Лабораторная работа №6.8 по физике(спецглавы) Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников.
-
Категории:
******* Не известно, Физика , Работа Лабораторная
-
Добавлен:
25.03.2014
-
Размер:
71 KB
-
Покупок:
4
-
Добавил:
Zenkoff
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Л.р. 6.8 физика.docx
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Краткие теоретические сведения
Электропроводностью материалов называется величина, обратная удельному сопротивлению. Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда,
n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда,
µ+ и µ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
Собственная электропроводность полупроводника из формулы (1) равна:
так как полупроводник собственный
|q+| = |q-| = e
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Краткие теоретические сведения
Электропроводностью материалов называется величина, обратная удельному сопротивлению. Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда,
n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда,
µ+ и µ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
Собственная электропроводность полупроводника из формулы (1) равна:
так как полупроводник собственный
|q+| = |q-| = e
Дополнительная информация
2014, Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики. Грищенко И.В., зачтено
Похожие материалы
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
gerold66
: 22 октября 2009
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
gerold66
: 22 октября 2009
49 руб.
Другие работы
Зачетная работа по дисциплине Теория электрических цепей (часть 1). Билет №12
Alexbur1971
: 10 мая 2019
Билет № 12 по курсу ТЭЦ
1. Полиномиальная (степенная) аппроксимация ВАХ нелинейного элемента. Расчет спектрального состава реакции нелинейной цепи на гармоническое воздействие.
2. Задача
Дано:
E=40 В, R=20 Ом,
L=10 мГн, C=25 мкФ.
Проанализировать и качественно построить график.
3. Задача
Дано: схема и график входного напряжения
R=100 Ом, C=125 мкФ.
U=25 В, t1=20 мс,
t2=40 мс.
Найти переходную характеристику. Записать в общем виде.
Alexbur1971
: 10 мая 2019
300 руб.
Гидростатика и гидродинамика ТИУ Задача 1.4 Вариант 9
Z24
: 31 декабря 2026
Капельная жидкость плотностью ρ = 850 кг/м³ находится в трубопроводе с внутренним диаметром d, м, который должен не разрушаясь выдерживать манометрическое давление p атмосфер. Рассчитать минимальную толщину стенки трубопровода, принимая допустимое растягивающее напряжение в материале трубы σ = 85 МПа.
Z24
: 31 декабря 2026
150 руб.
Задачник по процессам тепломассообмена Задача 1.16
Z24
: 23 октября 2025
Слой изоляции толщиной 0,09 м имеет на поверхностях температуры 570 и 30 ºС. Найти плотность теплового потока через этот слой, если его теплопроводность, Вт/(м·К), λt=0,12(1+0,00123t). Найти температуры в слое через 30 мм по его толщине для двух случаев: а) λt=f(t); б) λ=const, определен по средней температуре слоя. Построить графики распределения температур в слое.
Ответ: q=986 Вт/м², а) при λt=f(t) tх=30мм=416 ºС, tх=60мм=240 ºС; б) при λ=const tх=30мм=390 ºС, tх=60мм=210 ºС.
Z24
: 23 октября 2025
200 руб.
Экзамен "Организация, нормирование и оплата труда". Вариант №7
ДО Сибгути
: 2 февраля 2016
Вариант № 7.
1. Методы нормирования труда. Понятие и классификация.
2. Перечислить нормы, применяемые для нормирования труда работников связи.
3. Принципы совмещения трудовых функций.
4. Понятие нормы и нормативов времени.
Задача № 1.
Определить норму обслуживания за смену (480 минут) для дежурного элек-тромеханика по следующим данным:
Электромеханик 20 раз за смену контролирует работу передатчиков и 10 раз на-страивает передатчик на новую частоту.
Оперативное время на одну операцию контр
ДО Сибгути
: 2 февраля 2016
80 руб.
