Контрольная работа по дисциплине: «Устройства оптоэлектроники». Вариант №18

Цена:
89 руб.

Состав работы

material.view.file_icon BE56EDA8-DBEE-4D4A-AAFD-D4DEF16765A5.doc [ 659 KB ]
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Задача No 1

Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача 2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .


Исходные данные:

Таблица 2
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, η Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ
1 



Задача 3.
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля).
Задача 4.
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания и номинала ограничительного сопротивления . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных и . Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.

Исходные данные:

Таблица 4

Тип светодиода Напряжение питания , В
Номинал ограничительного сопротивления, Ом
АЛ316А 9 680

Дополнительная информация

Год сдачи -2013. Преподаватель - Игнатов А.Н.

Похожие материалы

Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 18
Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. № варианта: 8 Тип фотоприемника: Фототиристор Задача №2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2. № варианта: 1 Тип ПП материала: Si Квантовая эффективность, n: 0,7 Ши
ДО СИБГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User SibGOODy : 7 августа 2018
450 руб.
promo
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Фотодиод с гетероструктурой Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны. Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User karimoverkin : 11 июня 2017
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 0 Фотодиод на основе р-n перехода Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр. Исходные данные Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
СибГУТИ Электроника Работа Контрольная
User Dctjnkbxyj789 : 11 февраля 2017
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 9 Фоторезистор Решение: Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра. В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User nvm1604 : 27 января 2016
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант 4. Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User lebed-e-va : 28 апреля 2015
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Заданный тип - Лавинный фотодиод Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Задача No3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
СибГУТИ Электроника Работа Контрольная
User ART1800 : 8 мая 2013
150 руб.
Устройства оптоэлектроники, Зачетная работа. вариант №18
Раздел: Физические основы оптоэлектроники. Вопрос №1: Закон Бугера - Ламберта. Поглощение света в твердом теле происходит в соответствии с законом Бугера-Ламберта: , где - коэффициент отражения; - поток световой энергии на расстоянии от поверхности (вдоль луча..... Раздел Излучатели. Вопрос №2: Источники некогерентного включения. Свет, характеризуемый соотношением , где - центральная часть в спектре, а - ширина этого спектра, обычно называют некогерентным. Некогерентное излучение
******* Не известно Устройство оптоэлектроники Работа Зачетная
User Sibur54 : 16 марта 2019
150 руб.
Устройства оптоэлектроники, Контрольная работа. вариант №18
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Задача 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней . Исходные данные: Таблица 1. Вариант Тип ПП материала Si Квантовая эфф
ДО СИБГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User Sibur54 : 16 марта 2019
150 руб.

Другие работы

Курсовая работа: Взаимоотношения Китая с международными валютными организациями(МВФ и ВБ)
http://www.bestreferat.ru/archives/76/bestref-208376.zip
Международные отношения и мировая экономика
User alfFRED : 12 сентября 2013
5 руб.
Ядерное оружие: ядерные, нейтронные, термоядерные боеприпасы
Введение. История создания и развития ядерного оружия. Атомное оружие - оружие масового поражения: Ядерное оружие. Виды ядерных зарядов. Мощность ядерных боеприпасов. Поражающие факторы ядерного взрыва. Виды ядерных взрывов. Устройство и принцип действия ядерного оружия: Основные элементы ядерных боеприпасов. Строение ядерной бомбы. Устройство термоядерной бомбы. Нейтронная бомба. Заключение. Список литературы.
Безопасность жизнедеятельности (БЖД) Работа
User evelin : 9 марта 2015
35 руб.
Курсовая работа по дисциплине: Основы мультимедийных технологий. Тема №5
Тема: «Принцип работы сканеров и их характеристики» Содержание Введение 3 1. Понятие и принцип работы сканера 4 2. Основные характеристики сканеров 5 3. Типы сканеров 9 3.1. Планшетные сканеры 9 3.2. Роликовые сканеры 10 3.3. Барабанные сканеры 12 3.4. Проекционные сканеры 14 3.5. Ручные сканеры 15 3.6. Многофункциональные сканеры 16 4. Аппаратный и программный интерфейсы сканеров 18 Заключение 19 Список использованной литературы 20
ДО СИБГУТИ Основы мультимедийных технологий Работа Курсовая
User Roma967 : 31 марта 2023
500 руб.
promo
Состояние отечественного и мирового производства и рынка текстильных товаров
Тенденции развития ассортимента и совершенствование свойств тканей Классификация и характеристика ассортимента и потребительских свойств гигиенической косметики. Требование к качеству. Современные тенденции развития ассортимента и совершенствование потребительских характеристик этих товаров
Разное Работа
User Elfa254 : 19 апреля 2013
5 руб.
up Наверх