Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №4
-
Категории:
СибГУТИ, Устройство оптоэлектроники, Работа Контрольная
-
Добавлен:
19.08.2014
-
Размер:
137 KB
-
Покупок:
14
-
Добавил:
MN
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
84D5DED8-CCEF-45CE-8B4D-B250DBC725C7.docx
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4.
Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Исходные данные для решения задачи:
Тип ПП материала - Ge
Квантовая эффективность, η - 0,2
Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ - 0,6
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Задача No 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Исходные данные:
Тип светодиода - АЛ102В
Напряжение питания Uпит, В - 5
Номинал ограничительного сопротивления, Ом - 510
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4.
Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Исходные данные для решения задачи:
Тип ПП материала - Ge
Квантовая эффективность, η - 0,2
Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ - 0,6
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Задача No 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Исходные данные:
Тип светодиода - АЛ102В
Напряжение питания Uпит, В - 5
Номинал ограничительного сопротивления, Ом - 510
Похожие материалы
Контрольная работа. Устройства оптоэлектроники. Вариант №4
Philius
: 30 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фоторезистора. Номер варианта для 1 задачи соответствует последней цифре шифра 04.
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приёмника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприёмника и указать на ней . Номер варианта для 6 задачи соответствует предпоследней цифре шифра.
Philius
: 30 июня 2017
200 руб.
Контрольная работа. Вариант №4. Устройства оптоэлектроники
Leprous
: 8 июля 2015
Задача No1.
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4: Лавинный фотодиод.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Вариант 0:
Тип ПП материала: Ge;
Квантовая эффективность η=0,2;
Ширина запрещенной зоны ΔW=0,6 эВ;
Изобразить принципиальную схему включения семи
Leprous
: 8 июля 2015
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант №4.
freelancer
: 24 апреля 2016
Задача No1.
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4: Лавинный фотодиод.
Задача No2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Вариант 0:
Тип ПП материала: Ge;
Квантовая эффективность η=0,2;
Ширина запрещенной зоны ΔW=0,6 эВ;
Задача No3.
Изобразить принципиальную
freelancer
: 24 апреля 2016
70 руб.
Устройство оптоэлектроники Контрольная работа
Галилео
: 15 марта 2018
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника фотодиод с гетероструктурой. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. и т.д.
Галилео
: 15 марта 2018
40 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Сергейds
: 6 февраля 2014
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант №07 – Фототранзистор
Работа фотоприемников основана на использовании внутреннего фотоэффекта в твердых телах.
Поглощаемые полупроводником кванты освобождают носители заряда либо атомов решетки,
либо атомов примеси.
Поскольку для каждого из этих переходов требуется некоторая минимальная энергия, характерная для данного материала, ка
Сергейds
: 6 февраля 2014
59 руб.
Контрольная работа по устройству оптоэлектроники
Богарт
: 2 июня 2011
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
5 Составной фототранзистор
Богарт
: 2 июня 2011
50 руб.
Экзамен. Устройства оптоэлектроники. Вариант №4
shurik79997
: 1 сентября 2015
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Световые параметры.
Раздел Излучатели.
2.Принцип действия и условия работы лазера.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.ПЗС фотоприемник.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия жидко кристаллического индикатора на основе эффекта динамического рассеяния.
shurik79997
: 1 сентября 2015
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
karimoverkin
: 11 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод с гетероструктурой
Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
karimoverkin
: 11 июня 2017
100 руб.
Другие работы
Задачи сохранения генофонда планеты
Qiwir
: 17 марта 2013
Введение………………………………………………………………….1
Технологические формы воздействия человека на биосферу…….2
Экологические формы воздействия человека на биосферу………6
Красная книга………………………………………………………….11
Заключение……………………………………………………………..13
Литература……………………………………………………………...15
Введение.
В последние 30 – 40 лет 20 в. внимание общества к проблемам взаимодействия человеческой цивилизации с окружающей средой резко усилилось. Если до 1960 г. слово «экология» знало небольшое количество специалистов-биологов,
Qiwir
: 17 марта 2013
5 руб.
Теория сложности вычислительных процессов и структур. Лабораторные работы №1-5. Вариант 5.
sibguter
: 17 октября 2018
Тема: Сортировка массивов
Тема: Графы. Поиск остова минимального веса.Тема: Графы. Нахождение кратчайшего расстояния между двумя вершинами с помощью алгоритма Форда-Беллмана.
Тема: Нахождение кратчайшего расстояния между двумя вершинами с помощью алгоритма Дейкстры.
Тема: Задачи динамического программирования. Задача грабителя (задача “о рюкзаке”)
sibguter
: 17 октября 2018
109 руб.
Инженерная графика. Контрольная работа. Вариант 4
SibGUTI2
: 4 июля 2019
Инженерная графика. Контрольная работа. Вариант 4
Варианты заданий Листа1
«Схемы алгоритмов и программ»
(задание прикреплено в скриншоте)
Варианты заданий Листа 2 «Диаграммы функциональных зависимостей»
Вариант 4
Построить диаграмму Ik выходной характеристики биполярного транзистора 2Т803А при постоянных значениях тока на базе Iб=50000; 10000 мкА; Iк = f (Uкэ); Iб= const.
Uкэ, В 5 10 15 20 25
Iк, мА Iб=50000 мкА 1041,97 1062,80 1083,63 1104,47 1125,30
Iб=10000 мкА 2239,03
SibGUTI2
: 4 июля 2019
250 руб.
Лабораторные работы 2-3 по дисциплине: Математические основы моделирования сетей связи. Вариант №6
IT-STUDHELP
: 18 мая 2023
Лабораторная работа 2
Тема: Объединение нескольких сетей. Маршрутизация.
Цель работы: Познакомиться с основными принципами маршрутизации. Научиться формировать статические маршруты, прописывать их в таблицы маршрутизации сетевых устройств.
1.1. Объединение подсетей в единую сеть
Задание 1.
Локальная сеть состоит из двух подсетей.
Адрес сети 192.168.78.0/23
Количество LAN подсетей равно 2. Префикс /23 означает, что 23 бит адресуют сеть и остальные 9 – хост. Выделим из пространства сети 192.1
IT-STUDHELP
: 18 мая 2023
700 руб.
