Лабораторная работа №6.8 по физике(спецглавы) Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников.
-
Категории:
******* Не известно, Физика , Работа Лабораторная
-
Добавлен:
25.03.2014
-
Размер:
71 KB
-
Покупок:
4
-
Добавил:
Zenkoff
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Л.р. 6.8 физика.docx
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Краткие теоретические сведения
Электропроводностью материалов называется величина, обратная удельному сопротивлению. Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда,
n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда,
µ+ и µ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
Собственная электропроводность полупроводника из формулы (1) равна:
так как полупроводник собственный
|q+| = |q-| = e
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Краткие теоретические сведения
Электропроводностью материалов называется величина, обратная удельному сопротивлению. Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда,
n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда,
µ+ и µ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
Собственная электропроводность полупроводника из формулы (1) равна:
так как полупроводник собственный
|q+| = |q-| = e
Дополнительная информация
2014, Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики. Грищенко И.В., зачтено
Похожие материалы
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
gerold66
: 22 октября 2009
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
gerold66
: 22 октября 2009
49 руб.
Другие работы
Проектирование АТП
SnoopDog
: 20 июня 2009
С момента изобретения первого автомобиля и до настоящего времени происходит стремительное качественное и количественное развитие автомобильного транспорта. Быстрые темпы роста парка автомобилей во всем мире являются причиной комплекса проблем, связанных с автомобильным транспортом.
Одними из наиболее актуальных проблем являются загрязнение автомобильным транспортом окружающей среды и потребление энергоресурсов.
В дипломном проекте представлен проект станции технического обслуживания с разрабо
SnoopDog
: 20 июня 2009
Введение в юридическую профессию Темы 1-5 Синергия, МосАП, МТИ
IrinaB
: 14 июня 2024
Ответы на 129 вопросов Промежуточных тестов (с 1 по 5) + Итогового теста.
Результат: 98-100 баллов
IrinaB
: 14 июня 2024
300 руб.
Инновационные процессы промышленности в Нижегородской области
Slolka
: 9 апреля 2014
СОДЕРЖАНИЕ
Введение……………………………………………………………………………......3
1. Центральные области производства……………………………………………….4
2. Трудовой потенциал…………………………………………………………………5
3. Стратегические направления………………………………………………………..7
4. Факторы, определяющие эффективность системы управления инновационными
процессами…………………………………………………………...…………….11
5. Влияние законодательного собрания на инновационную деятельность…….…14
6. Ключевые точки развития высоких технологий…………………………………18
Заключение…………………………………………………………………
Slolka
: 9 апреля 2014
5 руб.
Кинематическая схема токарного станка с ЧПУ 6K20Ф3
grom555
: 6 мая 2021
1 чертёж,формат А1, Сборочный чертеж, выполнен в компасе 16-ой версии на формате А1. На листе изображёна схема станка, указаны технические требования, основная надпись не заполнена, файл имеет расширение cdw. , упакован в RAR. чертёж выполнен в соответствии с ЕСКД. Может быть использован для Курсовых и Дипломных проектов по машиностроительным дисциплинам
grom555
: 6 мая 2021
200 руб.
