Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №4
-
Категории:
СибГУТИ, Устройство оптоэлектроники, Работа Контрольная
-
Добавлен:
19.08.2014
-
Размер:
137 KB
-
Покупок:
14
-
Добавил:
MN
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
84D5DED8-CCEF-45CE-8B4D-B250DBC725C7.docx
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4.
Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Исходные данные для решения задачи:
Тип ПП материала - Ge
Квантовая эффективность, η - 0,2
Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ - 0,6
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Задача No 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Исходные данные:
Тип светодиода - АЛ102В
Напряжение питания Uпит, В - 5
Номинал ограничительного сопротивления, Ом - 510
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4.
Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Исходные данные для решения задачи:
Тип ПП материала - Ge
Квантовая эффективность, η - 0,2
Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ - 0,6
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Задача No 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Исходные данные:
Тип светодиода - АЛ102В
Напряжение питания Uпит, В - 5
Номинал ограничительного сопротивления, Ом - 510
Похожие материалы
Контрольная работа. Устройства оптоэлектроники. Вариант №4
Philius
: 30 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фоторезистора. Номер варианта для 1 задачи соответствует последней цифре шифра 04.
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приёмника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприёмника и указать на ней . Номер варианта для 6 задачи соответствует предпоследней цифре шифра.
Philius
: 30 июня 2017
200 руб.
Контрольная работа. Вариант №4. Устройства оптоэлектроники
Leprous
: 8 июля 2015
Задача No1.
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4: Лавинный фотодиод.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Вариант 0:
Тип ПП материала: Ge;
Квантовая эффективность η=0,2;
Ширина запрещенной зоны ΔW=0,6 эВ;
Изобразить принципиальную схему включения семи
Leprous
: 8 июля 2015
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант №4.
freelancer
: 24 апреля 2016
Задача No1.
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4: Лавинный фотодиод.
Задача No2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Вариант 0:
Тип ПП материала: Ge;
Квантовая эффективность η=0,2;
Ширина запрещенной зоны ΔW=0,6 эВ;
Задача No3.
Изобразить принципиальную
freelancer
: 24 апреля 2016
70 руб.
Устройство оптоэлектроники Контрольная работа
Галилео
: 15 марта 2018
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника фотодиод с гетероструктурой. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. и т.д.
Галилео
: 15 марта 2018
40 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Сергейds
: 6 февраля 2014
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант №07 – Фототранзистор
Работа фотоприемников основана на использовании внутреннего фотоэффекта в твердых телах.
Поглощаемые полупроводником кванты освобождают носители заряда либо атомов решетки,
либо атомов примеси.
Поскольку для каждого из этих переходов требуется некоторая минимальная энергия, характерная для данного материала, ка
Сергейds
: 6 февраля 2014
59 руб.
Контрольная работа по устройству оптоэлектроники
Богарт
: 2 июня 2011
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
5 Составной фототранзистор
Богарт
: 2 июня 2011
199 руб.
Экзамен. Устройства оптоэлектроники. Вариант №4
shurik79997
: 1 сентября 2015
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Световые параметры.
Раздел Излучатели.
2.Принцип действия и условия работы лазера.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.ПЗС фотоприемник.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия жидко кристаллического индикатора на основе эффекта динамического рассеяния.
shurik79997
: 1 сентября 2015
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
karimoverkin
: 11 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод с гетероструктурой
Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
karimoverkin
: 11 июня 2017
100 руб.
Другие работы
РД 153-34.0-02.306-98 Правила организации контроля выбросовв атмосферу на тепловых электростанциях и в котельных
evelin
: 27 июня 2013
Настоящие Правила предусматривают организацию на тепловых электростанциях и в котельных любой мощности электроэнергетической отрасли контроля выбросов загрязняющих веществ в атмосферу.
evelin
: 27 июня 2013
10 руб.
Специальные главы математического анализа. Контрольная работа №2. Вариант №8
Lira1
: 17 марта 2014
1. Вычертить область плоскости по данным условиям:
2. Найти все особые точки функции, определить их характер (для полюсов указать порядок) и вычислить вычеты в них.
3. При помощи вычетов вычислить данный интеграл по контуру.
Lira1
: 17 марта 2014
100 руб.
Электропитание устройств и систем телекоммуникаций. ВАриант 11
89370803526
: 29 июня 2020
ВАРИАНТ 11
1. Паспортные данные трансформатора: напряжение короткого замыкания и сопротивление короткого замыкания приводятся для температуры обмоток (град. Цельсия):
1) 0
2) 25
3) 50
4) 75
5) 100
2. По итогам опыта КЗ найдено Rкз = 10 Ом для трансформатора с отношением витков W1/W2=5. Тогда сопротивления первичной и вторичной обмоток соответственно равны 50 и 10 Ом.
3. В однофазном трансформаторе увеличился зазор в стыке между стержнем и ярмом. При этом:
1) магнитное сопротивление
89370803526
: 29 июня 2020
250 руб.
Теплотехника Часть 1 Термодинамика Задача 22 Вариант 7
Z24
: 11 октября 2025
Какое количество воздуха необходимо пропустить через сушильную камеру, чтобы от материала, помещенного в нее, отвести 1 т воды? Наружный воздух при барометрическом давлении В=745 мм рт. ст., имея температуру t1=10°С и относительную влажность φ1=50%, в калорифере подогревается до температуры t2, а затем воздух поступает в сушильную камеру и выходит из нее при относительной влажности φ2=90%. Решение задачи проиллюстрировать в ld-диаграмме.
Z24
: 11 октября 2025
150 руб.
