Лабораторная работа №6.8 по физике(спецглавы) Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников.
-
Категории:
******* Не известно, Физика , Работа Лабораторная
-
Добавлен:
25.03.2014
-
Размер:
71 KB
-
Покупок:
4
-
Добавил:
Zenkoff
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Л.р. 6.8 физика.docx
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Краткие теоретические сведения
Электропроводностью материалов называется величина, обратная удельному сопротивлению. Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда,
n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда,
µ+ и µ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
Собственная электропроводность полупроводника из формулы (1) равна:
так как полупроводник собственный
|q+| = |q-| = e
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Краткие теоретические сведения
Электропроводностью материалов называется величина, обратная удельному сопротивлению. Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда,
n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда,
µ+ и µ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
Собственная электропроводность полупроводника из формулы (1) равна:
так как полупроводник собственный
|q+| = |q-| = e
Дополнительная информация
2014, Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики. Грищенко И.В., зачтено
Похожие материалы
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
gerold66
: 22 октября 2009
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
gerold66
: 22 октября 2009
49 руб.
Другие работы
Теоретичні й прикладні аспекти реструктуризації бізнесу
Slolka
: 23 октября 2013
У сучасному бізнесовому середовищі все більшу роль відіграють такі властивості підприємств, як інноваційний потенціал, здатність породжувати більш ефективні стратегії та забезпечувати свій постійний розвиток, оновлюючи структуру й ключові виробничі процеси. Наслідком цього є об’єктивна необхідність проведення реструктуризації, удосконалення існуючих та застосування принципово нових підходів до управління, методів планування й реалізації стратегії та тактики виробничо-господарської діяльності на
Slolka
: 23 октября 2013
10 руб.
Ефективність залучення іноземних інвестицій в економіку України
GnobYTEL
: 11 сентября 2012
Економічний зміст, мета та завдання інвестиційної діяльності
Сутність та характеристика процесу іноземного інвестування
Вплив інвестиційної діяльності на економіку України.
Сучасний стан інвестиційної діяльності в Україні
Аналіз структури іноземних інвестицій в Україну в 2009 – 2011 роках
Перешкоди зростання ефективності залучення іноземних інвестицій
Шляхи подоланння проблем залучення іноземних інвестицій та перспективи розвитку
Основні напрями покращення інвестиційного клімату в Україні
Ін
GnobYTEL
: 11 сентября 2012
20 руб.
Университет «Синергия» Финансовая логистика.фмен_БАК (Итоговый тест)
Synergy2098
: 7 апреля 2025
Университет «Синергия» Финансовая логистика.фмен_БАК (Итоговый тест)
Московский финансово-промышленный университет «Синергия» Тест оценка ОТЛИЧНО
2025 год
Ответы на 23 вопроса
Результат – 100 баллов
С вопросами вы можете ознакомиться до покупки
ВОПРОСЫ:
Подробная информация
Учебные материалы
Финансовая логистика.фмен_БАК
1 Учебные материалы
1. В чем состоит взаимосвязь между финансовой политикой, планированием и ростом фирмы?
2. Какие аспекты обычно включает финансовый анализ и планирован
Synergy2098
: 7 апреля 2025
198 руб.
Лабораторные работы №2 и 3 по дисциплине "Мультисервисные сети связи". Вариант №03.
максим410
: 18 марта 2023
Методические указания по выполнению ЛР-2
Лабораторная работа № 2 – Настройка VLAN в Cisco Packet Tracer (CPT)
Цель работы:
Приобретение навыков в настройке VLAN.
Рекомендуемая литература:
1. Лекции по темам 4 и 8.
2. Данные указания к ЛР-2.
3. Видеоматериалы по работе в СРТ.
Для выполнения этой и следующей работы (ЛР-2 и ЛР-3) Вам необходимо зарегистрироваться на сайте https://www.netacad.com/web/ru/ (регистрация свободная), скачать из раздела /ресурсы – дистрибутив Cisco Packet Tracer (CPT)
максим410
: 18 марта 2023
400 руб.
