Лабораторная работа №6.8 по физике(спецглавы) Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников.
-
Категории:
******* Не известно, Физика , Работа Лабораторная
-
Добавлен:
25.03.2014
-
Размер:
71 KB
-
Покупок:
4
-
Добавил:
Zenkoff
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Л.р. 6.8 физика.docx
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Краткие теоретические сведения
Электропроводностью материалов называется величина, обратная удельному сопротивлению. Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда,
n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда,
µ+ и µ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
Собственная электропроводность полупроводника из формулы (1) равна:
так как полупроводник собственный
|q+| = |q-| = e
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Краткие теоретические сведения
Электропроводностью материалов называется величина, обратная удельному сопротивлению. Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда,
n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда,
µ+ и µ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
Собственная электропроводность полупроводника из формулы (1) равна:
так как полупроводник собственный
|q+| = |q-| = e
Дополнительная информация
2014, Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики. Грищенко И.В., зачтено
Похожие материалы
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
gerold66
: 22 октября 2009
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
gerold66
: 22 октября 2009
49 руб.
Другие работы
Зачетная работа по дисциплине: Цифровая обработка сигналов. Билет №10
Учеба "Под ключ"
: 6 сентября 2017
Билет №10
1. Этапы расчета ЦФ по аналоговому прототипу.
2. Расчет шумов работы ЦФ.
3. Задача.
Дана
H(Z)=(1+0,7*Z^(-1)+0,8*Z^(-2))/(1-0,6**Z^(-1)+0,9*Z^(-2))
Запрограммировать 1813ВЕ1.
Список использованных источников
Учеба "Под ключ"
: 6 сентября 2017
600 руб.
Налоговые службы - взаимодействие в интересах развития экономик государств
Slolka
: 26 октября 2013
Развитие экономического сотрудничества, основанного на свободном перемещении товаров, услуг, капиталов и рабочей силы в рамках Таможенного союза и Единого экономического пространства, невозможно без проведения согласованной налоговой политики.
Основные принципы взаимодействия налоговых служб государств, подписавших 29 марта 1996 года Договор об углублении интеграции в экономической и гуманитарной областях, были одобрены решением Совета глав правительств 22 января 1998 года. Они предусматривали ш
Slolka
: 26 октября 2013
10 руб.
Цикл работы четырехтактного бензинового двигателя
Aronitue9
: 5 января 2012
Цикл работы четырехтактного бензинового двигателя по мере происходящих в нем процессов, расчет параметров цикла и построение индикаторной диаграммы.
Расчет и построение внешней характеристики двигателя.
Проектирование кривошипно-шатунного механизма.
Aronitue9
: 5 января 2012
20 руб.
Понятие и основные характеристики экономически активного и неактивного населения
Elfa254
: 5 ноября 2013
Введение
Глава 1. Экономически активное и неактивное население: понятия и методы расчета.
Понятия категорий ЭАН и ЭНАН, общая экономическая характеристика.
Использование категорий ЭАН и ЭНАН в статистике рынка труда и оценке занятости населения.
Глава 2. Тенденции и динамика развития ЭАН и ЭНАН в России.
Оценка динамики экономической активности и неактивности за период 1992-2005 гг.
Экономическая активность в России на современном этапе.
Глава 3. Социальная защита и стимулирование экон
Elfa254
: 5 ноября 2013
10 руб.
