Лабораторная работа №6.8 по физике(спецглавы) Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников.
-
Категории:
******* Не известно, Физика , Работа Лабораторная
-
Добавлен:
25.03.2014
-
Размер:
71 KB
-
Покупок:
4
-
Добавил:
Zenkoff
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Л.р. 6.8 физика.docx
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Краткие теоретические сведения
Электропроводностью материалов называется величина, обратная удельному сопротивлению. Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда,
n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда,
µ+ и µ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
Собственная электропроводность полупроводника из формулы (1) равна:
так как полупроводник собственный
|q+| = |q-| = e
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Краткие теоретические сведения
Электропроводностью материалов называется величина, обратная удельному сопротивлению. Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда,
n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда,
µ+ и µ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
Собственная электропроводность полупроводника из формулы (1) равна:
так как полупроводник собственный
|q+| = |q-| = e
Дополнительная информация
2014, Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики. Грищенко И.В., зачтено
Похожие материалы
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
gerold66
: 22 октября 2009
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
gerold66
: 22 октября 2009
49 руб.
Другие работы
Термодинамика Новый Уренгой Задача 2 Вариант 5
Z24
: 3 марта 2026
Газ азот массой m, кг изотермически расширяется при температуре t, ºC c увеличением объема в n раз.
Начальное давление газа p1. Определить конечное давление, начальный и конечный объемы, работу, теплоту и изменение внутренней энергии в процессе.
Z24
: 3 марта 2026
150 руб.
Лабораторная работа №4 (LR3_5) по дисциплине: Метрология, стандартизация, сертификация Тема: «Измерение параметров сигналов электронно-лучевым осциллографом». Вариант 04
Учеба "Под ключ"
: 18 марта 2017
Лабораторная работа № 3.5
По дисциплине: «Метрология, стандартизация, сертификация»
Тема: «Измерение параметров сигналов электронно-лучевым осциллографом»
Исходные данные:
Таблица 2. Частота выходного сигнала калибратора
Последняя цифра пароля: 4
f=100 кГц
Таблица 3. Значение коэффициента вертикального отклонения
Предпоследняя цифра пароля: 0
Коэфф. отклонения: 0,1 В/дел
Таблица 7. Частота выходного сигнала калибратора
Последняя цифра пароля: 4
f=2 кГц
Таблица 8. Фазовый сдвиг сигналов на выходе
Учеба "Под ключ"
: 18 марта 2017
450 руб.
Отчёт по летней геодезической практике за 1-й курс
DocentMark
: 21 октября 2012
Содержание:
1. Общие сведения …………………………………………….
2. Краткая физико–географическая характеристика района работ………………………………………………………….
3. Опорные геодезические сети……………………………….
4. Съёмочное обоснование…………………………………….
5. Топографические съёмки……………………………………
6. Линейное трассирование……………………………………
7. Нивелирование площадей…………………………………..
8. Инженерно–геодезические и специальные задачи………..
9. Технический контроль и приёмка рабо
DocentMark
: 21 октября 2012
20 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Основы информационной безопасности. Вариант 23
Учеба "Под ключ"
: 23 июля 2026
Тема: «Анализ протоколов аутентификации»
Содержание
Введение 3
1. Основы информационной безопасности 5
1.1 Понятие информационной безопасности 5
1.2 CIA-триада как основа информационной безопасности 6
1.3 Угрозы и виды атак на информационные системы 8
1.4 Роль аутентификации в обеспечении информационной безопасности 9
2. Понятие и виды аутентификации 11
2.1 Понятие аутентификации и её отличие от авторизации 11
2.2 Факторы аутентификации 12
2.3 Виды аутентификации 14
3. Классифика
Учеба "Под ключ"
: 23 июля 2026
600 руб.
