Лабораторная работа 6.8 по физике «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». Вариант №8
-
Категории:
СибГУТИ, Физика , Работа Лабораторная
-
Добавлен:
09.02.2014
-
Размер:
40 KB
-
Покупок:
6
-
Добавил:
faraon666
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
лабораторная работа по физике №4.docx
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Дополнительная информация
2012
Похожие материалы
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
gerold66
: 22 октября 2009
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
gerold66
: 22 октября 2009
49 руб.
Другие работы
Схема растяжки буровой установки 3Д-76, Схема крепления вышки оттяжками-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 10 июня 2016
Схема растяжки буровой установки 3Д-76, Схема крепления вышки оттяжками-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 10 июня 2016
297 руб.
Формы стоимостных отношений, не относящихся к денежным
Slolka
: 25 октября 2013
Здесь мы рассмотрим формы стоимостных отношений не относящиеся к денежным или форме ценных бумаг. Речь пойдет о факторинге, трасте, лизинге, клиринге, бартере, операциях с драгоценными металлами и драгоценными камнями, франчайзинге. Первостепенное значение имеет привлечение стоимости в систему финансовых ресурсов - будь то от продажи задолженности, ее клиринге, либо в случае "авансового" поступления при лизинге, франчайзинге и т.д. Диапазон привлекаемой стоимости (и многообразие ее форм) широк:
Slolka
: 25 октября 2013
10 руб.
Механика жидкости и газа СПбГАСУ 2014 Задача 8 Вариант 12
Z24
: 1 января 2026
Из бачка I вода подается при постоянном уровне через цилиндрический насадок диаметром d1 = (0,3 + 0,02·y) м в емкость, разделенную на два отсека: II и III. В перегородке есть прямоугольное отверстие размерами a = (0,4 + 0,02·y) м, b = (0,2 + 0,01·z) м. Полный напор над центром тяжести наружного отверстия диаметром d2 = (0,4 + 0,01·z) м H = (4,0 + 0,1·y) м.
Определить расход Q и высоты уровней воды в отсеках II и III, т. е. h1, h2, h3 (рис. 8).
Z24
: 1 января 2026
220 руб.
Системы документальной электросвязи. Лабораторная работа 1, 2, 3
rmn77
: 11 февраля 2020
Системы документальной электросвязи. Лабораторная работа 1, 2, 3
Лабораторная работа 1: RSA -- криптографический алгоритм с открытым ключом
Лабораторная работа 2: Frame relay -протокол информационного обмена
Лабораторная работа 3: Телематические службы
rmn77
: 11 февраля 2020
90 руб.
