Физические основы электроники. Лабораторная работа № 2. Исследование статических характеристик биполярного транзистора.

Цена:
55 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 0D4D490E-DA80-4399-928B-A830EB2DB373.zip [ 132 KB ]
material.view.file_icon Физические основы электроники. Лабораторная работа №2.doc [ 209 KB ]
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
 Цель работы:
 Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой и общим эмиттером.
Отчет о работе
ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
ДЛЯ СХЕМЫ С ОБЩЕЙ БАЗОЙ.
ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
ДЛЯ СХЕМЫ С ОБЩИМ ЭМИТТЕРОМ.
ИССЛЕДОВАНИЕ РАБОТЫ УСИЛИТЕЛЯ.
Выводы:

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 2
Оценка:Зачет
Дата сдачи: 2014 год
Рецензия:Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидович

Похожие материалы

Физические основы электроники " Исследование статических характеристик биполярного транзистора"
Физические основы электроники " Исследование статических характеристик биполярного транзистора"
ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Антон28 : 8 августа 2025
1500 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 2. ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). Проверил: Савиных В.Л. зачет
СибГУТИ Электроника Работа Лабораторная
User lev12345678 : 17 марта 2013
Физические основы электроники. Лабораторная работа №2. Исследование статических характеристик биполярного транзистора.
СибГУТИ. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User Art55555 : 6 августа 2009
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №2. Исследование статических характеристик биполярного транзистора.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №2. "Исследование статических характеристик биполярного транзистора". Все варианты
Физические основы электроники. Лабораторная работа No2. "Исследование статических характеристик биполярного транзистора". Все варианты 1. Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Устройство БТ, схемы включения (ОБ, ОЭ и ОК), режимы работы ( с точки зрения состояния переходов).
ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User SibGUTI2 : 7 июня 2019
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №2. "Исследование статических характеристик биполярного транзистора". Все варианты
Исследование статических характеристик биполярного транзистора. Лабораторная работа № 2 по дисциплине: Физические основы электроники
1. Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
СибГУТИ Электроника Работа Лабораторная
User natin83 : 2 апреля 2012
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная №2 "Исследование статических характеристик биполярного транзистора"
1. Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Устройство БТ, схемы включения (ОБ, ОЭ и ОК), режимы работы ( с точки зрения состояния переходов). 2.1.2 Потенциальные диаграммы для различных структур БТ в активном режиме работы. 2.1.3 Принцип действия БТ и основные физические процес
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User aleks797 : 17 декабря 2011
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная №2 "Исследование статических характеристик биполярного транзистора"
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 2. Исследование статических характеристик биполярного транзистора. Вариант общий.
Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). Содержание отчета 5.1 Тип исследуемого транзистора . 5.2 Схемы исследования. 5.3 Таблицы результатов измерений 5.4 Графики входных и выходных характеристик для схем с ОБ и с ОЭ, построенных по результатам измерений. При построении семейства характеристик (несколько характеристик на одних осях) подписать
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User seka : 14 сентября 2018
45 руб.
Лабораторная работа №2 по дисциплине: Физические основы электроники "Исследование статических характеристик биполярного транзистора". (Для всех вариантов)
Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). Выполнение работы: 1. Схема с общей базой. 1.1. Снятие входных характеристик биполярного транзистора при Uкб=0В, Uкб=8В 1.2. Снятие выходных характеристик биполярного транзистора при Iэ=0мА, Iэ=2мА, Iэ=5мА. 2. Схема с общим эмиттером. 2.1. Снятие входных характеристик биполярного транзистора при Uкэ=0В,
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Roma967 : 29 мая 2015
300 руб.
promo

Другие работы

Реферат по дисциплине: Культурология. Тема: Элитарная культура: миф или реальность. Вариант № 10
Содержание: Введение 3 1. Элитарная культура: миф или реальность 4 Заключение 15 Литература 16 Культура - это обобщающее понятие, охватывающее различные классы явлений. Она представляет собой сложное, многослойное, многоуровневое целое, включающее различные феномены. В зависимости от того, с какой точки зрения, по каким основаниям ее анализировать, можно выделять те или иные ее структурные элементы, различающиеся по характеру носителя, по результату, по видам деятельности, по и т. д., которые мо
СибГУТИ Рефераты Культура, искусство, спорт и туризм
User Jack : 25 мая 2013
170 руб.
promo
Кейс «Последствия укрупнения сельских поселений»
1 января 2006 года в России вступили в силу новые принципы территориальной организации местного самоуправления, закрепленные в Федеральном законе от 6 октября 2003 г. № 131-ФЗ «Об общих принципах организации местного самоуправления в Российской Федерации» (далее – 131-ФЗ). С тех пор количество муниципальных образований, обладающих статусом сельского поселения, неуклонно снижалось и к 1 января 2017г. сократилось более чем на 1800, или почти на 10%. Пик преобразований пришелся на 2014–2015 гг., од
Государственное и муниципальное управление Работа Контрольная СИБИТ
User Катерина2102 : 2 июня 2019
600 руб.
Совершенствование технологии возделы-вания кукурузы на силос в ГП «Островщи-на» Полоцкого района с разработкой прибо-ра контроля вакуума в высевающих аппара-тах сеялки СТВ-8
Дипломный проект Цель проекта – совершенствование технологии возделывания и уборки кукурузы на силос в ГП «Островщина» Полоцкого района с разработкой прибора контроля вакуума в высевающих аппаратах сеялки точного высева СТВ-8. В первой части проведён анализ показателей хозяйственной деятельности ГП «Островщина», состояние основных отраслей хозяйства и эффективность использования машинотракторного парка в хозяйстве. Во второй части даётся характеристика кукурузы на силос как культуры, стра
Диплом и связанное с ним Сельскохозяйственные машины
User maobit : 26 мая 2020
1590 руб.
Совершенствование технологии возделы-вания кукурузы на силос в ГП «Островщи-на» Полоцкого района с разработкой прибо-ра контроля вакуума в высевающих аппара-тах сеялки СТВ-8 promo
Соединение трубы с прямой муфтой. Вариант 6
Соединение трубы с прямой муфтой Вариант 6 Соединение трубы с муфтой Dу 32 Построить изображение соединения трубы с соединительной деталью (фитингом). На выполненном чертеже нанести обозначение резьбы. Dу 32 Чертеж выполнен на формате А4 (все на скриншотах показано и присутствует в архиве) выполнены в компасе 3D v13, возможно открыть в 14,15,16,17,18,19,20,21,22 и выше версиях компаса. Также открывать и просматривать, печатать чертежи и 3D-модели, выполненные в КОМПАСЕ можно просмоторщиком К
БГАТУ Инженерная и компьютерная графика Работа Контрольная
User lepris : 10 июня 2022
85 руб.
Соединение трубы с прямой муфтой. Вариант 6
up Наверх