Экзаменационная работа по дисциплине: “Электротехника и электроника”. Билет №16
Состав работы
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
1.Параметры полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Дополнительная информация
Оценка - отлично!
Преподаватель: Игнатов А. Н.
Преподаватель: Игнатов А. Н.
Похожие материалы
Экзаменационная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №16
SibGOODy
: 20 июля 2018
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Параметры полевого транзистора.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером.
Приведит
350 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Электротехника и электроника. Билет №16
holm4enko87
: 17 января 2025
1. Основные элементы дискретной цепи.
2. Рассчитать i1 до коммутации.
Е=20 В,
R=2 кОм.
120 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Электротехника и электроника. Билет №16
Учеба "Под ключ"
: 21 сентября 2017
Билет №16
1. Основные элементы дискретной цепи.
2. Рассчитать i1 до коммутации.
Е=20 В,
R=2 кОм.
Схему см. на скрине
150 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Электротехника и электроника. Билет №5
holm4enko87
: 4 февраля 2025
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным канало
90 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Электротехника и электроника. Билет №7
Учеба "Под ключ"
: 8 сентября 2017
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2. Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передат
350 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Электротехника и электроника. Билет №18
Amor
: 21 октября 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Эквивалентные схемы полевых транзисторов.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим э
350 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Электротехника и электроника. Билет №5
Roma967
: 11 октября 2015
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным канал
350 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Электротехника и электроника. Билет №11
Roma967
: 25 сентября 2015
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Устройство сдвига уровней и эмиттерный повторитель.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа.
350 руб.
Другие работы
Гидравлика Москва 1990 Задача 13 Вариант 5
Z24
: 27 декабря 2025
На поршень диаметром D действует сила F (рис.11). Определить скорость движения поршня, если в цилиндре находится воды, диаметр отверстия в поршне d, толщина поршня a. Силой трения поршня о цилиндр пренебречь, давление жидкости на верхнюю плоскость поршня не учитывать.
150 руб.
Особенности страхов детей среднего дошкольного возраста в зависимости от уровня развития воображения
Elfa254
: 16 октября 2013
Содержание
Введение
Глава 1 Теоретические аспекты особенности страхов детей среднего дошкольного возраста в зависимости от уровня развития воображения
1.1 Изучение факторов, обуславливающих развитие детских страхов, в отечественной и зарубежной психологии
1.2 Проблема детских страхов и их возрастная динамика
1.3 Воображение как фактор, обуславливающий развитие детских страхов
Глава 2 Изучение особенности страхов у детей среднего дошкольного возраста в зависимости от уровня развития воображ
Инфляция и антиинфляционная политика в рыночной экономике Казахстана
alfFRED
: 23 февраля 2014
ВВЕДЕНИЕ.................................................................................................................3
ГЛАВА 1. ИНФЛЯЦИЯ: ПОНЯТИЕ, ТИПЫ И ЗАКОНОМЕРНОСТИ
РАЗВИТИЯ.
1.1. Понятие и основные типы инфляции……………………....……………...…..5
1.2. Причины возникновения и характер инфляционных процессов…………….9
1.3. Последствия и методы регулирования инфляции ……………………...…...12
ГЛАВА 2. РОЛЬ ИНФЛЯЦИИ И АНТИИНФЛЯЦИОННАЯ ПОЛИТИКА
В РЫНОЧНОЙ ЭКОНОМИКЕ КАЗАХСТАНА.
2.1. Развитие и роль инфляции в Ре
10 руб.
Тепломассообмен ТГАСУ 2017 Задача 5 Вариант 57
Z24
: 4 февраля 2026
Определение плотности лучистого теплового потока между двумя параллельным плоскими стенками
Определить плотность лучистого теплового потока между двумя, параллельно расположенными, плоскими стенками, имеющими температуры t1, ºС и t2, ºС, а степени черноты поверхностей соответственно равны ε1 и ε2. Как изменится интенсивность теплообмена при наличии между стенками экрана, со степенями черноты с обеих сторон εэк = 0,025. Условия теплообмена считать стационарными. Теплопроводностью и конвектив
250 руб.