Контрольная работа по дисциплине:Устройства оптоэлектроники. Семестр 4-й. Вариант № 9

Цена:
80 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 7B224EA9-0EAD-48B1-94B2-13A1BF28C9B7.rar [170 KB]
material.view.file_icon КР Устройства оптоэлектроники.doc [Office 2010, 11 стр., 420 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.

Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемников

Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.3.1).

Задача No 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр. Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения, Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники Вид работы: Контрольная работа 1 Оценка:Зачет Дата оценки: 28.04.2014 Рецензия:Уважаемый,Вы неверно определили силу света в задаче 4

Игнатов Александр Николаевич

Похожие материалы

Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант №9
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 9 Фоторезистор +еще 3 задачи.
ДО СИБГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User Rufus : 26 мая 2016
200 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройство оптоэлектроники. Вариант № 9
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2. Таблица 2. Варианты и данные фотоприемников Вариант Тип ПП материала Квантовая эффектив-ность, Ширина запрещен-
Радиоэлектроника СибГУТИ Работа Контрольная
User alexkrt : 9 ноября 2012
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Фотодиод с гетероструктурой Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны. Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User karimoverkin : 11 июня 2017
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 0 Фотодиод на основе р-n перехода Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр. Исходные данные Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
СибГУТИ Электроника Работа Контрольная
User Dctjnkbxyj789 : 11 февраля 2017
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 9 Фоторезистор Решение: Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра. В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User nvm1604 : 27 января 2016
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант 4. Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User lebed-e-va : 28 апреля 2015
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Заданный тип - Лавинный фотодиод Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Задача No3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
СибГУТИ Электроника Работа Контрольная
User ART1800 : 8 мая 2013
150 руб.
Устройства оптоэлектроники. Вариант №9
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. ............
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User ilgam013 : 21 мая 2014
180 руб.

Другие работы

Контрольная работа По дисциплине: «Основы теории цепей». Вариант №05.
Задание 1 1. Рассчитать схему методом наложения. 2. Составить систему уравнений по методу законов Кирхгоффа. 3. Рассчитать схему методом узловых напряжений. 4. Проверить баланс мощности. Таблица 1 – Исходные данные Вариант Е1 Е2 J R1 R2 R3 R4 R5 В мА кОм 5 60 80 8 10 1 2 3 2 Исходная схема цепи: Задание 2 1. Составить систему уравнений по методу законов Кирхгоффа. 2. Рассчитать ток в L1 методом контурных токов. 3. Рассчитать ток в L1 методом эквивалентного генератора. Таблица 2 – Исходн
Основы теории цепей ДО СИБГУТИ Работа Контрольная
User teacher-sib : 9 июня 2022
600 руб.
Контрольная работа По дисциплине: «Основы теории цепей». Вариант №05. promo
Схемотехника телекоммуникационных устройств (часть 1). Лабораторная работа 1. Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе. Вариант 2.
Тема: Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе Цель работы: Исследовать влияние параметров элементов схемы каскада с эмиттерной стабилизацией на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики). Исходные данные Исходные данные для предварительного расчета: транзистор типа KT3102А с параметрами: h21э=185, Сбэ дин=1,8нФ, fh21э=1,5МГц, rбб = 50 Ом; напряжение источника питания Eп=15В, ток покоя транзистора iк0=18,6мА. Вариан
СибГУТИ Схемотехника телекоммуникационных устройств Работа Лабораторная
User mirsan : 16 сентября 2015
100 руб.
Плита. Задание №64. Вариант №6
Плита Задание 64 Вариант 6 Заменить вид спереди разрезом А-А. 3d модель и чертеж (все на скриншотах изображено) выполнены в компасе 3D v13, возможно открыть и выше версиях компаса. Просьба по всем вопросам писать в Л/С. Отвечу и помогу.
Начертательная геометрия и инженерная графика БГПК Практические занятия и отчеты
User coolns : 3 августа 2021
85 руб.
Плита. Задание №64. Вариант №6 promo
Изменение производственной функции в условиях научно-технической революции
СОДЕРЖАНИЕ ВВЕДЕНИЕ 4 1.Понятие научно-технической революции и информации. 7 1.1. СВОЙСТВА ИНФОРМАЦИИ 8 1.1.2. Что такое информация 8 1.2. Понятие информационного взрыва 11 1.3. Понятие информационной революции 12 1.4. Понятие информационной формации 14 2. Понятие производственной функции 18 2.1. МОДИФИКАЦИЯ ПРОИЗВОДСТВЕННОЙ ФУНКЦИИ: ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ПОДХОДЫ. 18 2.2. Производственная функция 25 3. ЭНДОГЕННЫЙ ЭФФЕКТ ИНФОРМАЦИИ 28 ЗАКЛЮЧЕНИЕ 29 СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ 31 ВВЕДЕН
Работа Экономика
User alfFRED : 18 ноября 2013
10 руб.
up Наверх