Электротехника, электроника и схемотехника (4-й сем.). Контрольная работа №1. вариант №4 (14)
-
Категории:
Информационные технологии и системы, СибГУТИ, Работа Контрольная
-
Добавлен:
21.09.2014
-
Размер:
370 KB
-
Покупок:
12
-
Добавил:
Udacha2013
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Контрольная работа.doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Выбор варианта задания.
Вариант задания для задач 1,2 определяется по двум последним цифрам студенческого пароля, если они до 50. Если две последние цифры больше 50, то вариант задания определяется как две последние цифры минус 50.
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12-19) транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1.
Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.
Таблица 1
Вариант задания для задач 1,2 определяется по двум последним цифрам студенческого пароля, если они до 50. Если две последние цифры больше 50, то вариант задания определяется как две последние цифры минус 50.
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12-19) транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1.
Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.
Таблица 1
Дополнительная информация
Работа зачтена, нет замечаний. 2014
Похожие материалы
Электротехника, электроника и схемотехника (4-й сем.) Контрольная работа №1. Вариант №4
tpogih
: 28 января 2015
Вариант задания для задач 1,2 определяется по двум последним цифрам студенческого пароля, если они до 50. Если две последние цифры больше 50, то вариант задания определяется как две последние цифры минус 50.
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать в
tpogih
: 28 января 2015
50 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (4-й сем.) Экзамен
tpogih
: 28 января 2015
Вопрос 1. Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов.
Вопрос 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
Вопрос 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передат
tpogih
: 28 января 2015
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (4-й сем.) Контрольная работа. Вариант №4
s1nd
: 10 февраля 2015
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
№ вар Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0,В
04 КП 303Д 10 -8
Задача 2.
Исполь
s1nd
: 10 февраля 2015
250 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (3-й сем.) Экзамен. Билет 11
sun525
: 23 июля 2015
1. Амплитудные корректоры. Назначение. Принцип построения схемы.
2. Определить переходную характеристику g(t).
R=1000 Oм,
C=1 мкФ
sun525
: 23 июля 2015
50 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Вариант №8. Контрольная работа №1
Daniil2001
: 8 декабря 2021
Контрольная работа 1 02.12.2021 08.12.2021 Зачет Уважаемый Игнатьев Даниил Андреевич, Борисов Александр Васильевич
Задача 1
Задача посвящена анализу переходного процесса в цепи первого порядка, содержащей резисторы, конденсатор или индуктивность. В момент времени t = 0 происходит переключение ключа К, в результате чего в цепи возникает переходной процесс.
1. Перерисуйте схему цепи (см. рис. 1) для Вашего варианта (таблица 1).
2. Выпишите числовые данные для Вашего варианта (таблица 2).
3. Р
Daniil2001
: 8 декабря 2021
99 руб.
Контрольная работа №1 по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника. Вариант №02
Jack
: 6 сентября 2014
Задание №1
Исходные данные:
КП303А;
U_СИ0=4 В;
U_ЗИ0=-2,5 В;
Задание №2
Исходные данные:
КТ602А;
U_КЭ=15 В;
Задание №3 (см.скрин)
Задача №4
Исходные данные:
R_1=3 кОм;
R_2=33 кОм;
R_3=2,7 кОм;
U_вх=150 мВ;
U_пит=12 В;
Jack
: 6 сентября 2014
350 руб.
Экзамен по электротехнике, электронике и схемотехнике
Alex21589
: 15 апреля 2023
ЭКЗАМЕНАЦИОННАЯ РАБОТА
по дисциплине
«Электротехника, электроника и схемотехника»
Билет №15
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе
Alex21589
: 15 апреля 2023
150 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен
sibguter
: 5 июня 2018
№1 Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.
№2 Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
№3 Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характ
sibguter
: 5 июня 2018
29 руб.
Другие работы
Анализ напряженного и деформированного состояния при осадке
ardash
: 29 июня 2012
СОДЕРЖАНИЕ
Задание на выполнение
Реферат
Введение
ardash
: 29 июня 2012
Лабораторная работа №1 по Программированию на c "Программирование алгоритмов линейной структуры""
kiskiskis
: 4 сентября 2019
Составьте и выполните программы линейной структуры согласно следующим заданиям:
1. x=2y+3 sh t- z при y=2; t=5 / (1+y2); z=4
2. x=3 y2/ (4 tg z-2t2) при t=0.5; z=6; y=t+2 ctg z.
3. x=4y2 /( 4y ez - 2t3) при t=1 ; z=3; y=sin t.
4. x=4 ln y3-z / t при t=2; z=3; y=cos(t+z).
5. x=6 t2- (ctg z+1)/ y2 при y=2; z=4; t=sin(2+z).
6. x=(8z2+1)/( y et +t2) при z=1; t=2; y=tg t+z.
kiskiskis
: 4 сентября 2019
15 руб.
Инновационный менеджмент. Зачет - тест
inwork2
: 16 декабря 2017
1.Инновационный менеджмент это процесс управления на основе
А.Управленческих решений рациональных
Б. Управленческих решений опробованных
В. Управленческих решений нестандартных
2.Понятие «инновация» ввел в употребление
А.Шуман
Б.Шумпетер
В.Шмидт
inwork2
: 16 декабря 2017
100 руб.
Приспособление для правки кузовов
Aronitue9
: 25 сентября 2015
Резкое увеличение количества автомобилей в нашей стране за последнее десятилетие, а так же совершенствование их конструкции требует значительного увеличения числа сервисных станций по их обслуживанию ремонту.
Актуальность данного проекта заключается в том, что на данный мо-мент огромное количество предприятий по ремонту автомобилей работают не соблюдая технологических процессов, ГОСТов и на несоответствующем оборудовании. В следствии этого качество ремонта значительно страдает от нехватки грамот
Aronitue9
: 25 сентября 2015
242 руб.
