Лабораторная работа №1 по дисциплине: физические основы электроники. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов.Вариант №6
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторная работа 1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Отчет по работе
2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
2.2 Исследовать вольтамперную характеристику диода при обратном включении.
2.3 Провести исследование стабилитрона Д814А.
2.4 Исследовать однополупериодный выпрямитель.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Отчет по работе
2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
2.2 Исследовать вольтамперную характеристику диода при обратном включении.
2.3 Провести исследование стабилитрона Д814А.
2.4 Исследовать однополупериодный выпрямитель.
Похожие материалы
Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Антон28
: 8 августа 2025
Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1500 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". (Для всех вариантов)
Roma967
: 29 мая 2015
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выполнение работы:
1. Прямое включение.
1.1. Снятие вольтамперных характеристик диодов при прямом включении.
1.2. Определение материала диода.
1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе Iпр=4мА.
2. Обратное включение.
2.1. Снятие вольтамперной характеристики диода Д
300 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники. Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Amor
: 19 октября 2013
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Ход работы
1. Прямое включение.
1.1. Снятие вольт-амперных характеристик диодов при прямом включении.
1.2. Определение материала диода.
1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе мА.
2. Обратное вк
300 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
aleks797
: 17 декабря 2011
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковы
50 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" Вариант: 11
konst1992
: 31 января 2018
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов.
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
Рис.1 Схема прямого включения
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
Таблица 1.1а – диод Д7Ж
Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447
50 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" (ВСЕ варианты)
Елена22
: 7 октября 2015
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выполнение лабораторной работы.
1. Прямое включение.
1.2. Определение материала диода.
1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе Iпр=5мА
2. Обратное включение.
2.1. Снятие вольтамперной характеристики диода Д7Ж при обратном включении.
2.2. Определение сопротивления
300 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
mirsan
: 24 января 2015
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выполнение работы:
а) Снятие вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при условии: Iпр=f(Uпр)
б) Определение типа материала диода.
в) Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА.
г) Исследовани
55 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
lev12345678
: 17 марта 2013
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
Рис.1 Схема прямого включения
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
Другие работы
Расчет статической системы стабилизации напряжения генератора
evelin
: 20 ноября 2015
Краткое описание работы
Разбиение системы на элементы
Построение структурной схемы САУ
Передаточные функции системы
Проверка системы на устойчивость
D-разбиение
Реализация структурной схемы САУ в программе SamSim
245 руб.
Великие морские катастрофы ХХ века
ostah
: 24 февраля 2013
Ален Бомбар, в начале 50-х годов прошлого века пересекший Атлантику на резиновой надувной лодке Еретик , утверждал, что ежегодно при кораблекрушениях гибнет около двухсот тысяч человек. Своим беспримерным плаванием французский врач доказал, что, если у человека есть
хоть малейший шанс выжить, он может и должен им воспользоваться, даже если окажется один посередине океана. Однако иногда нет у человека и единого шанса Сколько должно быть погибших, чтобы кораблекрушение назвать страшным? Сто, двес
10 руб.
Лабораторная работа 1. Сетевые технологии высокоскоростной передачи данных. Вариант 10 (СибГУТИ)
Ivannsk
: 12 марта 2024
Тема: Изучение технологии Ethernet
Цель работы:
Изучение технологии Ethernet и ее технических решений, реализуемых на современных сетях связи
150 руб.
Основы гидравлики МИИТ 2018 Задача 1.5 Вариант 3
Z24
: 11 декабря 2025
Резервуар водопроводной башни оборудован ограничителем уровня воды, представляющим собой клапан 1, соединенный тягой с поплавком 2 (рис. 1.2).
При повышении уровня воды выше предельного значения погружение поплавка достигает такой величины, при которой выталкивающая сила воды превышает действующую на клапан силу давления. Клапан открывается и через него сбрасывается часть воды. При снижении уровня воды клапан закрывается.
Определить расстояние от дна резервуара до низа поплавка hп, при кот
150 руб.