Электроника. Экзамен. Билет №19
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника, Работа Экзаменационная
-
Добавлен:
19.08.2014
-
Размер:
216 KB
-
Покупок:
2
-
Добавил:
MN
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
D1591711-7377-40A3-B0E6-6F8F6868BC7A.docx
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
1.Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Похожие материалы
Экзамен. Электроника. Билет №19
sxesxe
: 15 января 2017
Вопрос №1
Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов.
Вопрос №2
Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
Вопрос №3
Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите переда
sxesxe
: 15 января 2017
100 руб.
Электроника. Экзамен. 3-й сем, Билет №19
Vasay2010
: 19 марта 2013
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-ти
Vasay2010
: 19 марта 2013
49 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №19
IT-STUDHELP
: 12 ноября 2022
Вопросы:
1.Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходны
IT-STUDHELP
: 12 ноября 2022
200 руб.
Экзаменационный билет № 19 по дисциплине "Электроника"
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 23 января 2014
1.Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характерис
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 23 января 2014
250 руб.
Экзамен. билет №19 Философия
мила57
: 11 февраля 2020
1.Гносеология. Основной вопрос философии. Истина и заблуждение. Абсолютная и относительная истины. Практика как критерий истины.
2. Задача по дисциплине " Философия"
№ билета Раздел (глава) Номер задачи
19 2(1,2) 12
мила57
: 11 февраля 2020
75 руб.
Экзамен по Менеджменту, Билет №19
natbd
: 27 марта 2018
Билет № 19
1.Уровни линейного управления.
Показать их на какой- либо структуре линейного управления и определить их количество.
natbd
: 27 марта 2018
100 руб.
300 руб.
Экзамен. Физика. Билет №19
sxesxe
: 16 октября 2016
1. Электрическое поле, его основные физические свойства. Потенциал электрического поля. Принцип суперпозиции для потенциала поля. Эквипотенциальные линии и их свойства.
2. Закон полного тока. Магнитная индукция поля длинного соленоида (с выводом).
sxesxe
: 16 октября 2016
100 руб.
Другие работы
ИГ.05.13.02 - Корпус. Разрезы простые
Чертежи СибГАУ им. Решетнева
: 26 октября 2021
Все выполнено в программе КОМПАС 3D v16
Вариант 13
ИГ.05.13.02 - Корпус. Разрезы простые
1. По двум видам построить вид слева, фронтальный и профильный разрезы.
2. Нанести размеры.
3. Построить прямоугольную изометрическую проекцию с четвертью выреза.
В состав работы входят 4 файла:
- 3D модель данной детали, расширение файла *.m3d;
- ассоциативный чертеж формата А3 в трёх видах с выполненными фронтальным и профильным разрезами с совмещением половины вида и половины разреза и проставленными р
Чертежи СибГАУ им. Решетнева
: 26 октября 2021
100 руб.
Исследование логических схем на элементах «И-НЕ»
Dctjnkbxyj789
: 16 января 2016
1. Цель работы
Изучить свойства логических элементов «И–НЕ»; приобретение навыков синтеза логических схем.
Dctjnkbxyj789
: 16 января 2016
80 руб.
Научно–технический потенциал России и его современное состояние
alfFRED
: 11 ноября 2013
Введение
В современных условиях результативность науки все в большей степени определяются характеристиками научно-технического потенциала, который включает в себя совокупность кадровых, финансовых, материально-технических, информационных, организационных и иных ресурсов, необходимых для осуществления научной и научно-технической деятельности.
Мировая практика показывает, что наука не может нормально и результативно функционировать без стабильного наращивания научно-технического потенциала, сос
alfFRED
: 11 ноября 2013
10 руб.
НГТУ. Проекционные задачи. Задача 3 - Вариант 19
.Инженер.
: 16 мая 2026
НГТУ. Проекционные задачи. Задача 3 - Вариант 19
По предложенным изображениям построить три вида детали, выполнить необходимые разрезы (ГОСТ 2.305), проставить размеры (ГОСТ 2.307). Выполнить сечение проецирующей плоскостью заданной преподавателем.
Чертеж ассоциативный (привязан к модели), что позволяет автоматически перестраивать фигуру сечения по заданным параметрам.
В состав работы входит:
-3D модель детали;
-Чертеж детали
Выполнено в программе Компас + чертеж в PDF
.Инженер.
: 16 мая 2026
200 руб.
