Лабораторная работа №1 по дисциплине: физические основы электроники. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов.Вариант №6

Цена:
150 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 191FD608-503A-4A57-91EB-14E86F97B22E.rar [ 109 KB ]
material.view.file_icon ФОЭ_лаб-1.doc [ 166 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Лабораторная работа 1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Отчет по работе
2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
2.2 Исследовать вольтамперную характеристику диода при обратном включении.
2.3 Провести исследование стабилитрона Д814А.
2.4 Исследовать однополупериодный выпрямитель.

Похожие материалы

Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Антон28 : 8 августа 2025
1500 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". (Для всех вариантов)
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Выполнение работы: 1. Прямое включение. 1.1. Снятие вольтамперных характеристик диодов при прямом включении. 1.2. Определение материала диода. 1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе Iпр=4мА. 2. Обратное включение. 2.1. Снятие вольтамперной характеристики диода Д
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Roma967 : 29 мая 2015
300 руб.
promo
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники. Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Ход работы 1. Прямое включение. 1.1. Снятие вольт-амперных характеристик диодов при прямом включении. 1.2. Определение материала диода. 1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе мА. 2. Обратное вк
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User Amor : 19 октября 2013
300 руб.
promo
Физические основы электроники. Лабораторная №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковы
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User aleks797 : 17 декабря 2011
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" Вариант: 11
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов. Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. Рис.1 Схема прямого включения 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б Таблица 1.1а – диод Д7Ж Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447
ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User konst1992 : 31 января 2018
50 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" (ВСЕ варианты)
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Выполнение лабораторной работы. 1. Прямое включение. 1.2. Определение материала диода. 1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе Iпр=5мА 2. Обратное включение. 2.1. Снятие вольтамперной характеристики диода Д7Ж при обратном включении. 2.2. Определение сопротивления
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Елена22 : 7 октября 2015
300 руб.
promo
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Выполнение работы: а) Снятие вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при условии: Iпр=f(Uпр) б) Определение типа материала диода. в) Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА. г) Исследовани
Электроника Работа Лабораторная
User mirsan : 24 января 2015
55 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. Рис.1 Схема прямого включения 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
СибГУТИ Электроника Работа Лабораторная
User lev12345678 : 17 марта 2013

Другие работы

Основы термодинамики и теплотехники СахГУ Задача 4 Вариант 84
Наружная стена здания сделана из красного кирпича с коэффициентом теплопроводности λ=0,8 Вт/(м·ºС), толщина стены b. Температура воздуха в помещении — t1, наружного — t2. Определите, пренебрегая лучистым теплообменом, коэффициент теплопередачи, удельную потерю тепла через стенку и температуру обеих поверхностей стенки по заданным коэффициентам теплоотдачи с обеих сторон α1 и α2.
Задачи Теплотехника
User Z24 : 29 января 2026
150 руб.
Основы термодинамики и теплотехники СахГУ Задача 4 Вариант 84
Определение длины электромагнитной волны методом дифракции Фраунгофера
1. Цель работы. Исследовать явление дифракции электромагнитных волн. С помощью дифракционной решетки проходящего света измерить длины электромагнитных волн видимого диапазона...................................................................................................................................................................................................................................
******* Не известно Физика Работа Лабораторная
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Тепломассообмен СЗТУ Задача 10 Вариант 05
Определить необходимую поверхность нагрева парогенератора производительностью G тонн пара в час при абсолютном давлении p. Какой температурный напор необходимо обеспечить, чтобы увеличить производительность парогенератора в n раз при той же поверхности нагрева? Определить критическое значение температурного напора и тепловой нагрузки для заданного давления p.
Задачи Теплотехника
User Z24 : 23 февраля 2026
200 руб.
Тепломассообмен СЗТУ Задача 10 Вариант 05
Функциональные возможности и структура ПК оценивания режима Космос. Проведение оперативных расчетов режима энергосистемы с использованием ПК Космос
ОИК как упорядоченное представление "сырой" телеметрической информации Модель управления энергосистемы и оценка состояния Процесс оценивания режима Использование задачи оценивания режима в ОДУ Урала Главное меню ПК "Космос" Последовательность действий Анализ режимов: детализация схем замещения, схема управления объекта Управление оборудованием: состоянием линии или трансформатора, генерацией (потреблением), состоянием коммутационного оборудования, состоянием реакторов, коэффициентами трансформац
Рефераты Разное
User evelin : 25 февраля 2013
10 руб.
up Наверх