Физика(2-й семестр). Лабораторная работа № 6,8. 4й вариант. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Состав работы
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
(1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей элек-трического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных но-сителей заряда, µ+ и µ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
В нашей задаче исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n+ = n- = n
Тогда (2)
Здесь µn и µp- подвижность электронов проводимости и дырок, соответственно.
Строго говоря, от температуры зависят и концентрация, и подвижности носителей заряда. Одна-ко, во многих случаях в узком диапазоне температур зависимостью подвижностей от температу-ры можно пренебречь и считать подвижности постоянными, не зависящими от температуры. В данной работе рассматривается именно этот случай.
Зависимость концентрации собственных носителей от температуры описывается экспонентой:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
(1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей элек-трического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных но-сителей заряда, µ+ и µ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
В нашей задаче исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n+ = n- = n
Тогда (2)
Здесь µn и µp- подвижность электронов проводимости и дырок, соответственно.
Строго говоря, от температуры зависят и концентрация, и подвижности носителей заряда. Одна-ко, во многих случаях в узком диапазоне температур зависимостью подвижностей от температу-ры можно пренебречь и считать подвижности постоянными, не зависящими от температуры. В данной работе рассматривается именно этот случай.
Зависимость концентрации собственных носителей от температуры описывается экспонентой:
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (2 сем.)
Вид работы: Лабораторная работа 2
Оценка:Зачет
Дата оценки: 18.12.2013
Рецензия:Уважаемый , Ваша лабораторная работа 6.8 проверена. Экспериментальный результат правильный.
Работа зачтена.
Стрельцов Александр Иванович
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (2 сем.)
Вид работы: Лабораторная работа 2
Оценка:Зачет
Дата оценки: 18.12.2013
Рецензия:Уважаемый , Ваша лабораторная работа 6.8 проверена. Экспериментальный результат правильный.
Работа зачтена.
Стрельцов Александр Иванович
Похожие материалы
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
30 руб.
Другие работы
Антенны и распространение радиоволн. Вариант №48
IT-STUDHELP
: 6 февраля 2022
Задание на контрольную работу на тему «Распространение радиоволн»
Значения N и M определяются по двум последним цифрам номера студенческого билета.
N=4; M=8
Задача No 1.
Определить отношение плотности тока смещения к плотности тока проводимости для морской воды с параметрами ԑ = 80, μ =1 , = 8 См/м и сухой почвы с параметрами ԑ = 8, μ = 1, = 2۰10-3 См/м на частотах f1 = (М + 1)۰104, f2 = (М + 1)۰106, f3 = (М + 1)۰108 Гц. Провести сравнение этих отношений для заданных сред. Определи
500 руб.
Системы радиочастотной идентификации (СРИ)
gugych
: 27 января 2015
Вариант 15.
1. Энергетическое и модуляционное уравнения дальности.
2. Зависимость дальности действия от глубины модуляции.
800 руб.
Контрольная работа № 2 по дисциплине «Физика», 1-й семестр
pbvfktnj
: 13 марта 2012
Задача No362.
ЭДС батареи = 80 В, внутреннее сопротивление Ri = 5 Ом. Внешняя цепь потребляет мощность Р= 100 Вт. Определите к.п.д., с которым работает батарея.
Задача No372.
Сила тока в проводнике изменяется со временем по закону I=I0e-•t, где I0 = 20 А, α = 102с-1. Определить количество теплоты, выделившееся в проводнике за время t = 102 с-1.
Задача No412.
По трем параллельным, прямым проводам, находящимся на одинаковом расстоянии d=20см друг от друга, текут одинаковые токи I = 400 А. В дв
150 руб.
Методы оптимальных решений. Лабораторная работа №1. Вариант №1.
h0h0l777
: 5 февраля 2016
Лабораторная работа №1
Решение задачи линейного программирования
Задание:
1. Составьте математическую модель задачи линейного программирования.
2. Решите её средствами Excel с использованием Поиска решений.
3. Проинтерпретируйте найденное решение.
Между двумя пунктами, расстояние между которыми равно 1000 км, необходимо с наименьшими затратами осуществить связь, имеющую a телефонных, b телеграфных и cфототелеграфных каналов с помощью кабелей двух типов. Кабель первого типа содержит a1 телефо
80 руб.