Исследование статических характеристик транзистора

Цена:
29 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon
material.view.file_icon Лабораторная работа №2.doc
material.view.file_icon Шаблончик.xmcd
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Цель работы

Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.

Дополнительная информация

Новосибирск 2014
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
1 . Цель работы Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ). 2. Подготовка к работе 2.1.1. Устройство, назначение, принцип действия ПТ различных структур. 2.1.2. Схемы включения ПТ. 2.1.3. Статические характеристики. 2.1.4. Дифференциальные параметры ПТ и их определение по характеристикам.
User blur : 31 августа 2023
50 руб.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
1. Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Устройство БТ, схемы включения (ОБ, ОЭ и ОК), режимы работы (с точки зрения состояния переходов). 2.1.2 Потенциальные диаграммы для различных структур БТ в активном режиме работы. 2.1.3 Принцип действия БТ и основные физические процессы
User blur : 31 августа 2023
50 руб.
«Исследование статических характеристик биполярного транзистора»
1. Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Устройство БТ, схемы включения (ОБ, ОЭ и ОК), режимы работы ( с точки зрения состояния переходов). 2.1.2 Потенциальные диаграммы для различных структур БТ в активном режиме работы. 2.1.3 Принцип действия БТ и основные физические процесс
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Исследование статических характеристик полевого транзистора
Цель работы Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов.
User HNB : 8 декабря 2014
29 руб.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА 1. Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). 2. Отчет о работе 2.1. Исследовать БТ для схемы с ОБ. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рис. 2.1. 2.1.1. Снять две входные характеристики транзистора
User ramzes14 : 6 ноября 2012
70 руб.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Билет № 10 1. Высокочастотные диоды. Особенности конструкции. ВАХ. Основные параметры. 2. Определение H - параметров по характеристикам БТ. Биполярный транзистор в схемотехнических приложениях представляют как четырехполюсник и рассчитывают его параметры для такой схемы. Для транзистора как четырехполюсника характерны два значения тока I1 и I2 и два значения напряжения U1 и U2 (рис. 7).
User JuliaRass : 23 января 2011
150 руб.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Лабораторная работа №2 Физические основы электроники СибГУТИ 2 семестр Для данной работу задание одно, вариант не выбирается Исследование статических характеристик биполярного транзистора Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
User DaemonMag : 4 февраля 2010
30 руб.
Вариант №3. исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). Отчет о работе 2.1. Исследовать БТ для схемы с ОБ. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рис. 2.1. 2.1.1. Снять две входные характеристики транзистора IЭ = f(UЭБ) при UКБ = 0 UКБ = 8В (график 1). Результаты измерений з
User MK : 3 октября 2016
152 руб.
Управление сетями связи. Контрольная работа (Вариант №5)
Исходные данные по варианту 05 1. Сообщение №1 0000: 00 00 e2 90 05 20 00 80 c2 e8 05 8e 08 00 45 a0 0010: 01 1a 0b 25 00 00 40 11 00 09 c0 58 95 cd c2 b5 0020: 95 69 c0 7c 00 a1 01 06 4a 51 30 81 fb 02 01 00 0030: 04 06 61 65 73 2d 30 35 a0 81 ed 02 04 35 97 ac 0040: 55 02 01 00 02 01 00 30 81 de 30 0c 06 08 2b 06 0050: 01 02 01 01 03 00 05 00 30 0e 06 0a 2b 06 01 02 0060: 01 02 02 01 05 01 05 00 30 0e 06 0a 2b 06 01 02 0070: 01 02 02 01 08 01 05 00
User StudMaster : 12 апреля 2015
300 руб.
Мобилизация предприятием финансовых ресурсов путем эмиссии облигаций
Введение Роль ценных бумаг в обеспечении деятельности предприятия Экономическая сущность ценных бумаг, их виды и инвестиционные качества. Особенности российского рынка ценных бумаг. Эмиссия корпоративных облигаций как основа обеспечения инвестиционной деятельности предприятия. Анализ практики привлечения инвестиционных средств предприятия при помощи облигационных займов Проспект эмиссии и его значение. Порядок осуществления эмиссии корпоративных облигаций на примере ОАО «Кировэлектросвязь».
User VikkiROY : 3 марта 2015
265 руб.
ГОСТ 12697.2-77 Алюминий. Метод определения магния
Настоящий стандарт устанавливает фотометрический и атомно-абсорбционный методы определения магния в алюминии (при массовой доле магния от 0,0001 до 0,02%).
User Slolka : 7 мая 2013
Оборудование для производства бетонных работ
Содержание Введение 1.Назначение, конструктивные особенности, параметры и техническое обслуживание машин и оборудования 2.Расчет основных параметров бетоносмесителя 3.Список литературы
User MaKSDVGY : 21 мая 2010
up Наверх