Лабораторная работа 6.8 по дисциплине: «Физика» «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». Вариант №12=2

Цена:
350 руб.

Состав работы

material.view.file_icon B60AF60F-BF12-4C67-92C4-EB9205BF0107.zip [182 KB]
material.view.file_icon ЛР №68.doc [289 KB]
material.view.file_icon Отчёт мой.bmp [2 MB]
material.view.file_icon Росоловский ПБЗ-22 лр3 - зачтено.doc [301 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word
  • Программа для просмотра изображений

Описание

1. Цель работы

Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны

2. Краткие теоретические сведения
3. Экспериментальные результаты
4. Вывод
5. Контрольные вопросы:
1) Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2) Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lnσ от 1/Т?
3) Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.

Дополнительная информация

Оценена Ваша работа по предмету: Физика (3 сем.)
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 06.02.2013
Рецензия:Уважаемый ..., Ваша лабораторная работа ? 3 проверена. Экспериментальный результат правильный.

Работа зачтена.

Стрельцов Александр Иванович

Похожие материалы

Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Вариант 09 Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
Физика Работа
User Саша78 : 9 апреля 2020
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
******* Не известно Физика Работа Лабораторная
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников» 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
СибГУТИ Физика Работа Лабораторная
User chita261 : 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Теоретические сведения и ход работы: В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно, |q+| = |q-| = e и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n Тогда (2)
СибГУТИ Работа Лабораторная Физика. Физика математическая
User Murlishka : 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
СибГУТИ Физика и энергетика Работа Лабораторная
User AndrewZ54 : 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны 2. Теоретическое введение Электропроводность материалов определяется выражением: где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
СибГУТИ Работа Лабораторная Физика. Физика математическая
User qawsedrftgyhujik : 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны ВЫВОД В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( ) Контрольные вопросы 1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
СибГУТИ Физика. Физика математическая Работа Контрольная
User DenKnyaz : 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
СибГУТИ Работа Лабораторная Физика. Физика математическая
User vereney : 25 ноября 2010
30 руб.

Другие работы

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №5,8,9 по дисциплине: «Электропитание устройств и систем телекоммуникаций»
Тема: «Установка электропитания MPSU – 4000» Тема: «Система бесперебойного электропитания СБЭП-48/160» Тема: «ИБП переменного тока HFR Top Line-930»
ДО СИБГУТИ Электропитание устройств и сетей телекоммуникаций Работа Лабораторная
User Jerryamantipe03 : 23 июня 2021
100 руб.
Программирование. Контрольная работа №1, Семестр №1 , Вариант 0 (СибГУТИ) паскаль
Вариант 0 Сформировать двумерный массив A размером N x 2 (N - количество строк, равное предпоследней цифре пароля + 2; 2 – количество столбцов) с помощью генератора случайных чисел и вывести элементы массива на экран и в файл. Найти наибольший элемент каждой строки матрицы А (оформить нахождение максимального элемента в виде функции). Из этих максимальных элементов составить одномерный массив F. Вывести элементы массива F на экран и в файл.
СибГУТИ Программирование Работа Контрольная
User Suvorova : 10 мая 2014
200 руб.
Лабораторная работа №3. Исследование освещенности на рабочих местах
Задание: 1. Определить нормативное значение освещенности на рабочем месте, для разных объектов зрительной работы не менее двух (по заданию преподавателя или по выбору самого студента). Результаты нормативных значений занести в таблицу 1 2. Положить фотоэлемент люксметра на рабочую поверхность рядом с экспонатами и добиться нормированной величины освещенности сначала в системе комбинированного, затем в системе общего освещения включением соответствующего числа ламп на пульте коммутации (напряжен
Менеджмент СибГУТИ Работа Лабораторная
User ДО Сибгути : 28 декабря 2015
100 руб.
Нефтегазоносность карбонатных пород
ГЛАВА I. Происхождение и изменения карбонатных пород СЕДИМЕНТОГЕНЕЗ. Карбонатными породами, как известно, нередко сложены значитель-ные по мощности толщи. Принято считать, что исходным материалом для образования карбонатных пород служили растворенные в водах соли каль-ция и магния. При избыточном количестве последних в водной среде они начинают выделяться в осадок чисто химическим путем, либо при погло-щении из водной среды живыми организмами эти соли попадают в осадок в виде карбонатных скеле
Рефераты Геология нефти и газа
User DocentMark : 27 октября 2012
4 руб.
up Наверх