Электротехника, электроника и схемотехника (4-й сем.). Контрольная работа №1. вариант №4 (14)
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Выбор варианта задания.
Вариант задания для задач 1,2 определяется по двум последним цифрам студенческого пароля, если они до 50. Если две последние цифры больше 50, то вариант задания определяется как две последние цифры минус 50.
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12-19) транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1.
Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.
Таблица 1
Вариант задания для задач 1,2 определяется по двум последним цифрам студенческого пароля, если они до 50. Если две последние цифры больше 50, то вариант задания определяется как две последние цифры минус 50.
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12-19) транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1.
Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.
Таблица 1
Дополнительная информация
Работа зачтена, нет замечаний. 2014
Похожие материалы
Электротехника, электроника и схемотехника (4-й сем.) Контрольная работа №1. Вариант №4
tpogih
: 28 января 2015
Вариант задания для задач 1,2 определяется по двум последним цифрам студенческого пароля, если они до 50. Если две последние цифры больше 50, то вариант задания определяется как две последние цифры минус 50.
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать в
50 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (4-й сем.) Экзамен
tpogih
: 28 января 2015
Вопрос 1. Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов.
Вопрос 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
Вопрос 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передат
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (4-й сем.) Контрольная работа. Вариант №4
s1nd
: 10 февраля 2015
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
№ вар Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0,В
04 КП 303Д 10 -8
Задача 2.
Исполь
250 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (3-й сем.) Экзамен. Билет 11
sun525
: 23 июля 2015
1. Амплитудные корректоры. Назначение. Принцип построения схемы.
2. Определить переходную характеристику g(t).
R=1000 Oм,
C=1 мкФ
50 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Вариант №8. Контрольная работа №1
Daniil2001
: 8 декабря 2021
Контрольная работа 1 02.12.2021 08.12.2021 Зачет Уважаемый Игнатьев Даниил Андреевич, Борисов Александр Васильевич
Задача 1
Задача посвящена анализу переходного процесса в цепи первого порядка, содержащей резисторы, конденсатор или индуктивность. В момент времени t = 0 происходит переключение ключа К, в результате чего в цепи возникает переходной процесс.
1. Перерисуйте схему цепи (см. рис. 1) для Вашего варианта (таблица 1).
2. Выпишите числовые данные для Вашего варианта (таблица 2).
3. Р
100 руб.
Контрольная работа №1 по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника. Вариант №02
Jack
: 6 сентября 2014
Задание №1
Исходные данные:
КП303А;
U_СИ0=4 В;
U_ЗИ0=-2,5 В;
Задание №2
Исходные данные:
КТ602А;
U_КЭ=15 В;
Задание №3 (см.скрин)
Задача №4
Исходные данные:
R_1=3 кОм;
R_2=33 кОм;
R_3=2,7 кОм;
U_вх=150 мВ;
U_пит=12 В;
350 руб.
Экзамен по электротехнике, электронике и схемотехнике
Alex21589
: 15 апреля 2023
ЭКЗАМЕНАЦИОННАЯ РАБОТА
по дисциплине
«Электротехника, электроника и схемотехника»
Билет №15
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе
150 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен
sibguter
: 5 июня 2018
№1 Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.
№2 Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
№3 Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характ
29 руб.
Другие работы
Визуальное программирование и человеко-машинное взаимодействие (часть 2)
Илья272
: 15 марта 2022
Вариант 5 Программа «Задача о точках на плоскости»
1. Провести анализ GOMS интерфейса программы «Задача о точках на плоскости» на примере одной репрезентативной задачи.
2. Провести анализ GOMS выполнения следующей задачи: Стандартная программа Windows Калькулятор (в "научном" режиме): вычисление арктангенса 100 в градусах.
1. Проведите анализ соответствия программы «Задача о точках на плоскости» правилам Нильсена–Молиха.
Опишите, как принципы организации графического интерфейса учтены (или не уч
500 руб.
Политико-правовые учения европейского Просвещения. Политико-правовая мысль конца XVIII начала
alfFRED
: 12 января 2014
Политико-правовые взгляды Ш. Монтескье: теория разделения властей, принципы законности, теория «географического детерминизма». Политические и правовые взгляды Ж.-Ж. Руссо: идея народного суверенитета, закон как выражение собственной воли, о роли частной собственности в процессе возникновения общественного неравенства. Учение Канта о «категорическом императиве», определение права. Философия права Гегеля, его учение о гражданском обществе.
Политико-правовые взгляды Ш. Монтескье
Просвещение — влият
10 руб.
Механика жидкости и газа ВлГУ Контрольное задание 1 Задача 5 Вариант 7
Z24
: 22 декабря 2025
Круглое отверстие между двумя резервуарами закрыто конической крышкой с размерами D и L. Закрытый резервуара заполнен водой, а открытый – жидкостью Ж (рис. 15, табл.5). К закрытому резервуару сверху присоединен мановакуумметр MV, показывающий манометрическое давление рм или вакуум рв. Температура жидкостей 20 ºС, глубины h и H. Определить силу, срезывающую болты A, и горизонтальную силу, действующую на крышку.
180 руб.
Планка. вариант 6
coolns
: 23 января 2023
ПЛАНКА. ВАРИАНТ 6
Заменить вид сверху разрезом А-А.
Чертеж и 3d модель (все на скриншотах показано и присутствует в архиве) сделано и открываются в компасе v13, компас v14, компас v15, компас v16, компас v17, компас v18, компас v19, компас v20, компас v21, компас v22 и выше версиях компаса.
Также открывать и просматривать, печатать чертежи и 3D-модели, выполненные в КОМПАСЕ можно просмоторщиком КОМПАС-3D Viewer.
По другим вариантам и всем вопросам пишите в Л/С. Отвечу и помогу.
80 руб.