Лабораторная работа 6.8 по дисциплине: «Физика» «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». Вариант №12=2
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
- Программа для просмотра изображений
Описание
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Краткие теоретические сведения
3. Экспериментальные результаты
4. Вывод
5. Контрольные вопросы:
1) Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2) Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lnσ от 1/Т?
3) Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Краткие теоретические сведения
3. Экспериментальные результаты
4. Вывод
5. Контрольные вопросы:
1) Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2) Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lnσ от 1/Т?
3) Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Дополнительная информация
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (3 сем.)
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 06.02.2013
Рецензия:Уважаемый ..., Ваша лабораторная работа ? 3 проверена. Экспериментальный результат правильный.
Работа зачтена.
Стрельцов Александр Иванович
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 06.02.2013
Рецензия:Уважаемый ..., Ваша лабораторная работа ? 3 проверена. Экспериментальный результат правильный.
Работа зачтена.
Стрельцов Александр Иванович
Похожие материалы
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
30 руб.
Другие работы
Лабораторная работа №3. Резонансы напряжений и токов в электрических цепях. Вариант №4
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 20 ноября 2014
1. Цель работы
Исследование явления резонанса в последовательном и параллельном контурах, их частотных характеристик, влияния нагрузки на свойства контуров.
2. Подготовка к выполнению работы
При подготовке к работе необходимо изучить явления электрического резонанса в последовательном и параллельном контурах, основные расчетные соотношения, частотные характеристики контуров, влияние нагрузки на свойства контуров (параграфы 4.1, 4.2, 4.3 электронного учебника).
3. Последовательный контур
1. Собра
350 руб.
Теория вероятности. Контрольная работа. Вариант №7
ambagoestoyou
: 18 декабря 2013
Задача №1
Вероятность появления поломок на каждой из соединительных линий равна . Какова вероятность того, что хотя бы две линии исправны?
Дано
p=0.15, k=5
Задача №2
В одной урне K белых шаров и L черных шаров, а в другой – M белых и N черных. Из первой урны случайным образом вынимают P шаров и опускают во вторую урну. После этого из второй урны также случайно вынимают R шаров. Найти вероятность того, что все шары, вынутые из второй урны – белые.
Дано
k=4, l=5, m=5, n=4, p=2, r=4
Задача №3
60 руб.
Микропроцессоры. 3 семестр. Лабораторная №3. Вариант 3.
skaser
: 9 октября 2011
ИЗУЧЕНИЕ АМПЛИТУДО-ЧАСТОТНЫХ И ФАЗО-ЧАСТОТНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ОКМ-4
Цель работы. Изучить амплитудо-частотные (АЧХ) и фазочастотные (ФЧХ) характеристики относительного компенсационного метода четвертого порядка (ОКМ-4).
Краткая теория.
Известно, что существует алгоритм разделения сигналов двух направлений, как относительный компенсационный метод. Метод этот заключается в сопоставлении соседних передаваемых эхо-сигналов на входе приемника. В этой лабораторной работе более подробно изучаются
60 руб.
ГОСТ 10498-82 Трубы бесшовные особотонкостенные из коррозионостойкой стали. Технические условия
Elfa254
: 1 июля 2013
Настоящий стандарт распространяется на холодно- и теплодеформированные трубы. предназначенные для трубопроводов и конструкций разного назначения.
10 руб.