Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
-
Категории:
СибГУТИ, Физика , Работа Лабораторная
-
Добавлен:
08.01.2015
-
Размер:
55 KB
-
Покупок:
1
-
Добавил:
chita261
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
4E829621-B6FE-4680-A0C7-CE27FAEAE145.docx
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Дополнительная информация
получена оценка зачет
Похожие материалы
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
gerold66
: 22 октября 2009
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
gerold66
: 22 октября 2009
49 руб.
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
Саша78
: 9 апреля 2020
100 руб.
Другие работы
Одноступенчатая и многоступенчатая форма отчета о прибылях и убытках
Qiwir
: 28 октября 2013
Развитие рыночных отношений в нашей стране, углубление процессов экономической интеграции, расширение рынков капиталов неизбежно приводит к возникновению новых отношений торговых партнеров как внутри страны, так и за ее пределами. Становятся необходимыми и, следовательно, получающими свое развитие в практике более гибкие условия расчетов по торговым операциям, например, предоставление скидок за досрочную оплату при торговле в кредит, возможность уценки товара при неудовлетворении покупателя, раз
Qiwir
: 28 октября 2013
10 руб.
Общество, культура и образование Албании
Elfa254
: 6 сентября 2013
Общество, культура и образование Албании
На протяжении четырех веков Османского правления в албанском обществе сохранялись племенные и феодальные традиции: крепкие родственные узы, племенные связи, власть местных вождей и землевладельцев. Однако с 1920-х годов и особенно после 1944 в общественной жизни произошли резкие изменения. И король Зогу, и коммунисты предпринимали попытки модернизации, индустриализации и урбанизации Албании, попутно искореняя отжившие социальные ценности и образ жизни. К
Elfa254
: 6 сентября 2013
Сети связи и системы коммутации. Билет 1
Seraphim
: 23 апреля 2015
Сети связи и системы коммутации
Билет №1
1. Принцип временного деления каналов.
2. Рассчитать и построить 2-хзвенный КБ с параметрами 40 х 60 х 400 с применением МКС 10 х 20 х 6. Тип коммутации ВП-ВП, представить пространственный эквивалент временного коммутатора.
Задача 1
В концентраторе АТС МТ 20/25 осуществить по 1 каналу ПШ передачу кодовой комбинации 150 от 190 АК в 5 канал 3-го исходящего ИКМ тракта. Представить пространственный эквивалент ЦКП.
Объём работы 5 листов.
Seraphim
: 23 апреля 2015
200 руб.
Ахитектура вычислительных систем. Контрольная работа. Вариант №1
djigorfan
: 4 апреля 2013
Глава 1. Способы организации и типы ВС
1.1. Какие бывают виды внешних устройств ВС?
1.2.Какие требования к ВС предъявляют задачи обработки и хранения данных?
Задачи
1.1. Система управления автомобильным движением, служащая для управления группой светофоров на перекрестках некоторого района города и позволяющая в реальном времени менять интервалы переключения светофоров в зависимости от данных о числе проходящих по разным направлениям машин, которые поступают от датчиков.
Глава 2. Параллельная об
djigorfan
: 4 апреля 2013
500 руб.
