инвестиционных программ строительства г. Мо
Государство и право Работа
User OstVER : 21 марта 2013
5 руб.
Контрольная работа. Оценка параметров коллекторного слоя диффузионной структуры
Контрольная работа No 1 Вариант 3 Оценка параметров коллекторного слоя диффузионной структуры (пометоду тройной диффузии). Толщина слоя - 6 мкм. Поверхностная концентрация примеси в слое (n-тип) 1017см-3. Концентрация примеси в подложке – 1015см –3. Электрическая прочность? Удельная емкость? Сопротивление квадрата? Контрольная работа No 2 Работа No1б. Резисторы полупроводниковых ИС Задание на работу Выполнить проектирование и представить эскиз конструкции резистора полупроводниковых ИС с прост
******* Не известно Микроэлектроника Работа Контрольная
User anderwerty : 15 января 2016
60 руб.
up Наверх