Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 5-й семестр

Цена:
100 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 1584EC39-2D9D-4070-A57F-9DB9D32095D1.doc [ 184 KB ]
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».

1.Эквивалентные схемы полевых транзисторов.

2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Экзамен
Оценка:Отлично
Дата оценки: 29.12.2014
Рецензия:Уважаемая Вы правильно ответили на вопросы

Игнатов Александр Николаевич

Похожие материалы

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». ДО. 4-й семестр
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Применение генераторов тока в ОУ. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User user888 : 21 апреля 2013
120 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».. 3- й семестр
1. Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов. 2. Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и
Электроника Работа Экзаменационная
User VaS3012 : 24 сентября 2012
100 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».. 3- й семестр
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и кан
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Ekaterina-Arbanakova : 20 апреля 2012
350 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики Б
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User alex-180672 : 14 апреля 2011
111 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». СИБГУТИ.Электроника.Экзамен. 3 семестр 2 вариант 1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительн
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User qawsedrftgyhujik : 19 декабря 2010
100 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника»
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника» 1. Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры. Излучающим называют полупроводниковый прибор, предназначенный для непосредственного преобразования электрической энергии в энергию светового излучения. Излучающие полупроводниковые приборы подразделяются на четыре группы: светоизлучающие диоды, лазеры, электролюминесцентные порошковые и пленочные излучатели. Принцип действия излучающих полупроводнико
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User sibgutimts : 22 июня 2010
120 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника»
Экзаменационные вопросы по курсу: «Электроника». Вариант №16
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Принцип действия полевого транзистора со структурой МДП. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передато
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Sandra197 : 9 января 2016
200 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».4сем. 11 билет
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Устройство сдвига уровней и эмиттерный повторитель. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. При
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User astor : 25 мая 2015
70 руб.

Другие работы

Теория дискретных систем управления
Контрольная работа + Ответы на вопросы : 1.Какие системы называются Дискретными 2.Как различаются системы по видам Квантования 3.Чем отличаются Z преобразования от преобразования Лапласа 4.Z передаточная функция и её отличие от передаточной функции 5.В чём отличие разностные уравнения от дифференциальных уравнений 6.Какие импульсные устройства описываются в 1 и 2 разности 7.Какое устройство более точно воспроизводит линейный сигнал 8.Какие функции называются решетчатыми
КГУ (Курган) Автоматизация (АТПП) Работа Контрольная
User qwerty2013 : 18 марта 2022
200 руб.
Теория дискретных систем управления
Лабораторная работа № 2 по дисциплине: Программирование. Вариант 6. 2-й семестр.
Лабораторная работа No2 Программирование алгоритмов циклической структуры и обработка статических массивов Задание 1. Составьте 3 варианта программ циклической структуры типа for , while, do...while и сравните полученные результаты. Задание 2. Даны вещественные числа a, b. Значения функции (согласно вариантам) записать в массив. Вычислить значение интеграла, используя: 1) Формулу трапеций I1=h*[f(a)/2+f(a+h)+f(a+2h)+...+f(a+(n-1)h)+f(b)/2] 2) Формулу Симпсона I2=h/3*(f(a)+f(b)+4*(f(a+h)+f(a+3h)
СибГУТИ Программирование Работа Лабораторная
User студент-сибгути : 26 февраля 2013
29 руб.
Физика. Экзамен. 2-й семестр. 1-й вариант. Билет №4
Билет No 4 1. Идеальный электрический контур. Свободные незатухающие электромагнитные колебания: дифференциальное уравнение, его решение. Функции силы тока в катушке и напряжения на обкладках конденсатора от времени. 2. Дифракция на круглом отверстии. Метод зон Френеля. Зонная пластинка. 3. Тело массой 0,6 кг, подвешенное к пружине жёсткостью 30 Н/м, совершает в некоторой среде упругие колебания. Логарифмический декремент затухания этих колебаний равен 1 %. Вычислите: а) время, в течение которог
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Физика
User xadmin : 10 октября 2018
50 руб.
Физика. Экзамен. 2-й семестр. 1-й вариант. Билет №4
ВКР Бакалавра "Разработка информационного обеспечения для дисциплины «Разработка Трехмерного моделирования»
В ходе дипломного проектирования были рассмотрены принципы создания короткометражного анимационного частиц в среде 3ds Max. Поэтапно раскрываются аспекты создания трехмерного анимационного проекта обширными средствами программы. В главном этапе работы показаны различные техники создания анимации и управления, внимание акцентировано на использовании контроллеров при создании связей. На каждом этапе создания блоков в связях, проводится выбор подходящих настроек и структура для получения самых разн
Диплом и связанное с ним СибГУТИ Дипломные проекты
User holm4enko87 : 27 июня 2017
1510 руб.
up Наверх