Физические основы электроники (ФОЭ). Контрольная работа. Вариант №4
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.1 приложения А. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение Б), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI, напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~, мощность, рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия η.
Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты для различных схем включения транзисторов.
Задача 4: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.2 приложения А. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение Б) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI, напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~, мощность, рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия η.
Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты для различных схем включения транзисторов.
Задача 4: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.2 приложения А. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение Б) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Дополнительная информация
2013 г.
Оценка - зачет
Оценка - зачет
Похожие материалы
Физические основы электроники (ФОЭ)
gugych
: 23 января 2015
Вариант 15
Задача No1
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фоторезистора. Номер варианта для 1 задачи соответствует последней цифре шифра 15.
Таблица 1
No варианта:5 Тип фотоприёмника (ФП)-Фотодиод-транзистор
Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приёмника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприёмника и указать на ней . Номер варианта для 2 задачи
600 руб.
Контрольная Работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант 29
pccat
: 13 апреля 2016
Задания из контрольной (вариант 29):
Задача 1.1
В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К.
По условию варианта 29 полупроводник – арсенид галлия GaAs.
Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei
Задача 1.6
Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 1
500 руб.
Контрольная работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант №21
pccat
: 13 апреля 2016
Задание из работы (вариант 21):
Задача 1.1
В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К.
По условию варианта 21 полупроводник – арсенид галлия GaAs.
Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei
Задача 1.6
Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 10-3,
500 руб.
Контрольная работа по ФОЭ (Физические основы электроники). Вариант №15.
Vladimirus
: 24 февраля 2016
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом, Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
120 руб.
Физически основы электроники(ФОЭ), 2 вариант
thelive4u
: 6 апреля 2015
Задача №1
Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 12 В, сопротивление нагрузки RН = 240 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы I Б0 = 500 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ= 250 мкА .
Задача №2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче №1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 3) задаемся приращением тока базы IБ= 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=500 мкА.
Задача №3
Для данного транзистор
300 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Контрольная работа. Вариант №4. СибГути. Заочно ускоренное обучение
TheMrAlexey
: 21 мая 2016
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора
50 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). 20 вариант СибГУТИ
bioclown
: 5 октября 2011
Имеются Оригиналы графиков, построенные в "Компас 3D", что позволяет переделать работу под себя. Зачет получен без замечаний и исправлений.
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 15 В, сопротивление нагрузки RН = 200 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 750 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 375 мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (р
70 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Зачет. Билет №7
vlanproekt
: 15 марта 2014
Вопросы:
1) Низкочастотная и высокочастотная модели ПП диодов.
2) Устройство и принцип работы МДП транзисторов со встроенным каналом. Схема включения. Характеристики.
240 руб.
Другие работы
Гидромеханика ГУМРФ им. адм. С. О. Макарова 2017 Задача 5.19
Z24
: 28 октября 2025
По трубопроводу диаметром d0 = 48 мм движется вода в количестве 1 кг/с (рис. 5.1). Определите скорости воды в разветвлённых частях водопровода, если известно, что расход воды во второй ветви трубопровода диаметром d2 = 14 мм в два раза меньше, чем в первой ветви трубопровода диаметром d1 = 20 мм.
160 руб.
Тепломассообмен КГУ Курган 2020 Задача 2 Вариант 30
Z24
: 12 января 2026
Определить потери теплоты в единицу времени с 1 м длины горизонтально расположенной цилиндрической трубы, охлаждаемой свободным потоком воздуха, если температура стенки трубы tc, температура воздуха в помещении tв, а диаметр трубы d. Степень черноты трубы εс = 0,9.
200 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Инженерная и компьютерная графика. Билет №3
79043832155
: 20 апреля 2015
ТЗ №1. На чертеже в качестве главного принимается изображение на …..плоскость проекций.
ТЗ № 2. Вид детали сверху, если даны два вида: спереди и слева
ТЗ №3. Изображение сечения, выполненное по ГОСТ 2.305
ТЗ №4. Изображение, соответствующее разрезу А-А…
ТЗ №5. К стандартным масштабам уменьшения изображения относятся:
ТЗ №6. Код перечня элементов схемы в виде самостоятельного документа согласно ГОСТ 2.701
ТЗ №7. Порядок записи элементов принципиальных электрических схем в перечне в соответствии
100 руб.
ЧАЭС и Глобальное потепление
Slolka
: 17 марта 2013
Начиная разговор об "Экологических взрывах" я хотел бы остановится на мой вгляд на особо важных экологических взрывах прошедших лет.
1. Чернобыльская катастрофа.
2. Глобальное потепление.
Чернобыльская АЭС
Ядерная безопасность как нравственный императив
Первая рукотворная глобальная катастрофа остается одним из факторов мировой политики. Чернобыль изменил отношение людей к прогрессу как к благу, впервые после упоения и восторга от научно-технического развития и покорения природы застави
10 руб.