Физика(2-й семестр). Лабораторная работа № 6,8. 4й вариант. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
(1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей элек-трического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных но-сителей заряда, µ+ и µ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
В нашей задаче исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n+ = n- = n
Тогда (2)
Здесь µn и µp- подвижность электронов проводимости и дырок, соответственно.
Строго говоря, от температуры зависят и концентрация, и подвижности носителей заряда. Одна-ко, во многих случаях в узком диапазоне температур зависимостью подвижностей от температу-ры можно пренебречь и считать подвижности постоянными, не зависящими от температуры. В данной работе рассматривается именно этот случай.
Зависимость концентрации собственных носителей от температуры описывается экспонентой:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
(1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей элек-трического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных но-сителей заряда, µ+ и µ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
В нашей задаче исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n+ = n- = n
Тогда (2)
Здесь µn и µp- подвижность электронов проводимости и дырок, соответственно.
Строго говоря, от температуры зависят и концентрация, и подвижности носителей заряда. Одна-ко, во многих случаях в узком диапазоне температур зависимостью подвижностей от температу-ры можно пренебречь и считать подвижности постоянными, не зависящими от температуры. В данной работе рассматривается именно этот случай.
Зависимость концентрации собственных носителей от температуры описывается экспонентой:
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (2 сем.)
Вид работы: Лабораторная работа 2
Оценка:Зачет
Дата оценки: 18.12.2013
Рецензия:Уважаемый , Ваша лабораторная работа 6.8 проверена. Экспериментальный результат правильный.
Работа зачтена.
Стрельцов Александр Иванович
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (2 сем.)
Вид работы: Лабораторная работа 2
Оценка:Зачет
Дата оценки: 18.12.2013
Рецензия:Уважаемый , Ваша лабораторная работа 6.8 проверена. Экспериментальный результат правильный.
Работа зачтена.
Стрельцов Александр Иванович
Похожие материалы
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
30 руб.
Другие работы
Оборотные средства предприятия и пути ускорения их оборачиваемости
Lokard
: 1 ноября 2013
1. Оборотные средства предприятия и пути ускорения их оборачиваемости.
1.1. Понятие «Оборотные средства» и структура оборотных средств предприятия
1.2. Экономическая сущность оборотных средств предприятия. Значение их лучшего использования в условиях рыночной экономики
1.3. Источники формирования оборотных средств.
1.4. Кругооборот фондов предприятия
2. Система показателей и пути ускорения оборачиваемости оборотных средств.
3. Экономическая эффективность улучшения использования оборотных с
15 руб.
Зачет. Банки и базы данных. СДТ. 2009
sanco25
: 27 февраля 2012
1. Постройте таблицы базы данных, соответствующие ER-диаграмме, приведенной в задании.
2. База данных химчистка должна содержать сведения о следующих объектах:
Персонал: ФИО, адрес, телефон, должность оклад.
Прейскурант услуг: название, цена, время исполнения
Текущие услуги: ФИО клиента, услуга, исполнитель, дата.
Построить ER-диаграмму.
3. Используя заданные схемы таблиц создать запрос, который выводит список студентов группы М31. Данные в таблицах значения не имеют.
4. Присутствуют ли аномалии
110 руб.
Теория игр. 2021 (ответы на тест) [СИНЕРГИЯ]
Edurepetitor
: 17 августа 2021
Для вашего удобства работа структурирована и упорядочена в алфавитном порядке.
Формат документа: PDF
Ответы на 36 вопросов, которые встречаются в тестах по данному предмету.
Последнее прохождение на 88/100 балла
Для удобства воспользоваться поиском (Ctrl+F)
180 руб.
Экзамен по дисциплине «Интегральные оптические сети»
Лесник
: 29 марта 2012
1 Транспортная сеть SDH и её характеристики. Достоинства и недостатки.
2. Характеристики технологий xDSL ( на примере HDSL и ADSL).
Задача
Определить число циклов Е1 и число канальных интервалов в этих циклах, которые необходимы для переноса четырёх ячеек АТМ, следующих друг за другом. Полностью привести расчёт.
50 руб.