Электроника. Экзамен. 3-й семестр. 13-й вариант
Состав работы
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Принцип действия полевого транзистора с р-n переходом.
Транзисторы этого типа являются униполярными в отличие от бездрейфовых и дрейфовых транзисторов, в принципе работы которых лежит использование носителей заряда двух типов: электронов и дырок, и которые поэтому называются биполярными. В униполярных транзисторах явление инжекции не используется и в принципе их работы лежит использование носителей
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
1.Принцип действия полевого транзистора с р-n переходом.
Транзисторы этого типа являются униполярными в отличие от бездрейфовых и дрейфовых транзисторов, в принципе работы которых лежит использование носителей заряда двух типов: электронов и дырок, и которые поэтому называются биполярными. В униполярных транзисторах явление инжекции не используется и в принципе их работы лежит использование носителей
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Похожие материалы
Экзамен по дисциплине: Электроника. 5-й семестр. 3-й вариант
ramzes14
: 11 октября 2013
Вопрос №1:
Аналоговые ключи на транзисторах.
Вопрос №2:
Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
Вопрос №3:
Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите вх
200 руб.
Электроника. 3-й семестр. Экзамен
Ирина16
: 19 декабря 2017
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
120 руб.
Экзамен. Электроника. 3-й семестр.
CDT-1
: 17 марта 2015
1. Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные х
120 руб.
Электроника. Экзамен. 3-й семестр
Студенткааа
: 19 февраля 2015
1.Эквивалентные схемы полевых транзисторов.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики
100 руб.
Электроника. 3-й семестр. 1-й ВАРИАНТ
xadmin
: 25 июля 2018
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и ка
85 руб.
Электроника 3-й семестр. Вариант 03
Zalevsky
: 11 сентября 2018
Разработать интегральный усилитель на основе полевых и биполярных транзисторов, используя данные табл. 1
Разработать топологию гибридной интегральной микросхемы.
Исходные данные курсовой работы на тему "Разработка интегрального аналогового устройства"
300 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника, 2-й семестр.
alexip23
: 26 сентября 2015
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встрое
200 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. 3-й семестр
наташ
: 29 ноября 2011
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, п
300 руб.
Другие работы
Теплотехника РГАУ-МСХА 2018 Задача 8 Вариант 47
Z24
: 27 января 2026
Определить поверхность нагрева стального рекуперативного газовоздушного теплообменника (толщина стенок δс=3 мм) при прямоточной и противоточной схемах движения теплоносителей (рис. 6.2 и 6.3), если объемный расход воздуха при нормальных условиях Vн, средний коэффициент теплоотдачи от воздуха к поверхности нагрева α1, от поверхности нагрева к воде α2=500 Вт/(м²·К), коэффициент теплопроводности материала стенки трубы (стали) λ=50 Вт/(м·К), теплоемкость топочных газов сг=1,15 кДж/(кг·К), плотность
300 руб.
Песня про царя Ивана Васильевича, молодого опричника и удалого купца Калашникова. Лермонтов М.Ю.
Qiwir
: 26 июля 2013
Песня про царя Ивана Васильевича, молодого опричника и удалого купца Калашникова. Лермонтов М.Ю.
Ох ты гой еси, царь Иван Васильевич!
Про тебя нашу песню сложили мы,
Про твово любимого опричника
Да про смелого купца, про Калашникова;
Мы сложили ее на старинный лад,
Мы певали ее под гуслярный звон
И причитывали да присказывали...
Не сияет на небе солнце красное... то за трапезой сидит во златом венце грозный царь Иван Васильевич. Позади его стоят стольники, супротив его все
Статические компьютерные модели, модели данных
Lokard
: 2 июля 2013
Введение............................................................................................................
1. Статические компьютерные модели..........................................................
1.1.Этапы построении статической компьютерной модели.....................
1.1.1. Идентификация понятий, присвоение им имен
и их определение.........................................................................
1.1.2. Организация понятий
10 руб.
Курсовая по дисциплине: Архитектура телекоммуникационных систем и сетей. Вариант 5
xtrail
: 1 августа 2024
Содержание
Введение…………………………………………………………………………................2
2. Методы регистрации…………………………………………………………………..2
2.1 Регистрация посылок методом стробирования……………………………………...2
2.2 Интегральный метод регистрации…………………………………………………....3
2.3 Сравнение методов регистрации……………………………………………………...4
2.4 Задача №1……………………………………………………………………………....5
3. Синхро
700 руб.