Электроника. Экзамен. 3-й семестр. 13-й вариант

Цена:
50 руб.

Состав работы

material.view.file_icon CEF87DD7-FB19-4EB8-8C25-61CC67F53A27.doc

Необходимые программы

Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».

1.Принцип действия полевого транзистора с р-n переходом.
Транзисторы этого типа являются униполярными в отличие от бездрейфовых и дрейфовых транзисторов, в принципе работы которых лежит использование носителей заряда двух типов: электронов и дырок, и которые поэтому называются биполярными. В униполярных транзисторах явление инжекции не используется и в принципе их работы лежит использование носителей
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Экзамен по дисциплине: Электроника. 5-й семестр. 3-й вариант
Вопрос №1: Аналоговые ключи на транзисторах. Вопрос №2: Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. Вопрос №3: Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите вх
User ramzes14 : 11 октября 2013
200 руб.
Электроника. 3-й семестр. Экзамен
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
User Ирина16 : 19 декабря 2017
120 руб.
Экзамен. Электроника. 3-й семестр.
1. Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные х
User CDT-1 : 17 марта 2015
120 руб.
Электроника. Экзамен. 3-й семестр
1.Эквивалентные схемы полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики
User Студенткааа : 19 февраля 2015
100 руб.
Электроника. 3-й семестр. 1-й ВАРИАНТ
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и ка
User xadmin : 25 июля 2018
85 руб.
Электроника. 3-й семестр. 1-й ВАРИАНТ
Электроника 3-й семестр. Вариант 03
Разработать интегральный усилитель на основе полевых и биполярных транзисторов, используя данные табл. 1 Разработать топологию гибридной интегральной микросхемы. Исходные данные курсовой работы на тему "Разработка интегрального аналогового устройства"
User Zalevsky : 11 сентября 2018
300 руб.
Электроника 3-й семестр. Вариант 03
Экзамен по дисциплине: Электроника, 2-й семестр.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встрое
User alexip23 : 26 сентября 2015
200 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. 3-й семестр
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, п
User наташ : 29 ноября 2011
300 руб.
Теплотехника РГАУ-МСХА 2018 Задача 8 Вариант 47
Определить поверхность нагрева стального рекуперативного газовоздушного теплообменника (толщина стенок δс=3 мм) при прямоточной и противоточной схемах движения теплоносителей (рис. 6.2 и 6.3), если объемный расход воздуха при нормальных условиях Vн, средний коэффициент теплоотдачи от воздуха к поверхности нагрева α1, от поверхности нагрева к воде α2=500 Вт/(м²·К), коэффициент теплопроводности материала стенки трубы (стали) λ=50 Вт/(м·К), теплоемкость топочных газов сг=1,15 кДж/(кг·К), плотность
User Z24 : 27 января 2026
300 руб.
Теплотехника РГАУ-МСХА 2018 Задача 8 Вариант 47
Песня про царя Ивана Васильевича, молодого опричника и удалого купца Калашникова. Лермонтов М.Ю.
Песня про царя Ивана Васильевича, молодого опричника и удалого купца Калашникова. Лермонтов М.Ю. Ох ты гой еси, царь Иван Васильевич! Про тебя нашу песню сложили мы, Про твово любимого опричника Да про смелого купца, про Калашникова; Мы сложили ее на старинный лад, Мы певали ее под гуслярный звон И причитывали да присказывали... Не сияет на небе солнце красное... то за трапезой сидит во златом венце грозный царь Иван Васильевич. Позади его стоят стольники, супротив его все
User Qiwir : 26 июля 2013
Статические компьютерные модели, модели данных
Введение............................................................................................................ 1. Статические компьютерные модели.......................................................... 1.1.Этапы построении статической компьютерной модели..................... 1.1.1. Идентификация понятий, присвоение им имен и их определение......................................................................... 1.1.2. Организация понятий
User Lokard : 2 июля 2013
10 руб.
Курсовая по дисциплине: Архитектура телекоммуникационных систем и сетей. Вариант 5
Содержание Введение…………………………………………………………………………................2 2. Методы регистрации…………………………………………………………………..2 2.1 Регистрация посылок методом стробирования……………………………………...2 2.2 Интегральный метод регистрации…………………………………………………....3 2.3 Сравнение методов регистрации……………………………………………………...4 2.4 Задача №1……………………………………………………………………………....5 3. Синхро
User xtrail : 1 августа 2024
700 руб.
promo
up Наверх