Лабораторная работа №1 по дисциплине: физические основы электроники. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов.Вариант №6

Цена:
150 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon ФОЭ_лаб-1.doc

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Лабораторная работа 1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Отчет по работе
2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
2.2 Исследовать вольтамперную характеристику диода при обратном включении.
2.3 Провести исследование стабилитрона Д814А.
2.4 Исследовать однополупериодный выпрямитель.
Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
User Антон28 : 8 августа 2025
1500 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". (Для всех вариантов)
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Выполнение работы: 1. Прямое включение. 1.1. Снятие вольтамперных характеристик диодов при прямом включении. 1.2. Определение материала диода. 1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе Iпр=4мА. 2. Обратное включение. 2.1. Снятие вольтамперной характеристики диода Д
User Roma967 : 29 мая 2015
300 руб.
promo
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники. Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Ход работы 1. Прямое включение. 1.1. Снятие вольт-амперных характеристик диодов при прямом включении. 1.2. Определение материала диода. 1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе мА. 2. Обратное вк
User Amor : 19 октября 2013
300 руб.
promo
Физические основы электроники. Лабораторная №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковы
User aleks797 : 17 декабря 2011
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" Вариант: 11
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов. Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. Рис.1 Схема прямого включения 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б Таблица 1.1а – диод Д7Ж Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447
User konst1992 : 31 января 2018
50 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" (ВСЕ варианты)
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Выполнение лабораторной работы. 1. Прямое включение. 1.2. Определение материала диода. 1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе Iпр=5мА 2. Обратное включение. 2.1. Снятие вольтамперной характеристики диода Д7Ж при обратном включении. 2.2. Определение сопротивления
User Елена22 : 7 октября 2015
300 руб.
promo
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Выполнение работы: а) Снятие вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при условии: Iпр=f(Uпр) б) Определение типа материала диода. в) Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА. г) Исследовани
User mirsan : 24 января 2015
55 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. Рис.1 Схема прямого включения 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
User lev12345678 : 17 марта 2013
Расчет статической системы стабилизации напряжения генератора
Краткое описание работы Разбиение системы на элементы Построение структурной схемы САУ Передаточные функции системы Проверка системы на устойчивость D-разбиение Реализация структурной схемы САУ в программе SamSim
User evelin : 20 ноября 2015
245 руб.
Великие морские катастрофы ХХ века
Ален Бомбар, в начале 50-х годов прошлого века пересекший Атлантику на резиновой надувной лодке Еретик , утверждал, что ежегодно при кораблекрушениях гибнет около двухсот тысяч человек. Своим беспримерным плаванием французский врач доказал, что, если у человека есть хоть малейший шанс выжить, он может и должен им воспользоваться, даже если окажется один посередине океана. Однако иногда нет у человека и единого шанса Сколько должно быть погибших, чтобы кораблекрушение назвать страшным? Сто, двес
User ostah : 24 февраля 2013
10 руб.
Лабораторная работа 1. Сетевые технологии высокоскоростной передачи данных. Вариант 10 (СибГУТИ)
Тема: Изучение технологии Ethernet Цель работы: Изучение технологии Ethernet и ее технических решений, реализуемых на современных сетях связи
User Ivannsk : 12 марта 2024
150 руб.
Лабораторная работа 1. Сетевые технологии высокоскоростной передачи данных. Вариант 10 (СибГУТИ)
Основы гидравлики МИИТ 2018 Задача 1.5 Вариант 3
Резервуар водопроводной башни оборудован ограничителем уровня воды, представляющим собой клапан 1, соединенный тягой с поплавком 2 (рис. 1.2). При повышении уровня воды выше предельного значения погружение поплавка достигает такой величины, при которой выталкивающая сила воды превышает действующую на клапан силу давления. Клапан открывается и через него сбрасывается часть воды. При снижении уровня воды клапан закрывается. Определить расстояние от дна резервуара до низа поплавка hп, при кот
User Z24 : 11 декабря 2025
150 руб.
Основы гидравлики МИИТ 2018 Задача 1.5 Вариант 3
up Наверх