Контрольная работа по дисциплине: «Устройства оптоэлектроники». Вариант №18
-
Категории:
СибГУТИ, Устройство оптоэлектроники, Работа Контрольная
-
Добавлен:
15.12.2013
-
Размер:
658 KB
-
Покупок:
18
-
Добавил:
kakau
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
BE56EDA8-DBEE-4D4A-AAFD-D4DEF16765A5.doc
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача 2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Исходные данные:
Таблица 2
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, η Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ
1
Задача 3.
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля).
Задача 4.
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания и номинала ограничительного сопротивления . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных и . Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Исходные данные:
Таблица 4
Тип светодиода Напряжение питания , В
Номинал ограничительного сопротивления, Ом
АЛ316А 9 680
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача 2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Исходные данные:
Таблица 2
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, η Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ
1
Задача 3.
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля).
Задача 4.
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания и номинала ограничительного сопротивления . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных и . Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Исходные данные:
Таблица 4
Тип светодиода Напряжение питания , В
Номинал ограничительного сопротивления, Ом
АЛ316А 9 680
Дополнительная информация
Год сдачи -2013. Преподаватель - Игнатов А.Н.
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 18
SibGOODy
: 7 августа 2018
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
№ варианта: 8
Тип фотоприемника: Фототиристор
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
№ варианта: 1
Тип ПП материала: Si
Квантовая эффективность, n: 0,7
Ши
SibGOODy
: 7 августа 2018
450 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
karimoverkin
: 11 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод с гетероструктурой
Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
karimoverkin
: 11 июня 2017
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
0 Фотодиод на основе р-n перехода
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника.
Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Исходные данные
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
nvm1604
: 27 января 2016
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
9 Фоторезистор
Решение:
Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра.
В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
nvm1604
: 27 января 2016
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4.
Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
ART1800
: 8 мая 2013
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Заданный тип - Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
ART1800
: 8 мая 2013
150 руб.
Устройства оптоэлектроники. 18 вариант
Темир
: 23 ноября 2014
контрольная работа по предмету устройства оптоэлектроники
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника
Фототиристор
Фотоприемный прибор, имеющий три и более р-п перехода, в ВАХ которого имеется участок отрицательного дифференциального сопротивления, называются фототиристорами.
На рисунки 1 изображена структура фототиристора с тремя р-n переходами. Крайние области такой структуры р и п называютс
Темир
: 23 ноября 2014
49 руб.
Устройства оптоэлектроники, Зачетная работа. вариант №18
Sibur54
: 16 марта 2019
Раздел: Физические основы оптоэлектроники.
Вопрос №1: Закон Бугера - Ламберта.
Поглощение света в твердом теле происходит в соответствии с законом Бугера-Ламберта: , где - коэффициент отражения; - поток световой энергии на расстоянии от поверхности (вдоль луча.....
Раздел Излучатели.
Вопрос №2: Источники некогерентного включения.
Свет, характеризуемый соотношением , где - центральная часть в спектре, а - ширина этого спектра, обычно называют некогерентным. Некогерентное излучение
Sibur54
: 16 марта 2019
150 руб.
Другие работы
Основные экономические показатели ООО "УМГШО"
Qiwir
: 11 ноября 2013
Содержание
Экономическая характеристика ООО "УМГШО"
Развитие и современное состояние угольной отрасли в Кузбассе
Анализ финансового состояния ООО "УМГШО"
Анализ операционных затрат в ООО "УМГШО"
Приложения
Экономическая характеристика ООО "УМГШО"
Управление по монтажу, демонтажу и ремонту горношахтного оборудования (УМГШО) создано в апреле 1975 года на базе трех горномонтажных участков. С 24 января 1994 года функционировало как открытое акционерное общество. С 27 июня 2003 года действовало
Qiwir
: 11 ноября 2013
10 руб.
Электроника. Курсовая работа. Вариант № 8
aleksei84
: 14 июня 2013
Преимущества РЭА с использованием в качестве элементной базы интегральных микросхем (ИМС) вполне очевидны:
- уменьшение габаритов и веса аппаратуры;
- повышенная надежность;
- автоматизация производства.
Также стоит отметить несколько ключевых особенностей ИМС:
Первая – главная особенность ИС как электронного прибора состоит в том, что она самостоятельно выполняет законченную, часто весьма сложную функцию, тогда как элементарные электронные приборы выполняют аналогичную функцию только в купе с
aleksei84
: 14 июня 2013
29 руб.
Валковая дробилка. Диаметр загружаемого материала 85 мм.
elementpio
: 23 октября 2014
Техническая характеристика
1. Диаметр загружаемого материала85 мм
2. Предел регулирования разгрузочной щели 0...30 мм
3. Частота вращения валков 3,92 об/с
4. Электродвигатель: марка АМУ160МА8 У2, частота вращения1500 об/мин, мощность 50 кВт.
5. Производительность 298,8 м3/ч
Содержание РПЗ
Введение
1. Назначение, область применения и описание конструкции машины, ее технологического процесса.
2. Определение основных параметров и кинематический расчет.
3. Расчет основных силовых параметро
elementpio
: 23 октября 2014
45 руб.
Теплотехника КНИТУ Задача ТД-6 Вариант 36
Z24
: 16 января 2026
Определить холодильный коэффициент ε парокомпрессионной аммиачной холодильной установки (с дросселем), массовый расход аммиака m, кг/c и теоретическую мощность привода компрессора Nкомпр по заданным значениям температуры влажного насыщенного пара NH3 на входе в компрессор t1 и температуре сухого насыщенного пара за компрессором t2 и холодопроизводительности установки Q.
Изобразить схему установки и цикл на Ts — диаграмме.
Z24
: 16 января 2026
200 руб.
