Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
-
Категории:
СибГУТИ, Физика , Работа Лабораторная
-
Добавлен:
08.01.2015
-
Размер:
55 KB
-
Покупок:
1
-
Добавил:
chita261
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
4E829621-B6FE-4680-A0C7-CE27FAEAE145.docx
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Дополнительная информация
получена оценка зачет
Похожие материалы
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
gerold66
: 22 октября 2009
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
gerold66
: 22 октября 2009
49 руб.
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
Саша78
: 9 апреля 2020
100 руб.
Другие работы
Лабораторная работа №1. Вычисление арифметических выражений
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 28 января 2015
Цель работы: Научиться использовать арифметические команды языка ассемблера.
Порядок выполнения работы:
1. В Far Manager создадим файл lab1.asm.
1. В файле lab1.asm наберем программу, которая вычисляет выражение -(С + 2•А + 4•В + В) и результат заносит в регистр CХ. Строки программы прокомментированы.
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 28 января 2015
250 руб.
Теплотехника КемТИПП 2014 Задача А-1 Вариант 06
Z24
: 18 января 2026
V1, м³ газа с начальным давлением р1 и начальной температурой t1 сжимается до изменения объема в ε раз (ε=V1/V2).
Сжатие происходит по изотерме, адиабате и политропе с показателем политропы n. Определить массу газа, конечный объем, температуру, работу сжатия, количество отведенной теплоты, изменение внутренней энергии и энтропии газа для каждого из процессов.
Изобразить процессы сжатия в p,υ и T,s — диаграммах.
Z24
: 18 января 2026
250 руб.
Построение третьей проекции по двум заданным. Задание 45. Вариант 12
.Инженер.
: 19 сентября 2025
С.К. Боголюбов. Индивидуальные задания по курсу черчения. Построение по двум проекциям модели ее третьей проекции. Задание 45. Вариант 12.
Построить третью проекцию модели по двум заданным.
В состав работы входит:
Чертежи;
3D модели.
Выполнено в программе Компас + чертежи в PDF.
.Инженер.
: 19 сентября 2025
150 руб.
О неразрывности онтологии и эпистемологии
Lokard
: 16 ноября 2013
Любое заявление о существовании чего-либо упирается в эпистемологическую проблему: Как ты знаешь, о том, существование чего утверждаешь?
Если же ты откладываешь проблему знания напотом, то можно сразу начать сомневаться в предмете твоего утверждения, а также и вообще в твоей способности смыслового общения. Ведь если ты не знаешь или плохо знаешь то, о чем говоришь, то чего тебя слушать? Чтобы набираться самим незнания или плохого, ненадежного знания?
То, что мы знаем об объекте, есть всегда не с
Lokard
: 16 ноября 2013
10 руб.
