Электротехника, электроника и схемотехника (4-й сем.). Контрольная работа №1. вариант №4 (14)
-
Категории:
Информационные технологии и системы, СибГУТИ, Работа Контрольная
-
Добавлен:
21.09.2014
-
Размер:
370 KB
-
Покупок:
12
-
Добавил:
Udacha2013
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Контрольная работа.doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Выбор варианта задания.
Вариант задания для задач 1,2 определяется по двум последним цифрам студенческого пароля, если они до 50. Если две последние цифры больше 50, то вариант задания определяется как две последние цифры минус 50.
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12-19) транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1.
Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.
Таблица 1
Вариант задания для задач 1,2 определяется по двум последним цифрам студенческого пароля, если они до 50. Если две последние цифры больше 50, то вариант задания определяется как две последние цифры минус 50.
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12-19) транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1.
Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.
Таблица 1
Дополнительная информация
Работа зачтена, нет замечаний. 2014
Похожие материалы
Электротехника, электроника и схемотехника (4-й сем.) Контрольная работа №1. Вариант №4
tpogih
: 28 января 2015
Вариант задания для задач 1,2 определяется по двум последним цифрам студенческого пароля, если они до 50. Если две последние цифры больше 50, то вариант задания определяется как две последние цифры минус 50.
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать в
tpogih
: 28 января 2015
50 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (4-й сем.) Контрольная работа. Вариант №4
s1nd
: 10 февраля 2015
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
№ вар Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0,В
04 КП 303Д 10 -8
Задача 2.
Исполь
s1nd
: 10 февраля 2015
250 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (4-й сем.) Экзамен
tpogih
: 28 января 2015
Вопрос 1. Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов.
Вопрос 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
Вопрос 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передат
tpogih
: 28 января 2015
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (3-й сем.) Экзамен. Билет 11
sun525
: 23 июля 2015
1. Амплитудные корректоры. Назначение. Принцип построения схемы.
2. Определить переходную характеристику g(t).
R=1000 Oм,
C=1 мкФ
sun525
: 23 июля 2015
50 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Вариант №8. Контрольная работа №1
Daniil2001
: 8 декабря 2021
Контрольная работа 1 02.12.2021 08.12.2021 Зачет Уважаемый Игнатьев Даниил Андреевич, Борисов Александр Васильевич
Задача 1
Задача посвящена анализу переходного процесса в цепи первого порядка, содержащей резисторы, конденсатор или индуктивность. В момент времени t = 0 происходит переключение ключа К, в результате чего в цепи возникает переходной процесс.
1. Перерисуйте схему цепи (см. рис. 1) для Вашего варианта (таблица 1).
2. Выпишите числовые данные для Вашего варианта (таблица 2).
3. Р
Daniil2001
: 8 декабря 2021
99 руб.
Контрольная работа №1 по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника. Вариант №02
Jack
: 6 сентября 2014
Задание №1
Исходные данные:
КП303А;
U_СИ0=4 В;
U_ЗИ0=-2,5 В;
Задание №2
Исходные данные:
КТ602А;
U_КЭ=15 В;
Задание №3 (см.скрин)
Задача №4
Исходные данные:
R_1=3 кОм;
R_2=33 кОм;
R_3=2,7 кОм;
U_вх=150 мВ;
U_пит=12 В;
Jack
: 6 сентября 2014
350 руб.
Экзамен по электротехнике, электронике и схемотехнике
Alex21589
: 15 апреля 2023
ЭКЗАМЕНАЦИОННАЯ РАБОТА
по дисциплине
«Электротехника, электроника и схемотехника»
Билет №15
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе
Alex21589
: 15 апреля 2023
150 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен
sibguter
: 5 июня 2018
№1 Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.
№2 Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
№3 Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характ
sibguter
: 5 июня 2018
29 руб.
Другие работы
Английский язык. Зачет. 2-й семестр.
Andrey94
: 27 января 2018
COPING WITH PROMOTION ENGINEERS FACE SPECIAL CHALLENGES IN ADAPTING TO A MANAGEMENT ROLE
Being offered a promotion is typically cause for celebration. Apart from higher pay and maybe a better parking spot, it is a recognition of one’s skill and dedication. But a promotion can bring its own headaches—especially for engineers. In addition to universal challenges, such as when you become the boss of friends (or rivals), the very skills that land an engineer the promotion may become a stumbling bloc
Andrey94
: 27 января 2018
100 руб.
Складання технологічної схеми розбирання редуктора з розробкою технологічної карти на відновлення вала
GnobYTEL
: 27 сентября 2014
Вступ. 4
1. Загальна характеристика об’єкта ремонту 5
2. Розробка технологічного процесу розбирання редуктора марки 8
3. Технологічний процес відновлення вала 13
4. Промислова санітарія і техніка безпеки
при ремонті теплоенергетичного обладнання 36
Висновки 38
Література
GnobYTEL
: 27 сентября 2014
250 руб.
Міжнародна торгівля. Механізм функціонування та регулювання
OstVER
: 10 сентября 2013
Вступ
Основна мета даної курсової роботи – дослідити особливості зовнішньої торгівлі України.
Предметом дослідження є економічні відносини з приводу формування сучасної системи міжнародних економічних зв’язків.
Об’єктом дослідження є зовнішня торгівля України.
Утвердження державної незалежності України започаткувало її фактичний вихід на світову арену як суб'єкта міжнародних економічних відносин. Кардинальні зміни в геополітичному становищі України, що відбулися після здобуття нею незалежнос
OstVER
: 10 сентября 2013
5 руб.
Базы данных. Лабораторная работа № 3. Создание многотабличных запросов
wchg
: 19 октября 2013
Задание 1. Создание базы данных
В работе необходимо создать базу данных, которая должна содержать информацию об успеваемости студентов на протяжении обучения в университете. Предполагаем, что информация о сдаче экзаменов для 8 студентов хранится в таблице Исходная, которая включает следующие поля: Номер студенческого билета, ФИО, Дата рождения, Домашний адрес, Телефон, Пол, Факультет, Группа, Предмет, Оценка, Дата сдачи экзамена, Код преподавателя, ФИО преподавателя, Кафедра преподавателя.
Зад
wchg
: 19 октября 2013
80 руб.
