Лабораторная работа 6.8 по дисциплине: «Физика» «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». Вариант №12=2

Цена:
350 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon ЛР №68.doc
material.view.file_icon Отчёт мой.bmp
material.view.file_icon Росоловский ПБЗ-22 лр3 - зачтено.doc
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word
  • Программа для просмотра изображений

Описание

1. Цель работы

Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны

2. Краткие теоретические сведения
3. Экспериментальные результаты
4. Вывод
5. Контрольные вопросы:
1) Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2) Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lnσ от 1/Т?
3) Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.

Дополнительная информация

Оценена Ваша работа по предмету: Физика (3 сем.)
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 06.02.2013
Рецензия:Уважаемый ..., Ваша лабораторная работа ? 3 проверена. Экспериментальный результат правильный.

Работа зачтена.

Стрельцов Александр Иванович
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Вариант 09 Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
User Саша78 : 9 апреля 2020
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников» 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
User chita261 : 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Теоретические сведения и ход работы: В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно, |q+| = |q-| = e и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n Тогда (2)
User Murlishka : 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
User AndrewZ54 : 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны 2. Теоретическое введение Электропроводность материалов определяется выражением: где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
User qawsedrftgyhujik : 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны ВЫВОД В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( ) Контрольные вопросы 1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
User DenKnyaz : 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
User vereney : 25 ноября 2010
30 руб.
Лабораторная работа №3. Резонансы напряжений и токов в электрических цепях. Вариант №4
1. Цель работы Исследование явления резонанса в последовательном и параллельном контурах, их частотных характеристик, влияния нагрузки на свойства контуров. 2. Подготовка к выполнению работы При подготовке к работе необходимо изучить явления электрического резонанса в последовательном и параллельном контурах, основные расчетные соотношения, частотные характеристики контуров, влияние нагрузки на свойства контуров (параграфы 4.1, 4.2, 4.3 электронного учебника). 3. Последовательный контур 1. Собра
350 руб.
Теория вероятности. Контрольная работа. Вариант №7
Задача №1 Вероятность появления поломок на каждой из соединительных линий равна . Какова вероятность того, что хотя бы две линии исправны? Дано p=0.15, k=5 Задача №2 В одной урне K белых шаров и L черных шаров, а в другой – M белых и N черных. Из первой урны случайным образом вынимают P шаров и опускают во вторую урну. После этого из второй урны также случайно вынимают R шаров. Найти вероятность того, что все шары, вынутые из второй урны – белые. Дано k=4, l=5, m=5, n=4, p=2, r=4 Задача №3
User ambagoestoyou : 18 декабря 2013
60 руб.
Микропроцессоры. 3 семестр. Лабораторная №3. Вариант 3.
ИЗУЧЕНИЕ АМПЛИТУДО-ЧАСТОТНЫХ И ФАЗО-ЧАСТОТНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ОКМ-4 Цель работы. Изучить амплитудо-частотные (АЧХ) и фазочастотные (ФЧХ) характеристики относительного компенсационного метода четвертого порядка (ОКМ-4). Краткая теория. Известно, что существует алгоритм разделения сигналов двух направлений, как относительный компенсационный метод. Метод этот заключается в сопоставлении соседних передаваемых эхо-сигналов на входе приемника. В этой лабораторной работе более подробно изучаются
User skaser : 9 октября 2011
60 руб.
Микропроцессоры. 3 семестр. Лабораторная №3. Вариант 3.
ГОСТ 10498-82 Трубы бесшовные особотонкостенные из коррозионостойкой стали. Технические условия
Настоящий стандарт распространяется на холодно- и теплодеформированные трубы. предназначенные для трубопроводов и конструкций разного назначения.
User Elfa254 : 1 июля 2013
10 руб.
up Наверх