Лабораторная работа 6.8 по дисциплине: «Физика» «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». Вариант №12=2
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
- Программа для просмотра изображений
Описание
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Краткие теоретические сведения
3. Экспериментальные результаты
4. Вывод
5. Контрольные вопросы:
1) Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2) Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lnσ от 1/Т?
3) Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Краткие теоретические сведения
3. Экспериментальные результаты
4. Вывод
5. Контрольные вопросы:
1) Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2) Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lnσ от 1/Т?
3) Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Дополнительная информация
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (3 сем.)
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 06.02.2013
Рецензия:Уважаемый ..., Ваша лабораторная работа ? 3 проверена. Экспериментальный результат правильный.
Работа зачтена.
Стрельцов Александр Иванович
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 06.02.2013
Рецензия:Уважаемый ..., Ваша лабораторная работа ? 3 проверена. Экспериментальный результат правильный.
Работа зачтена.
Стрельцов Александр Иванович
Похожие материалы
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
30 руб.
Другие работы
Звукопоглощающие конструкции
alfFRED
: 28 августа 2013
Содержание
Введение
1. Характеристика транспортного шума
2. Ограничение авиационного шума по требованиям ИКАО
3. Факторы определяющие уровни шума
4. Предельно допустимые уровни воздействия шума и вибрации
5. Звукопоглощающие конструкции, экраны, выгородки
6. Инженерное оборудование зданий
7. Селитебные территории городов и населенных пунктов
Заключение
Список использованной литературы
Введение
Шумом называются любые нежелательные для человека звуки, мешающие труду или отдыху и созд
10 руб.
Курсовая работа по дисциплине « Программирование на языках высокого уровня» (Часть 2). Тема: "Динамические структуры данных". Вариант № 10
Amor
: 3 ноября 2013
Задание
Разработать программу для создания и работы с двусвязным списком, состоящим из структур. Для работы со списком создать меню со следующими пунктами:
1. Создание списка.
2. Просмотр списка.
3. Добавление в конец списка новой структуры.
4. Корректировка списка.
5. Выход.
В пункт «корректировка списка» входит:
Структура содержит название издания, газета или журнал, цена экземпляра. Добавлять новые издания так, чтобы названия были упорядочены по алфавиту.
СОДЕРЖАНИЕ
ЗАДАНИЕ………………………………………………
500 руб.
Графическая работа №10. Вариант №1. Миронов
Чертежи
: 28 ноября 2019
Все выполнено в программе КОМПАС 3D v16.
Миронов Б.Г., Миронова Р.С., Пяткина Д.А., Пузиков А.А. - Сборник заданий по инженерной графике с примерами выполнения чертежей на компьютере.
Графическая работа №10. Вариант №1.
Задание: По двум видам детали построить третий. Выполнить разрезы. Проставить размеры. Изобразить деталь в изометрии с вырезом четверти.
В состав работы входят 3 файла:
- 3D модель детали;
- ассоциативный чертеж (изометрия с коэффициентом 0.82);
- обычный чертеж (изометрия с
80 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Основы информационной безопасности. Вариант 4
Roma967
: 1 октября 2025
Тема: «Проблема небезопасности Web-технологий»
Содержание
Введение 3
1. Проблема безопасности в современных Web-технологиях 5
1.1. Основные угрозы Web-ресурсам 5
1.2. Уязвимости веб-приложений 7
1.3. Социальные и психологические аспекты небезопасности Web 9
2. Современные методы защиты Web-технологий 10
2.1. Технические решения 10
2.2. Организационные меры и политика безопасности 11
2.3. Перспективы развития технологий киберзащиты 12
3. Практические примеры небезопасности Web-техн
500 руб.