Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №4
Состав работы
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4.
Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Исходные данные для решения задачи:
Тип ПП материала - Ge
Квантовая эффективность, η - 0,2
Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ - 0,6
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Задача No 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Исходные данные:
Тип светодиода - АЛ102В
Напряжение питания Uпит, В - 5
Номинал ограничительного сопротивления, Ом - 510
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4.
Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Исходные данные для решения задачи:
Тип ПП материала - Ge
Квантовая эффективность, η - 0,2
Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ - 0,6
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Задача No 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Исходные данные:
Тип светодиода - АЛ102В
Напряжение питания Uпит, В - 5
Номинал ограничительного сопротивления, Ом - 510
Похожие материалы
Контрольная работа. Устройства оптоэлектроники. Вариант №4
Philius
: 30 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фоторезистора. Номер варианта для 1 задачи соответствует последней цифре шифра 04.
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приёмника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприёмника и указать на ней . Номер варианта для 6 задачи соответствует предпоследней цифре шифра.
200 руб.
Контрольная работа. Вариант №4. Устройства оптоэлектроники
Leprous
: 8 июля 2015
Задача No1.
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4: Лавинный фотодиод.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Вариант 0:
Тип ПП материала: Ge;
Квантовая эффективность η=0,2;
Ширина запрещенной зоны ΔW=0,6 эВ;
Изобразить принципиальную схему включения семи
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант №4.
freelancer
: 24 апреля 2016
Задача No1.
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4: Лавинный фотодиод.
Задача No2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Вариант 0:
Тип ПП материала: Ge;
Квантовая эффективность η=0,2;
Ширина запрещенной зоны ΔW=0,6 эВ;
Задача No3.
Изобразить принципиальную
70 руб.
Устройство оптоэлектроники Контрольная работа
Галилео
: 15 марта 2018
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника фотодиод с гетероструктурой. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. и т.д.
40 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Сергейds
: 6 февраля 2014
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант №07 – Фототранзистор
Работа фотоприемников основана на использовании внутреннего фотоэффекта в твердых телах.
Поглощаемые полупроводником кванты освобождают носители заряда либо атомов решетки,
либо атомов примеси.
Поскольку для каждого из этих переходов требуется некоторая минимальная энергия, характерная для данного материала, ка
59 руб.
Контрольная работа по устройству оптоэлектроники
Богарт
: 2 июня 2011
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
5 Составной фототранзистор
50 руб.
Экзамен. Устройства оптоэлектроники. Вариант №4
shurik79997
: 1 сентября 2015
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Световые параметры.
Раздел Излучатели.
2.Принцип действия и условия работы лазера.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.ПЗС фотоприемник.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия жидко кристаллического индикатора на основе эффекта динамического рассеяния.
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
karimoverkin
: 11 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод с гетероструктурой
Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
100 руб.
Другие работы
Контрольная работа по дисциплине: Техника мультисервисных сетей. Задание 4 (N=1, M=5, K=7)
SdachaNa5
: 14 июня 2022
Задание 4
Привести схемы подключения абонентов к услугам, предоставляемым по технологии PON. Количество абонентов рассчитать по данным таблицы 4.1 при 100% подключении (из расчета 1 квартира – 1 абонент).
В задании должно быть отражено:
- описание технологии PON (1-2 листа);
- описание передачи информации в восходящем и нисходящем потоке;
- техническое описание характеристики оборудования, применяемого на сети PON (оборудование, применяемое на станционной и абонентской стороне);
- схемы для по
400 руб.
Установление миссии и целей предприятия
alfFRED
: 23 марта 2014
2.1. Миссия предприятия: понятие, установление и управленческая ценность
Процесс создания и реализации стратегии предприятия состоит из пяти взаимосвязанных частей:
Определение вида коммерческой деятельности и формирование стратегических направлений ее развития – т.е. необходимо обозначить цели и долгосрочные перспективы развития.
Превращение общих целей в конкретные направления работы.
Умелая реализация выбранного плана для достижения желаемых показателей.
Эффективная реализация выбранной страт
10 руб.
Население, ремесла и торговля Москвы XVI-го века
Qiwir
: 26 августа 2013
План:
1. Население и ремёсла.
2. Торговля.
1)Население Москвы по-прежнему отличалось разнообразием. Здесь жили ре-месленный и торговый люд, бояре и служилые люди, духовенство всех рангов и чи-нов и дворовые слуги. До тысячи работных людей трудолось на пушечном дворе.Московские пушки славились далеко за пределами столицы. В Москве, недалеко отпушечного двора, располагалась слобода, где жили московские пушечные и колоколь-ные мастера. Эта слобода находилась в районе нынешней улицы Сретенки, кот
10 руб.
Гидравлика и теплотехника ТОГУ Термодинамика Задача 29 Вариант 6
Z24
: 4 марта 2026
Вычислить и показать графически зависимость термического КПД цикла Ренкина паросиловой установки от начальной температуры пара, приняв ее равной 400, 450, 500, 550 и 600 ºС при одинаковых значениях начального абсолютного р1 и конечного р2 = 5 кПа давления. Показать также влияние повышения начальной температуры пара в цикле на изменение степени влажности пара, выходящего из парового двигателя. Решение задачи проиллюстрировать в i-s-диаграмме водяного пара.
200 руб.