Лабораторная работа 6.8 по физике «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». Вариант №8
-
Категории:
СибГУТИ, Физика , Работа Лабораторная
-
Добавлен:
09.02.2014
-
Размер:
40 KB
-
Покупок:
6
-
Добавил:
faraon666
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
лабораторная работа по физике №4.docx
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Дополнительная информация
2012
Похожие материалы
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
gerold66
: 22 октября 2009
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
gerold66
: 22 октября 2009
49 руб.
Другие работы
Термодинамика и теплопередача ИРНИТУ 2019 Задача 2 Вариант 21
Z24
: 10 апреля 2026
Газ — воздух с начальной температурой t1 = 27°С сжимается в одноступенчатом поршневом компрессоре от давления р1 = 0,1 МПа до давления р2. Сжатие может происходить по изотерме, по адиабате и по политропе с показателем политропы n. Определить для каждого из трех процессов сжатия конечную температуру газа t2; отведенную от газа теплоту Q, кВт и теоретическую мощность компрессора, если его производительность G. Дать сводную таблицу результатов расчетов и изображение процессов сжатия в рυ- и Ts — д
Z24
: 10 апреля 2026
300 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Программная инженерия (часть 2). По теме: Автобаза: автомашины, водители, рейсы, журнал выезда машин на рейсы
IT-STUDHELP
: 7 января 2021
Работа выполнена в соответствии с темой:
"Автобаза: автомашины, водители, рейсы, журнал выезда машин на рейсы"
ВВЕДЕНИЕ
Данный практикум рассматривает подходы к организации командной разработки программных приложений информационных систем. Основное внимание уделяется методологии и решениям Microsoft в части управления жизненным циклом программных приложений: Visual Studio, Team Foundation Server.
Для выполнения контрольной работы необходимо ознакомиться с курсом лекций по данной дисциплине, в
IT-STUDHELP
: 7 января 2021
1500 руб.
Гидравлика и нефтегазовая гидромеханика ТОГУ Задача 31 Вариант 6
Z24
: 28 ноября 2025
Из отверстия d в тонкой стенке резервуара (рис.27) вытекает вода, имеющая температуру t, ºC. Отверстие расположено на высоте h над поверхностью земли. Постоянный напор воды в резервуаре H. Определить расход и скорость истечения, а также расстояние x, на котором струя коснется поверхности земли.
Z24
: 28 ноября 2025
150 руб.
Тележка мостового крана (Задание 2 вариант 6)
proekt-sto
: 18 июля 2017
Задание 2 (Вариант 6)
Спроектировать тележку электрического мостового крана по схеме. Вес поднимаемого груза F, скорость подъёма груза, скорость передвижения тележки , высота подъёма груза Н и режим работы ПВ приведены в таблице.
Исходные данные
F = 40кН,
v1 = 14 м/мин,
Н = 16 м,
v2 = 45 м/мин.
Режим работы - средний.
proekt-sto
: 18 июля 2017
200 руб.
