Страницу Назад
Поискать другие аналоги этой работы
85 Физические основы электроники. 4-й вариант. 3-й семестрID: 144710Дата закачки: 03 Сентября 2014 Продавец: kolganov91 (Напишите, если есть вопросы) Посмотреть другие работы этого продавца Тип работы: Работа Контрольная Сдано в учебном заведении: СибГУТИ Описание: Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.1 приложения А. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение Б), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора; в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI, напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~, мощность, рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия η. Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1. Находим h - параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=500 мкА. Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты для различных схем включения транзисторов. Задача 4: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.2 приложения А. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение Б) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе. Размер файла: 8 Мбайт Фаил: (.doc) ------------------- Обратите внимание, что преподаватели часто переставляют варианты и меняют исходные данные! Если вы хотите, чтобы работа точно соответствовала, смотрите исходные данные. Если их нет, обратитесь к продавцу или к нам в тех. поддержку. Имейте ввиду, что согласно гарантии возврата средств, мы не возвращаем деньги если вариант окажется не тот. -------------------
Скачано: 3 Коментариев: 0 |
||||
Есть вопросы? Посмотри часто задаваемые вопросы и ответы на них. Опять не то? Мы можем помочь сделать! Некоторые похожие работы:Лабораторные работы (3шт) по дисциплине: Физические основы электроники. (3-й семестр). Вариант 3Контрольная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант 7. (3-й семестр) Исследование статических характеристик биполярного транзистора Лабораторные работы № 1-3. Физические основы электроники, 3-й семестр Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Физические основы электроники. Контрольная работа. 2 семестр 1 вариант. Физические основы электроники. Контрольная работа. 2 семестр 2 вариант. Ещё искать по базе с такими же ключевыми словами. |
||||
Не можешь найти то что нужно? Мы можем помочь сделать! От 350 руб. за реферат, низкие цены. Спеши, предложение ограничено ! |
Вход в аккаунт:
Страницу Назад
Cодержание / Электроника физическая / Физические основы электроники. 4-й вариант. 3-й семестр
Вход в аккаунт: