Электроника. Экзамен. 3-й семестр. 13-й вариант

Цена:
50 руб.

Состав работы

material.view.file_icon CEF87DD7-FB19-4EB8-8C25-61CC67F53A27.doc
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».

1.Принцип действия полевого транзистора с р-n переходом.
Транзисторы этого типа являются униполярными в отличие от бездрейфовых и дрейфовых транзисторов, в принципе работы которых лежит использование носителей заряда двух типов: электронов и дырок, и которые поэтому называются биполярными. В униполярных транзисторах явление инжекции не используется и в принципе их работы лежит использование носителей
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Экзамен по дисциплине: Электроника. 5-й семестр. 3-й вариант
Вопрос №1: Аналоговые ключи на транзисторах. Вопрос №2: Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. Вопрос №3: Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите вх
User ramzes14 : 11 октября 2013
200 руб.
Электроника. 3-й семестр. 1-й ВАРИАНТ
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и ка
User xadmin : 25 июля 2018
85 руб.
Электроника. 3-й семестр. 1-й ВАРИАНТ
Электроника. 3-й семестр. Экзамен
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
User Ирина16 : 19 декабря 2017
120 руб.
Экзамен. Электроника. 3-й семестр.
1. Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные х
User CDT-1 : 17 марта 2015
120 руб.
Электроника. Экзамен. 3-й семестр
1.Эквивалентные схемы полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики
User Студенткааа : 19 февраля 2015
100 руб.
Электроника 3-й семестр. Вариант 03
Разработать интегральный усилитель на основе полевых и биполярных транзисторов, используя данные табл. 1 Разработать топологию гибридной интегральной микросхемы. Исходные данные курсовой работы на тему "Разработка интегрального аналогового устройства"
User Zalevsky : 11 сентября 2018
300 руб.
Электроника 3-й семестр. Вариант 03
Экзамен по дисциплине: Электроника, 2-й семестр.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встрое
User alexip23 : 26 сентября 2015
200 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. 3-й семестр
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, п
User наташ : 29 ноября 2011
300 руб.
ППР на строительство штаба части военного городка
Содержание Введение 1) Район строительства…………………………………………………………5 1.1) Выбор места строительства…………………………………………………6 1.1.1)Природно-климатическая оценка………………………………………….8 1.1.2)Геологические условия……………………………………………………10 1.2) Архитектурно-строительная часть……………………………………….10 1.3) Генеральный план…………………………………………………………10 1.4) Объемно-планировочное и конструктивное решение…………………..11 1.5) Теплоснабжение…………………………………………………………...13 1.5.1)Водоснабжение…………………………………………………………….13 1.5.2)Кан
User Рики-Тики-Та : 15 июня 2012
1100 руб.
Модернизация токарно-винторезного станка 16К20
Содержание: Введение 1. Расчетно-конструкторская часть 1.1.Основные характеристики токарно-винторезных станков 1.1.1.Назначение и основные технические данные станка 16К20 1.1.2.Обзор отечественных и зарубежных аналогов 1.1.3.Анализ недостатков прототипа и основные направления его усовершенствования ну и так далее. кинематический расчет, силовой. а так же экономическая есть часть
User kisya2904 : 19 января 2010
Курсовая работа по дисциплине исследование систем управления
Содержание Введение …………………………………………………………………………. 3 1. Описание объекта исследования …………………………………………….. 4 2. Анализ организационной структуры исследуемого объекта ……………… 7 3. Целевой анализ системы управления ……………………………………….. 9 4. Функциональный анализ системы управления …………………………… 12 5. Информационный анализ системы управления …………………………... 17 6. Ситуационный анализ системы управления ………………………………. 18 7. Функционально-стоимостной анализ системы управления ……………… 22 8. Оптимизация структуры у
User man4 : 6 февраля 2009
Развитие теории проектирования дорожных катков для энергоэффективного уплотнения грунтов
ВВЕДЕНИЕ………………………………………………………………………. 6 1. АНАЛИЗ СОВРЕМЕННЫХ ПОДХОДОВ К ЗАДАЧЕ ПОВЫШЕНИЯ ЭНЕРГОЭФФЕКТИВНОСТИ ДОРОЖНЫХ МАШИН ДЛЯ УПЛОТНЕНИЯ ГРУНТОВЫХ СРЕД…………………………………………………………….. 16 1.1. Общие характеристики и классификация дорожных машин для уплотнения грунтов………………………………………………………….. 16 1.2 Особенности статических режимов уплотнения слоев грунтовых сред дорожными катками………………………………………………………….. 20 1.3 Особенности динамических режимов уплотнения слоев грунтовых сред дорожными катками 28
User alfFRED : 5 октября 2025
150 руб.
up Наверх