Электротехника, электроника и схемотехника (4-й сем.). Контрольная работа №1. вариант №4 (14)
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Выбор варианта задания.
Вариант задания для задач 1,2 определяется по двум последним цифрам студенческого пароля, если они до 50. Если две последние цифры больше 50, то вариант задания определяется как две последние цифры минус 50.
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12-19) транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1.
Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.
Таблица 1
Вариант задания для задач 1,2 определяется по двум последним цифрам студенческого пароля, если они до 50. Если две последние цифры больше 50, то вариант задания определяется как две последние цифры минус 50.
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12-19) транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1.
Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.
Таблица 1
Дополнительная информация
Работа зачтена, нет замечаний. 2014
Похожие материалы
Электротехника, электроника и схемотехника (4-й сем.) Контрольная работа №1. Вариант №4
tpogih
: 28 января 2015
Вариант задания для задач 1,2 определяется по двум последним цифрам студенческого пароля, если они до 50. Если две последние цифры больше 50, то вариант задания определяется как две последние цифры минус 50.
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать в
50 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (4-й сем.) Экзамен
tpogih
: 28 января 2015
Вопрос 1. Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов.
Вопрос 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
Вопрос 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передат
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (4-й сем.) Контрольная работа. Вариант №4
s1nd
: 10 февраля 2015
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
№ вар Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0,В
04 КП 303Д 10 -8
Задача 2.
Исполь
250 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (3-й сем.) Экзамен. Билет 11
sun525
: 23 июля 2015
1. Амплитудные корректоры. Назначение. Принцип построения схемы.
2. Определить переходную характеристику g(t).
R=1000 Oм,
C=1 мкФ
50 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Вариант №8. Контрольная работа №1
Daniil2001
: 8 декабря 2021
Контрольная работа 1 02.12.2021 08.12.2021 Зачет Уважаемый Игнатьев Даниил Андреевич, Борисов Александр Васильевич
Задача 1
Задача посвящена анализу переходного процесса в цепи первого порядка, содержащей резисторы, конденсатор или индуктивность. В момент времени t = 0 происходит переключение ключа К, в результате чего в цепи возникает переходной процесс.
1. Перерисуйте схему цепи (см. рис. 1) для Вашего варианта (таблица 1).
2. Выпишите числовые данные для Вашего варианта (таблица 2).
3. Р
99 руб.
Контрольная работа №1 по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника. Вариант №02
Jack
: 6 сентября 2014
Задание №1
Исходные данные:
КП303А;
U_СИ0=4 В;
U_ЗИ0=-2,5 В;
Задание №2
Исходные данные:
КТ602А;
U_КЭ=15 В;
Задание №3 (см.скрин)
Задача №4
Исходные данные:
R_1=3 кОм;
R_2=33 кОм;
R_3=2,7 кОм;
U_вх=150 мВ;
U_пит=12 В;
350 руб.
Экзамен по электротехнике, электронике и схемотехнике
Alex21589
: 15 апреля 2023
ЭКЗАМЕНАЦИОННАЯ РАБОТА
по дисциплине
«Электротехника, электроника и схемотехника»
Билет №15
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе
150 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен
sibguter
: 5 июня 2018
№1 Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.
№2 Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
№3 Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характ
29 руб.
Другие работы
Экзаменационная работа по дисциплине: Теория связи. Билет №18
Учеба "Под ключ"
: 17 июля 2022
Билет №18
1. Прохождение случайных процессов через линейные инерционные устройства. Нормализация процесса на выходе узкополосной ЛИЦ.
2. Теорема Шеннона и методы оптимального кодирования для дискретного канала связи без помех.
300 руб.
Техническая термодинамика и теплопередача ГАУСЗ (ТГСХА) Задача 5 Вариант 12
Z24
: 25 декабря 2025
Плоская стальная стенка толщиной δс омывается с одной стороны горячими газами с температурой tl, с другой стороны водой с температурой t2. Определить коэффициент теплопередачи К от газов к воде, удельный тепловой поток q и температуры обеих поверхностей стенки, если известны коэффициенты теплопередачи от газа к стенке α1 и от стенки к воде α2; коэффициент теплопроводности стали λс=58 Вт/(м·К). Определить также все указанные выше величины, если стенка со стороны воды покрыта слоем накипи толщиной
180 руб.
Лабораторные работы № (1,2). Радиоматериалы и радиокомпоненты
c-stud
: 20 февраля 2014
Лабораторная работа No1
1. Цель работы: изучить устройство куметра и методику измерений емкости и добротности.
2. Методика измерений: на функциональном генераторе устанавливаем исходную частоту и рабочее напряжение. По показаниям мультиметра добиваемся резонанса с отключенным и подключенным исследуемым конденсатором изменяя емкость переменных конденсаторов А и В.
3. Расчетные формулы: Применяемые формулы: ; ;
;
4. Результаты: экспериментальные замеры двенадцати точек на каждый график.
Лаб
350 руб.
Ценообразование в организациях связи.Экзамен. Вариант №10.
h0h0l777
: 24 мая 2016
1. Что оказывает сдерживающее воздействие на потребителя в процессе существования товарообменных операций?
а) кредит
б) акциз
в) затраты на сырье и материалы.
2. Общие черты, какой рыночной структуры не характерны для монополистической конкуренции:
а) монополии
б) совершенной конкуренции
в) олигополии.
3. В каком из перечисленных условий поставки оплачен фрахт до порта назначения?
а) ФАС
б) СФР
в) ФОБ
4.Под тактикой ценообразования понимается
а) система конкретных мер по управлению ценами на
100 руб.