Физика(2-й семестр). Лабораторная работа № 6,8. 4й вариант. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
(1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей элек-трического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных но-сителей заряда, µ+ и µ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
В нашей задаче исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n+ = n- = n
Тогда (2)
Здесь µn и µp- подвижность электронов проводимости и дырок, соответственно.
Строго говоря, от температуры зависят и концентрация, и подвижности носителей заряда. Одна-ко, во многих случаях в узком диапазоне температур зависимостью подвижностей от температу-ры можно пренебречь и считать подвижности постоянными, не зависящими от температуры. В данной работе рассматривается именно этот случай.
Зависимость концентрации собственных носителей от температуры описывается экспонентой:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
(1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей элек-трического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных но-сителей заряда, µ+ и µ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
В нашей задаче исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n+ = n- = n
Тогда (2)
Здесь µn и µp- подвижность электронов проводимости и дырок, соответственно.
Строго говоря, от температуры зависят и концентрация, и подвижности носителей заряда. Одна-ко, во многих случаях в узком диапазоне температур зависимостью подвижностей от температу-ры можно пренебречь и считать подвижности постоянными, не зависящими от температуры. В данной работе рассматривается именно этот случай.
Зависимость концентрации собственных носителей от температуры описывается экспонентой:
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (2 сем.)
Вид работы: Лабораторная работа 2
Оценка:Зачет
Дата оценки: 18.12.2013
Рецензия:Уважаемый , Ваша лабораторная работа 6.8 проверена. Экспериментальный результат правильный.
Работа зачтена.
Стрельцов Александр Иванович
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (2 сем.)
Вид работы: Лабораторная работа 2
Оценка:Зачет
Дата оценки: 18.12.2013
Рецензия:Уважаемый , Ваша лабораторная работа 6.8 проверена. Экспериментальный результат правильный.
Работа зачтена.
Стрельцов Александр Иванович
Похожие материалы
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
30 руб.
Другие работы
Коллективизация
Slolka
: 3 сентября 2013
ВВЕДЕНИЕ
Тридцатые годы XX века отличаются большой уплотнённостью событий, быстрым переходом одного состояния в другое, своеобразием контекста в мировой политике. Этот период вобрал в себя беспрецедентную по темпам и размерам реконструкцию промышленности и срывы производственных программ начала и конца десятилетия, широкомасштабное перераспределение собственности в сельском хозяйстве, наступление на кулака, голод и частичную стабилизацию экономики в середине 30-х годов, маргинализацию общества
10 руб.
Контрольная работа. Математический анализ. Вариант №5
Basileus030
: 19 октября 2014
Задача 1. Найти пределы функций
Задача 2. Найти значение производных данных функций в точке x=0
Задача 3. Провести исследование функций с указанием
а) области определения и точек разрыва; б) экстремумов; с) асимптот.
По полученным данным построить графики функций.
f(x)=e^(2x-x^2 ).
150 руб.
Статистический анализ использования основных средств на примере предприятия
kursovaya1
: 18 октября 2016
Содержание
Введение
1. Экономическая характеристика основных средств предприятия
1.1. Значения, задачи и источники анализа состояния и использования основных средств
1.2. Методика анализа использования основных средств
2. Анализ эффективности использования основных средств ООО «Гарант»
2.1. Краткая характеристика ООО «Гарант»
2.2. Анализ эффективности использования основных средств ООО «Гарант»
2.3. Анализ динамики основных производственных фондов
3. Разработка мероприятий, направленных на повы
700 руб.
Причини інфляції та їх аналіз в Україні
Elfa254
: 14 ноября 2013
Найефективнішим індикатором «здоров’я» економіки країни є її фінансовий стан, адже фінансова система не лише забезпечує необхідні взаємозв’язки в економіці, вона є одним з найвпливовіших важелів макроекономічного регулювання, інструментом, за допомогою якого уряди мають змогу регулювати економічний розвиток. Саме тому діяльність виконавчої влади кожної країни спрямована на забезпечення стабільності фінансово-кредитної системи та фінансового стану в цілому. Запорукою цього, серед іншого, має бути
10 руб.