Электротехника, электроника и схемотехника (4-й сем.) Контрольная работа №1. Вариант №4
-
Категории:
Электротехника, СибГУТИ, Работа Контрольная
-
Добавлен:
28.01.2015
-
Размер:
4 MB
-
Покупок:
8
-
Добавил:
tpogih
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Контрольная работа по ЭиЭ.docx
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Вариант задания для задач 1,2 определяется по двум последним цифрам студенческого пароля, если они до 50. Если две последние цифры больше 50, то вариант задания определяется как две последние цифры минус 50.
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12-19) транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1.
Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12-19) транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1.
Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электротехника, электроника и схемотехника (4 сем.)
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 17.01.2015
Рецензия:Уважаемый
Игнатов Александр Николаевич
Оценена Ваша работа по предмету: Электротехника, электроника и схемотехника (4 сем.)
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 17.01.2015
Рецензия:Уважаемый
Игнатов Александр Николаевич
Похожие материалы
Электротехника, электроника и схемотехника (4-й сем.). Контрольная работа №1. вариант №4 (14)
Udacha2013
: 21 сентября 2014
Выбор варианта задания.
Вариант задания для задач 1,2 определяется по двум последним цифрам студенческого пароля, если они до 50. Если две последние цифры больше 50, то вариант задания определяется как две последние цифры минус 50.
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжен
Udacha2013
: 21 сентября 2014
200 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (4-й сем.) Экзамен
tpogih
: 28 января 2015
Вопрос 1. Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов.
Вопрос 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
Вопрос 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передат
tpogih
: 28 января 2015
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (4-й сем.) Контрольная работа. Вариант №4
s1nd
: 10 февраля 2015
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
№ вар Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0,В
04 КП 303Д 10 -8
Задача 2.
Исполь
s1nd
: 10 февраля 2015
250 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (3-й сем.) Экзамен. Билет 11
sun525
: 23 июля 2015
1. Амплитудные корректоры. Назначение. Принцип построения схемы.
2. Определить переходную характеристику g(t).
R=1000 Oм,
C=1 мкФ
sun525
: 23 июля 2015
50 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Вариант №8. Контрольная работа №1
Daniil2001
: 8 декабря 2021
Контрольная работа 1 02.12.2021 08.12.2021 Зачет Уважаемый Игнатьев Даниил Андреевич, Борисов Александр Васильевич
Задача 1
Задача посвящена анализу переходного процесса в цепи первого порядка, содержащей резисторы, конденсатор или индуктивность. В момент времени t = 0 происходит переключение ключа К, в результате чего в цепи возникает переходной процесс.
1. Перерисуйте схему цепи (см. рис. 1) для Вашего варианта (таблица 1).
2. Выпишите числовые данные для Вашего варианта (таблица 2).
3. Р
Daniil2001
: 8 декабря 2021
99 руб.
Контрольная работа №1 по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника. Вариант №02
Jack
: 6 сентября 2014
Задание №1
Исходные данные:
КП303А;
U_СИ0=4 В;
U_ЗИ0=-2,5 В;
Задание №2
Исходные данные:
КТ602А;
U_КЭ=15 В;
Задание №3 (см.скрин)
Задача №4
Исходные данные:
R_1=3 кОм;
R_2=33 кОм;
R_3=2,7 кОм;
U_вх=150 мВ;
U_пит=12 В;
Jack
: 6 сентября 2014
350 руб.
Экзамен по электротехнике, электронике и схемотехнике
Alex21589
: 15 апреля 2023
ЭКЗАМЕНАЦИОННАЯ РАБОТА
по дисциплине
«Электротехника, электроника и схемотехника»
Билет №15
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе
Alex21589
: 15 апреля 2023
150 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен
sibguter
: 5 июня 2018
№1 Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.
№2 Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
№3 Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характ
sibguter
: 5 июня 2018
29 руб.
Другие работы
Комплексные соединения хрома. Синтез соли Рейнеке NH4 [Cr (NH3) 2 (NCS) 4]
wizardikoff
: 11 декабря 2011
Оглавление
Введение
§1. Степени окисления, электронные конфигурации, координационные числа и геометрия соединений хрома
§ 2. Хром (II)
§3. Хром (III) (d3).
3.1 Общая характеристика комплексных соединений хрома (III)
3.2 Соль Рейнеке
3.2.1 Общие сведения
3.2.2 Применение
3.3 Многоядерные комплексы хрома (III)
3.4 Электронное строение комплексов хрома (III)
3.5 Фосфоресцирующие комплексы
3.6 Получение комплексных соединений хрома (III)
§4. Высшие состояния окисления хрома
4.1 Соединения хрома (I
wizardikoff
: 11 декабря 2011
Современные кредитные технологии
evelin
: 24 октября 2013
В специализированной литературе вопрос о классификации кредитов не имеет общепризнанного решения. В значительной степени из-за этого в публикациях на данную тему, наблюдаются смешанные понятия “заём”, “кредит” и “ссуда”, “вид кредита” и “форма кредита”. Употребление данных терминов как синонимов в разговорно-обиходном смысле вполне допустимо. Однако, когда речь идет о теоретических понятиях, необходимо присутствие четкой их формулировки. В настоящее время экономистами и юристами не выработана е
evelin
: 24 октября 2013
5 руб.
Контрольная работа по дисциплине: «Электропитание устройств связи и систем телекоммуникаций». Вариант №21
dubhe
: 26 февраля 2015
Контрольная работа по дисциплине: «Электропитание устройств связи и систем телекоммуникаций». Вариант No21
Задание:
- рассчитать количество и емкость элементов аккумуляторных батарей и выбрать их тип; найти ток выпрямителя и мощность, потребляемую ЭПУ от внешней сети; выбрать типовое выпрямительное устройство; выбрать вводный шкаф; рассчитать заземляющее устройство и выбрать автомат защиты.
- составить функциональную схему системы электропитания (см. рис. П1) и перечень элементов с указанием вс
dubhe
: 26 февраля 2015
300 руб.
Инженерная графика. Задание №1. Вариант №19. Задача №3. Угольник
Чертежи
: 21 ноября 2022
Все выполнено в программе КОМПАС 3D v16.
Боголюбов С.К. (1978г.) Задания по курсу черчения
Задание №1. Вариант №19. Задача №3. Угольник
Заменить вид спереди разрезом А-А.
В состав работы входят 3 файла:
- 3D модель детали
- ассоциативный чертеж с необходимыми разрезами, выполненный по этой модели
- аналогичный обычный чертеж
Все работы выполнены в программе Компас 3D 16 версии, для открытия этих файлов нужен компас не ниже этой версии. Либо если вам достаточен просмотр файлов, без заполнен
Чертежи
: 21 ноября 2022
80 руб.
