Расчет схемной модели кремниевого дрейфового транзистора

СОДЕРЖАНИЕ
Введение
1. Анализ технического задания
2. Расчетная часть
2.1. Расчет дрейфового поля транзистора
2.2. Расчет
2.3. Расчет сопротивлений транзистора
2.4. Расчет зарядных емкостей транзистора
2.5. Расчет максимальной частоты
2.6. Расчет Y-параметров для схемы с ОЭ
3. Эквивалентные П-образные схемы
3.1. Эквивалентная П-образная схема на НЧ для включения с ОЭ
3.2. Эквивалентная П-образная схема на ВЧ для включения с ОЭ
4. Зависимость максимальной частоты от напряжения коллектор-эмиттер
5. Конструкторско-технологическая часть
5.1. Структура транзистора
5.2. Описание технологии получения дрейфового транзистора
Заключение
Перечень ссылок

ВВЕДЕНИЕ
Инженер по эксплуатации радиоэлектронных систем должен знать принципы их работы, применения и повседневного обслуживания. Успешное выполнение этих задач невозможно без знания элементной базы этих систем и, в первую очередь, наиболее сложной и ответственной части элементной базы - транзисторов и интегральных микросхем.
Широкое применение получили дрейфовые транзисторы, основной особенностью которых является неравномерное распределение примесей в базе. Такое распределение примесей в базовом слое транзистора приводит к образованию электрического поля, увеличивающего скорость движения носителей. При этом перенос носителей осуществляется не только за счет диффузии, но также и за счет дрейфа носителей в электрическом поле.
Дрейфовые транзисторы имеют более высокие предельные частоты, в них легче получить одновременно малые высокочастотные сопротивления базы, малые ёмкости коллекторного перехода и высокие пробивные напряжения коллектора. При изготовлении дрейфовых транзисторов для образования p-n переходов используется технология диффузии примесей. Поэтому дрейфовые транзисторы часто называют диффузионными (по методу образования p-n переходов).
Дрейфовые транзисторы были предложены в 1953 году, а особенно широко применяются с 1956 года. В настоящее время разработан ряд технологических методов их изготовления, и эти транзисторы выпускаются с хорошими частотными свойствами и значительными рассеваемыми мощностями.
Предельные частоты высокочастотных дрейфовых транзисторов примерно в 10 раз превосходят предельные частоты транзисторов с однородным распределением примесей в базовой области. Кроме того, рассеиваемая мощность высокочастотных дрейфовых транзисторов при больших предельных частотах может во много раз превосходить мощность бездрейфовых транзисторов.
Физические процессы в дрейфовом транзисторе значительно отличаются от процессов в обычном (бездрейфовом) плоскостном транзисторе.