Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
-
Категории:
СибГУТИ, Физика , Работа Лабораторная
-
Добавлен:
08.01.2015
-
Размер:
55 KB
-
Покупок:
1
-
Добавил:
chita261
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
4E829621-B6FE-4680-A0C7-CE27FAEAE145.docx
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Дополнительная информация
получена оценка зачет
Похожие материалы
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
gerold66
: 22 октября 2009
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
gerold66
: 22 октября 2009
49 руб.
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
Саша78
: 9 апреля 2020
100 руб.
Другие работы
Выпускная квалификационная работа. Эффективные методы расчёта основных формул теории телетрафика.
holm4enko87
: 26 августа 2021
Эффективные методы расчёта основных формул теории телетрафика.
Выпускная квалификационная работа.
Объём работы - 36 страниц, на которых размещены 11 рисунков и 6 таблиц. При написании работы использовалось 8 источников.
Ключевые слова: Теория телетрафика, формула Эрланга-B, формула Эрланга-С, Python.
Целью работы является
Улучшение существующих алгоритмов теории телетрафика.
Решаемые задачи
1. Анализ существующих алгоритмов теории телетрафика.
2. Выбор метода улучшения алгоритмов.
3. Реализаци
holm4enko87
: 26 августа 2021
350 руб.
РД 34.30.302-87 Методические указания по наладке и эксплуатации пароструйных эжекторов конденсационных установок турбин ТЭС и АЭС
Qiwir
: 27 июня 2013
Настоящие Методические указания распространяются на пароструйные многоступенчатые эжекторы с кожухотрубными теплообменниками, применяемые на тепловых и атомных станциях в качестве газоудаляющих устройств конденсационных установок турбин, и устанавливают правила, предъявляемые к испытаниям эжекторов, и требования к их эксплуатации.
Qiwir
: 27 июня 2013
5 руб.
Микропроцессоры и цифровая обработка сигналов. Контрольная работа. Вариант №24
rospezden
: 15 марта 2024
Задание 1.
Разработать схему алгоритма и написать программу на языке программирования С
Варианты:
2. Сформировать массив из 10 чисел. Найти наименьший элемент массива и его номер.
Разработать микропроцессорное устройство на основе микроконтроллера AduC842.
1. Привести схему устройства с описанием назначения элементов.
2. Разработать схему алгоритма и программу на языке программирования С. При написании программы обязательно использовать комментарии в каждой строке, описывающие производимые
rospezden
: 15 марта 2024
150 руб.
Применение формулы Полячека-Хинчина - Теория телетрафика и анализ систем беспроводной связи
KVASROGOV
: 24 марта 2024
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 2
По дисциплине: Теория телетрафика и анализ систем беспроводной связи
Вариант: 5
Применение формулы Полячека-Хинчина
KVASROGOV
: 24 марта 2024
350 руб.
