Экзаменационная работа по дисциплине: “Электротехника и электроника”. Билет №16
-
Категории:
Электротехника, СибГУТИ, Работа Экзаменационная
-
Добавлен:
06.09.2014
-
Размер:
289 KB
-
Покупок:
11
-
Добавил:
Jack
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
3CEA468C-3E8F-4101-99E9-CF9D8BC702F9.docx
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
1.Параметры полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Дополнительная информация
Оценка - отлично!
Преподаватель: Игнатов А. Н.
Преподаватель: Игнатов А. Н.
Похожие материалы
Экзаменационная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №16
SibGOODy
: 20 июля 2018
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Параметры полевого транзистора.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером.
Приведит
SibGOODy
: 20 июля 2018
350 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Электротехника и электроника. Билет №16
holm4enko87
: 17 января 2025
1. Основные элементы дискретной цепи.
2. Рассчитать i1 до коммутации.
Е=20 В,
R=2 кОм.
holm4enko87
: 17 января 2025
120 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Электротехника и электроника. Билет №16
Учеба "Под ключ"
: 21 сентября 2017
Билет №16
1. Основные элементы дискретной цепи.
2. Рассчитать i1 до коммутации.
Е=20 В,
R=2 кОм.
Схему см. на скрине
Учеба "Под ключ"
: 21 сентября 2017
150 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Электротехника и электроника. Билет №5
holm4enko87
: 4 февраля 2025
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным канало
holm4enko87
: 4 февраля 2025
90 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Электротехника и электроника. Билет №7
Учеба "Под ключ"
: 8 сентября 2017
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2. Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передат
Учеба "Под ключ"
: 8 сентября 2017
350 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Электротехника и электроника. Билет №18
Amor
: 21 октября 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Эквивалентные схемы полевых транзисторов.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим э
Amor
: 21 октября 2016
350 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Электротехника и электроника. Билет №5
Roma967
: 11 октября 2015
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным канал
Roma967
: 11 октября 2015
350 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Электротехника и электроника. Билет №11
Roma967
: 25 сентября 2015
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Устройство сдвига уровней и эмиттерный повторитель.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа.
Roma967
: 25 сентября 2015
350 руб.
Другие работы
Направляющие системы электросвязи. Экзамен. Билет №20
krakadil
: 11 июня 2015
Экзамен. Билет № 20
1. Причины возникновения потерь в оптических соединениях.
2. Структура СКС.
krakadil
: 11 июня 2015
100 руб.
Механика жидкости и газа СПбГАСУ 2014 Задача 11 Вариант 38
Z24
: 2 января 2026
Канал (земляной) трапецеидального сечения имеет коэффициент заложения откосов m = 1,5; уклон дна i = (0,0006 + 0,0001·y); ширину дна русла b = (2,5 + 0,05·z) м и пропускает при глубине h0 = (1,5 + 0,05·y) м расход Q1 = (6,5 + 0,1·z) м³/с.
На сколько метров нужно уширить канал при сохранении заданных m и i, чтобы он пропускал при том же наполнении расход Q2 = (9 + 0,1·z) м³/с (рис. 11)?
Z24
: 2 января 2026
200 руб.
Теоретические основы теплотехники в примерах и задачах ИГЭУ Раздел 1.3 Задача 3
Z24
: 21 октября 2025
Воздух массой 1,5 кг сжимается политропно от р1 = 0,09 МПа и t1 = 18ºС до р2 = 1 МПа. Температура при этом повышается до t2 = 125ºС. Определить показатель политропы, конечный объем, затраченную работу и количество отведенной теплоты. Изобразить процесс в p,v – и T,s – диаграммах.
Z24
: 21 октября 2025
150 руб.
Управление быстроликвидными активами
OstVER
: 21 декабря 2012
Введение
1. Показатели управления быстроликвидными активами
1.1 Цели анализа и круг пользователей
1.2 Ликвидность и финансовый рычаг
1.3 Рентабельность деятельности
Список литературы
Введение
К основным активам относятся те, которые фирма использует больше года. Они включают основной капитал и природные ресурсы. Одной из обязанностей финансистов является выбор варианта использования имеющихся фондов: на приобретение основного капитала или увеличение текущих активов, или сокращение пассива, или
OstVER
: 21 декабря 2012
5 руб.
