Исследование статических характеристик транзистора

Цена:
29 руб.

Состав работы

material.view.file_icon F6C621BD-12E2-4A19-B84B-C44D96DFD01F.zip [ 157 KB ]
material.view.file_icon Лаб_2
material.view.file_icon Лабораторная работа №2.doc [ 165 KB ]
material.view.file_icon Шаблончик.xmcd [ 90 KB ]
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Цель работы

Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.

Дополнительная информация

Новосибирск 2014

Похожие материалы

Исследование статических характеристик биполярного транзистора
1. Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Устройство БТ, схемы включения (ОБ, ОЭ и ОК), режимы работы (с точки зрения состояния переходов). 2.1.2 Потенциальные диаграммы для различных структур БТ в активном режиме работы. 2.1.3 Принцип действия БТ и основные физические процессы
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Лабораторная
User blur : 31 августа 2023
50 руб.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
1 . Цель работы Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ). 2. Подготовка к работе 2.1.1. Устройство, назначение, принцип действия ПТ различных структур. 2.1.2. Схемы включения ПТ. 2.1.3. Статические характеристики. 2.1.4. Дифференциальные параметры ПТ и их определение по характеристикам.
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Лабораторная
User blur : 31 августа 2023
50 руб.
«Исследование статических характеристик биполярного транзистора»
1. Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Устройство БТ, схемы включения (ОБ, ОЭ и ОК), режимы работы ( с точки зрения состояния переходов). 2.1.2 Потенциальные диаграммы для различных структур БТ в активном режиме работы. 2.1.3 Принцип действия БТ и основные физические процесс
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Работа Лабораторная
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Исследование статических характеристик полевого транзистора
Цель работы Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов.
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User HNB : 8 декабря 2014
29 руб.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА 1. Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). 2. Отчет о работе 2.1. Исследовать БТ для схемы с ОБ. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рис. 2.1. 2.1.1. Снять две входные характеристики транзистора
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User ramzes14 : 6 ноября 2012
70 руб.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Билет № 10 1. Высокочастотные диоды. Особенности конструкции. ВАХ. Основные параметры. 2. Определение H - параметров по характеристикам БТ. Биполярный транзистор в схемотехнических приложениях представляют как четырехполюсник и рассчитывают его параметры для такой схемы. Для транзистора как четырехполюсника характерны два значения тока I1 и I2 и два значения напряжения U1 и U2 (рис. 7).
СибГУТИ Работа Зачетная Электроника физическая
User JuliaRass : 23 января 2011
150 руб.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Лабораторная работа №2 Физические основы электроники СибГУТИ 2 семестр Для данной работу задание одно, вариант не выбирается Исследование статических характеристик биполярного транзистора Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User DaemonMag : 4 февраля 2010
30 руб.
Вариант №3. исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). Отчет о работе 2.1. Исследовать БТ для схемы с ОБ. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рис. 2.1. 2.1.1. Снять две входные характеристики транзистора IЭ = f(UЭБ) при UКБ = 0 UКБ = 8В (график 1). Результаты измерений з
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User MK : 3 октября 2016
152 руб.

Другие работы

Освоение месторождений подземных вод
Итак, пройдены все стадии поисков месторождения и его разведки, завершившиеся подсчетом ЭЗ, т.е. обосновано место расположения, необходимое количество и рациональная конструкция водозахватных устройств, дан прогноз качества воды и оконтурена ЗСО (с перечнем необходимых санитарно-оздоровительных мероприятий), так или иначе согласованы вопросы влияния водозабора на окружающую среду. Отчет о поисково-разведочных работах экспертируется и защищается в Государственной или территориальной комиссии по з
Геология. Геодезия. Разраб. полезных ископ. Работа
User VikkiROY : 28 сентября 2013
5 руб.
Задача по ТОЭ.1
Выполнить анализ переходного процесса в цепи первого порядка. Структура электрической цепи изображена на рисунке 2.1 в обобщённом виде. Перед расчётом необходимо составить схему цепи, воспользовавшись информацией таблицы, приведённой ниже. Ключ в цепи расположен последовательно или параллельно одному из элементов, и до коммутации он находится замкнутом (З) или разомкнутом (Р) состоянии. E=260; R1=R5=R9=R10=300; L4=0,3. Искомые величины i2 (t), u9 (t) Расположение ключа - Параллельно R9 Ключ п
Задачи Теоретические основы электротехники
User anderwerty : 11 января 2015
100 руб.
Математический анализ. Экзамен., 1-й сем., Билет №20
1. Методы интегрирования иррациональных функций. 2. Экстремумы функции двух переменных и их нахождение. 3. Исследовать и построить график функции . y=(x^2-3)e^-4x 4. Вычислить предел .lim(ctgx)^(lnx)^-1 2. Найти интеграл S((arctg^2x)/(1+x^2))dx 3. Вычислить интеграл S cos^3xdx 4. Исследовать сходимость интеграла 5. Найти площадь фигуры, ограниченной линиями y=x^2 и x+y=2 .
Математический анализ СибГУТИ Билеты экзаменационные
User Vasay2010 : 14 января 2013
48 руб.
Планка. Задание№ 64. Вариант №5
Планка Задание 64 Вариант 5 Заменить вид спереди разрезом А-А. 3d модель и чертеж (все на скриншотах изображено) выполнены в компасе 3D v13, возможно открыть и выше версиях компаса. Просьба по всем вопросам писать в Л/С. Отвечу и помогу.
Начертательная геометрия и инженерная графика БГЭУ Практические занятия и отчеты
User bublegum : 29 мая 2021
85 руб.
Планка. Задание№ 64. Вариант №5 promo
up Наверх