Физические основы электроники (ФОЭ). Контрольная работа. Вариант №4
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника физическая, Работа Контрольная
-
Добавлен:
27.12.2013
-
Размер:
3 MB
-
Покупок:
5
-
Добавил:
MN
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Электроника_кр.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.1 приложения А. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение Б), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI, напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~, мощность, рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия η.
Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты для различных схем включения транзисторов.
Задача 4: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.2 приложения А. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение Б) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI, напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~, мощность, рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия η.
Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты для различных схем включения транзисторов.
Задача 4: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.2 приложения А. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение Б) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Дополнительная информация
2013 г.
Оценка - зачет
Оценка - зачет
Похожие материалы
Физические основы электроники (ФОЭ)
gugych
: 23 января 2015
Вариант 15
Задача No1
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фоторезистора. Номер варианта для 1 задачи соответствует последней цифре шифра 15.
Таблица 1
No варианта:5 Тип фотоприёмника (ФП)-Фотодиод-транзистор
Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приёмника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприёмника и указать на ней . Номер варианта для 2 задачи
gugych
: 23 января 2015
600 руб.
Контрольная Работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант 29
pccat
: 13 апреля 2016
Задания из контрольной (вариант 29):
Задача 1.1
В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К.
По условию варианта 29 полупроводник – арсенид галлия GaAs.
Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei
Задача 1.6
Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 1
pccat
: 13 апреля 2016
500 руб.
Контрольная работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант №21
pccat
: 13 апреля 2016
Задание из работы (вариант 21):
Задача 1.1
В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К.
По условию варианта 21 полупроводник – арсенид галлия GaAs.
Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei
Задача 1.6
Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 10-3,
pccat
: 13 апреля 2016
500 руб.
Контрольная работа по ФОЭ (Физические основы электроники). Вариант №15.
Vladimirus
: 24 февраля 2016
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом, Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
Vladimirus
: 24 февраля 2016
120 руб.
Физически основы электроники(ФОЭ), 2 вариант
thelive4u
: 6 апреля 2015
Задача №1
Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 12 В, сопротивление нагрузки RН = 240 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы I Б0 = 500 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ= 250 мкА .
Задача №2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче №1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 3) задаемся приращением тока базы IБ= 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=500 мкА.
Задача №3
Для данного транзистор
thelive4u
: 6 апреля 2015
300 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Контрольная работа. Вариант №4. СибГути. Заочно ускоренное обучение
TheMrAlexey
: 21 мая 2016
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора
TheMrAlexey
: 21 мая 2016
50 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). 20 вариант СибГУТИ
bioclown
: 5 октября 2011
Имеются Оригиналы графиков, построенные в "Компас 3D", что позволяет переделать работу под себя. Зачет получен без замечаний и исправлений.
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 15 В, сопротивление нагрузки RН = 200 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 750 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 375 мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (р
bioclown
: 5 октября 2011
70 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Зачет. Билет №7
vlanproekt
: 15 марта 2014
Вопросы:
1) Низкочастотная и высокочастотная модели ПП диодов.
2) Устройство и принцип работы МДП транзисторов со встроенным каналом. Схема включения. Характеристики.
vlanproekt
: 15 марта 2014
240 руб.
Другие работы
Информатика(часть 1-я). Лабораторная работа №3. Программирование типовых алгоритмов
SemenovSam
: 13 мая 2015
Лабораторная работа № 3
Программирование типовых алгоритмов
Цель работы
Получить навыки программирования алгоритмов нахождения сумм, максимальных и минимальных значений последовательностей чисел.
Задание к лабораторной работе
Ввести восемь чисел и вычислить среднее значение четных чисел.
SemenovSam
: 13 мая 2015
80 руб.
Физика (часть 2-я), Контрольная работа, Вариант №2
artinjeti
: 4 мая 2018
502. Уравнение гармонических колебаний дано в виде:
Х=0,2cos(2πt + π/3), м
Найти какую долю составляет кинетическая энергия от полной энергии в момент времени t= T/6.
512. Гармонические колебания в электрическом контуре описывается уравнением , В. Индуктивность катушки L =10-2 Гн. Записать вид уравнений колебаний заряда q и тока i.
522. Точка участвует в двух взаимно перпендикулярных колебаниях, выражаемых уравнениями:. A1=2 cм, А2=3см, ω1=2ω2 . Найти уравнение траектории точки и построить ее на
artinjeti
: 4 мая 2018
60 руб.
Зачётная работа по дисциплине: Теория массового обслуживания. Билет: № 21.
Доцент
: 24 января 2015
1. Диаграмма интенсивностей переходов ПРГ.
2. Матрица вероятностей переходов вложенной цепи Маркова.
Доцент
: 24 января 2015
100 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. Вариант №1
ДО Сибгути
: 26 января 2013
Приложены файлы для построения графиков
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗА
ДО Сибгути
: 26 января 2013
40 руб.
