Электроника. Экзамен. 3-й семестр. 13-й вариант

Цена:
50 руб.

Состав работы

material.view.file_icon CEF87DD7-FB19-4EB8-8C25-61CC67F53A27.doc [ 647 KB ]
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».

1.Принцип действия полевого транзистора с р-n переходом.
Транзисторы этого типа являются униполярными в отличие от бездрейфовых и дрейфовых транзисторов, в принципе работы которых лежит использование носителей заряда двух типов: электронов и дырок, и которые поэтому называются биполярными. В униполярных транзисторах явление инжекции не используется и в принципе их работы лежит использование носителей
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Похожие материалы

Экзамен по дисциплине: Электроника. 5-й семестр. 3-й вариант
Вопрос №1: Аналоговые ключи на транзисторах. Вопрос №2: Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. Вопрос №3: Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите вх
СибГУТИ Электроника Работа Зачетная
User ramzes14 : 11 октября 2013
200 руб.
Электроника. 3-й семестр. Экзамен
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Ирина16 : 19 декабря 2017
120 руб.
Экзамен. Электроника. 3-й семестр.
1. Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные х
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User CDT-1 : 17 марта 2015
120 руб.
Электроника. Экзамен. 3-й семестр
1.Эквивалентные схемы полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Студенткааа : 19 февраля 2015
100 руб.
Электроника. 3-й семестр. 1-й ВАРИАНТ
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и ка
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User xadmin : 25 июля 2018
85 руб.
Электроника. 3-й семестр. 1-й ВАРИАНТ
Электроника 3-й семестр. Вариант 03
Разработать интегральный усилитель на основе полевых и биполярных транзисторов, используя данные табл. 1 Разработать топологию гибридной интегральной микросхемы. Исходные данные курсовой работы на тему "Разработка интегрального аналогового устройства"
******* Не известно Электроника Работа Курсовая
User Zalevsky : 11 сентября 2018
300 руб.
Электроника 3-й семестр. Вариант 03
Экзамен по дисциплине: Электроника, 2-й семестр.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встрое
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User alexip23 : 26 сентября 2015
200 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. 3-й семестр
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, п
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User наташ : 29 ноября 2011
300 руб.

Другие работы

Экзамен. Стратегический менеджмент. Синергия (MBA)
1. Руководство фирмы обнаружило, что доселе успешно продававшийся товар приносит все меньше и меньше дохода. Проанализировав ситуацию, оно поняло, что это произошло из-за того, что конкуренты выбросили на рынок что-то подобное, но дешевле. Фирма не хотела бы отказываться от производства своего продукта (по отзывам клиентов, он в целом лучше). Какая из эталонных стратегий будет в такой ситуации оптимальной? Назвать стратегию и группу, к которой она относится. Назвать другие стратегии этой группы.
Московский финансово-промышленный университет «Синергия» Стратегический менеджмент Работа Экзаменационная
User Глеб52 : 14 марта 2021
1000 руб.
Совершенствование технологических процессов ремонта автобусов на ОАО "Сургутнефтегаз" с разработкой стенда монтажа и демонтажа ГМП
ВВЕДЕНИЕ Программа экономического и социального развития, принятая правительством Российской Федерации, предусматривает принципиально новый подход к решению целого ряда народно-хозяйственных задач. Во всех отраслях хозяйствования намечено добиться более быстрого экономического перевооружения производства, т.е. более экономически эффективного. Основной задачей транспорта является своевременное, качественное и полное удовлетворение потребностей народного хозяйства. В частности на автотранспортных
Диплом и связанное с ним Дипломные проекты
User Рики-Тики-Та : 15 октября 2017
825 руб.
Проекционное черчение. Вариант 11. Задача 3.1
Проекционное черчение. Вариант 11. Задача 3.1 Задача 3.1 1. Выполнить разрез А-А по ГОСТ 2.305-2008. 2. Нанести размеры по ГОСТ 2.307-2011. Чертеж и 3d модель (все на скриншотах показано и присутствует в архиве) выполнены в КОМПАС 3D. Также открывать и просматривать, печатать чертежи и 3D-модели, выполненные в КОМПАСЕ можно просмоторщиком КОМПАС-3D Viewer. По другим вариантам и всем вопросам пишите в Л/С. Отвечу и помогу.
Начертательная геометрия и инженерная графика Чертежи БГИТА
User coolns : 4 октября 2023
100 руб.
Проекционное черчение. Вариант 11. Задача 3.1 promo
Методы и средства измерений в телекоммуникационных системах Вариант №11. 3-й курс, 6-й семестр. Год сдачи 2021
При анализе цифровой системы передачи со скоростью В было получено в течение времени ТNош ошибок. По результатам анализа вычислить следующие статистические параметры: · оценку коэффициента ошибок Кош; · среднее квадратическое значение s (У абсолютной погрешности оценки коэффициента ошибок Кош · относительное значение погрешности d и при заданной доверительной вероятности Рдов=0,95 и коэффициенте Стьюдента tр =1,2; · число ошибок Nош, которое должно быть сосчитано в процессе измерения, чтоб
ДО СИБГУТИ Методы и средства измерений в ТС Работа Контрольная
User Alexandr1305 : 18 марта 2021
150 руб.
up Наверх