Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 5-й семестр

Цена:
100 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 1584EC39-2D9D-4070-A57F-9DB9D32095D1.doc [ 184 KB ]
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».

1.Эквивалентные схемы полевых транзисторов.

2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Экзамен
Оценка:Отлично
Дата оценки: 29.12.2014
Рецензия:Уважаемая Вы правильно ответили на вопросы

Игнатов Александр Николаевич

Похожие материалы

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». ДО. 4-й семестр
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Применение генераторов тока в ОУ. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User user888 : 21 апреля 2013
120 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».. 3- й семестр
1. Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов. 2. Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и
Электроника Работа Экзаменационная
User VaS3012 : 24 сентября 2012
100 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».. 3- й семестр
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и кан
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Ekaterina-Arbanakova : 20 апреля 2012
350 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики Б
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User alex-180672 : 14 апреля 2011
111 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». СИБГУТИ.Электроника.Экзамен. 3 семестр 2 вариант 1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительн
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User qawsedrftgyhujik : 19 декабря 2010
100 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника»
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника» 1. Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры. Излучающим называют полупроводниковый прибор, предназначенный для непосредственного преобразования электрической энергии в энергию светового излучения. Излучающие полупроводниковые приборы подразделяются на четыре группы: светоизлучающие диоды, лазеры, электролюминесцентные порошковые и пленочные излучатели. Принцип действия излучающих полупроводнико
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User sibgutimts : 22 июня 2010
120 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника»
Экзаменационные вопросы по курсу: «Электроника». Вариант №16
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Принцип действия полевого транзистора со структурой МДП. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передато
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Sandra197 : 9 января 2016
200 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».4сем. 11 билет
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Устройство сдвига уровней и эмиттерный повторитель. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. При
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User astor : 25 мая 2015
70 руб.

Другие работы

Вычислительная техника. Контрольная работа. Вариант №65
Задача №1. Составить текст микропрограммы, включающей следующие микрокоманды при естественном порядке их следования: МК0 – загрузка числа 12 в РОН5 МК1 – загрузка числа 9 в РгQ МК2 – сдвиговая операция: Ц. СДВ. П (РОН5 РгQ) МК3 – пустая микрокоманда МК4 – перенос содержимого из РОН5 в РОН6 МК5 – арифметическая операция: РОН5 = РОН4 – РгQ – 1 МК6 – чтение РгQ МК7 – чтение РОН5 МК8 – обнуление РгQ МК9 – обнуление РОН5 Указать, какие двоичные коды будут наблюдаться на выходной шине ЦПЭ при пошаго
СибГУТИ Вычислительная техника и информационные технологии Работа Контрольная
User vlanproekt : 16 марта 2014
90 руб.
Гидравлика СПбГУГА 2018 Задача 9 Вариант 9
В бак, разделенный на две секции перегородкой (рис.6) с отверстием, поступает вода в количестве Q. Из первой секции вода вытекает через цилиндрический насадок, а из второй – через конический насадок, с углом конусности θ=6°. Диаметры отверстий и входные сечения насадок одинаковы и равны d=20 мм, длины насадок l. Определить расход через каждый насадок.
Задачи
User Z24 : 3 января 2026
150 руб.
Гидравлика СПбГУГА 2018 Задача 9 Вариант 9
Технологическая карта маршрута изготовления цапфы заполненная
Технологическая карта маршрута изготовления цапфы заполненная-Детали машин-Деталировка-Сборочный чертеж-Чертежи-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Графическая часть-Оборудование-Машины и механизмы-Агрегаты-Установки-Комплексы-Узлы-Детали-Курсовая работа-Дипломная работа-Автомобили-Транспорт-Строительная техника-Электрооборудование-Грузоподъёмные механизмы-Железнодорожный транспорт
Чертежи Детали машин
User nakonechnyy.1992@list.ru : 6 мая 2020
252 руб.
Технологическая карта маршрута изготовления цапфы заполненная
Разработка РТК на базе вертикального консольного фрезерного станка мод. ГФ 2171 с ЧПУ и АСИ с оснащением его напольным ПР и ТНС для обработки детали типа «плита» массой до 15 кг.
Введение……………………………………………………………….4 1. Общая часть проекта ……………………………………………....5 1.1. Анализ работы РТК, характеристики станка, ПР и ТНС аналогичного назначения……………………………………………..5 1.1.1. Анализ работы РТК…………… ………………… ………..5 1.1.2. Анализ ТНС…………..……………………………………...5 1.1.3.Анализ конструкций ПР……………………...……………...8 1.1.4 Анализ компоновок РТК.…………………………………...10 1.1.5 Анализ характеристик станка………………………………11 1.2 Выбор и обоснование первичной характеристики РТК……...1
МАМИ Автоматизация (АТПП) Работа Курсовая
User fox1717 : 19 января 2011
up Наверх