Контрольная работа по дисциплине:Устройства оптоэлектроники. Семестр 4-й. Вариант № 9
-
Категории:
СибГУТИ, Устройство оптоэлектроники, Работа Контрольная
-
Добавлен:
28.04.2014
-
Размер:
170 KB
-
Покупок:
7
-
Добавил:
nik12
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
КР Устройства оптоэлектроники.doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемников
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.3.1).
Задача No 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр. Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемников
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.3.1).
Задача No 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр. Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения, Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники Вид работы: Контрольная работа 1 Оценка:Зачет Дата оценки: 28.04.2014 Рецензия:Уважаемый,Вы неверно определили силу света в задаче 4
Игнатов Александр Николаевич
Игнатов Александр Николаевич
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант №9
Rufus
: 26 мая 2016
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
9 Фоторезистор
+еще 3 задачи.
Rufus
: 26 мая 2016
200 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройство оптоэлектроники. Вариант № 9
alexkrt
: 9 ноября 2012
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемников
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффектив-ность, Ширина запрещен-
alexkrt
: 9 ноября 2012
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
karimoverkin
: 11 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод с гетероструктурой
Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
karimoverkin
: 11 июня 2017
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
0 Фотодиод на основе р-n перехода
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника.
Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Исходные данные
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
nvm1604
: 27 января 2016
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
9 Фоторезистор
Решение:
Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра.
В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
nvm1604
: 27 января 2016
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4.
Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
ART1800
: 8 мая 2013
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Заданный тип - Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
ART1800
: 8 мая 2013
150 руб.
Устройства оптоэлектроники. Вариант №9
ilgam013
: 21 мая 2014
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. ............
ilgam013
: 21 мая 2014
180 руб.
Другие работы
Автоматизация отдела кадров в среде СУБД Visual FoxPro 8.0
evelin
: 11 апреля 2015
Содержание:
Введение
Системный анализ и анализ требований к базе данных
Входная и выходная информация
Концептуальная (инфологическая) модель предметной области
ERD – диаграмма
Физическая модель проектируемой базы данных
Трансформационная модель
Модель СУБД
Создание форм, запросов и отчетов в среде СУБД Visual FoxPro 8.0
Заключение
Список литературы
Приложения.
Приложена база данных в формате Visual FoxPro.
evelin
: 11 апреля 2015
30 руб.
Оценка и эффективность использования основных фондов МСП-112
Elfa254
: 2 ноября 2013
ВВЕДЕНИЕ 6
1. Основные фонды 8
1.1. Понятие, классификация и структура основных фондов 8
1.1.1. Понятие основных фондов 8
1.1.2.Классификация и отраслевая структура основных фондов 8
1.1.3.Классификация основных фондов по видам 11
1.1.4. Производственная, технологическая и возрастная структуры основных фондов 14
1.2. Оценка и движение основных фондов 17
1.2.1. Оценка основных фондов 17
1.2.2. Наличие и движение основных фондов 19
1.3. Износ основных фондов 23
1.3.1. Физический износ о
Elfa254
: 2 ноября 2013
10 руб.
Лабораторная работа по физике ( спецглавы) за 2-й семемстр
xar2dina
: 17 января 2013
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Краткие теоретические сведения:
Электропроводность материалов определяется выражением:
(1)
xar2dina
: 17 января 2013
150 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Беспроводные физические технологии (ФТД 1) Билет: 24
Alexey312451
: 18 марта 2024
1.Назовите основные характеристики антенн.
2.Какие модели распространения сигнала в беспроводной среде были отмечены в материалах курса?
3.Перечислите источники интерференции в беспроводных сетях.
Комментарии: Комментарии:
Оценка: Отлично
Дата оценки: 04.11.2022
Alexey312451
: 18 марта 2024
350 руб.
