Электротехника, электроника и схемотехника (4-й сем.) Контрольная работа №1. Вариант №4
-
Категории:
Электротехника, СибГУТИ, Работа Контрольная
-
Добавлен:
28.01.2015
-
Размер:
4 MB
-
Покупок:
8
-
Добавил:
tpogih
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Контрольная работа по ЭиЭ.docx
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Вариант задания для задач 1,2 определяется по двум последним цифрам студенческого пароля, если они до 50. Если две последние цифры больше 50, то вариант задания определяется как две последние цифры минус 50.
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12-19) транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1.
Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12-19) транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1.
Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электротехника, электроника и схемотехника (4 сем.)
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 17.01.2015
Рецензия:Уважаемый
Игнатов Александр Николаевич
Оценена Ваша работа по предмету: Электротехника, электроника и схемотехника (4 сем.)
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 17.01.2015
Рецензия:Уважаемый
Игнатов Александр Николаевич
Похожие материалы
Электротехника, электроника и схемотехника (4-й сем.). Контрольная работа №1. вариант №4 (14)
Udacha2013
: 21 сентября 2014
Выбор варианта задания.
Вариант задания для задач 1,2 определяется по двум последним цифрам студенческого пароля, если они до 50. Если две последние цифры больше 50, то вариант задания определяется как две последние цифры минус 50.
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжен
Udacha2013
: 21 сентября 2014
200 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (4-й сем.) Экзамен
tpogih
: 28 января 2015
Вопрос 1. Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов.
Вопрос 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
Вопрос 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передат
tpogih
: 28 января 2015
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (4-й сем.) Контрольная работа. Вариант №4
s1nd
: 10 февраля 2015
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
№ вар Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0,В
04 КП 303Д 10 -8
Задача 2.
Исполь
s1nd
: 10 февраля 2015
250 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (3-й сем.) Экзамен. Билет 11
sun525
: 23 июля 2015
1. Амплитудные корректоры. Назначение. Принцип построения схемы.
2. Определить переходную характеристику g(t).
R=1000 Oм,
C=1 мкФ
sun525
: 23 июля 2015
50 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Вариант №8. Контрольная работа №1
Daniil2001
: 8 декабря 2021
Контрольная работа 1 02.12.2021 08.12.2021 Зачет Уважаемый Игнатьев Даниил Андреевич, Борисов Александр Васильевич
Задача 1
Задача посвящена анализу переходного процесса в цепи первого порядка, содержащей резисторы, конденсатор или индуктивность. В момент времени t = 0 происходит переключение ключа К, в результате чего в цепи возникает переходной процесс.
1. Перерисуйте схему цепи (см. рис. 1) для Вашего варианта (таблица 1).
2. Выпишите числовые данные для Вашего варианта (таблица 2).
3. Р
Daniil2001
: 8 декабря 2021
99 руб.
Контрольная работа №1 по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника. Вариант №02
Jack
: 6 сентября 2014
Задание №1
Исходные данные:
КП303А;
U_СИ0=4 В;
U_ЗИ0=-2,5 В;
Задание №2
Исходные данные:
КТ602А;
U_КЭ=15 В;
Задание №3 (см.скрин)
Задача №4
Исходные данные:
R_1=3 кОм;
R_2=33 кОм;
R_3=2,7 кОм;
U_вх=150 мВ;
U_пит=12 В;
Jack
: 6 сентября 2014
350 руб.
Экзамен по электротехнике, электронике и схемотехнике
Alex21589
: 15 апреля 2023
ЭКЗАМЕНАЦИОННАЯ РАБОТА
по дисциплине
«Электротехника, электроника и схемотехника»
Билет №15
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе
Alex21589
: 15 апреля 2023
150 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен
sibguter
: 5 июня 2018
№1 Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.
№2 Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
№3 Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характ
sibguter
: 5 июня 2018
29 руб.
Другие работы
Контрольная работа по дисциплине: Сетевые технологии высокоскоростной передачи данных. Вариант 17
Учеба "Под ключ"
: 25 июля 2022
Контрольная работа
«Современные телекоммуникационные системы»
Внимание! Вариант определяется по 2-м последним цифрам пароля
Задание 1
Определить среднее значение величины битовой скорости в локальной сети передачи данных Ethernet с виртуальными каналами услуг. Опираясь на рассчитанную величину битовой скорости выбрать модель коммутаторов, привести их технические характеристики. Сеть передачи данных предприятия состоит из трех узлов, соединенных в топологию «кольцо». Исходные данные приведены в
Учеба "Под ключ"
: 25 июля 2022
600 руб.
Лабораторная работа № 2 ТИПИЗИРОВАННЫЕ ПОДПРОГРАММЫ - ФУНКЦИИ. Информатика часть 2 вариант 2 2019 г
kombatowoz
: 21 января 2019
Лабораторная работа № 2
ТИПИЗИРОВАННЫЕ ПОДПРОГРАММЫ - ФУНКЦИИ
Задание к лабораторной работе:
Разработать типизированную функцию для выполнения над массивом А[n] операций в соответствии с вариантом. В функции main исходный массив сформировать, используя датчик псевдослучайных чисел rand(). На печать вывести исходный массив и после работы функции результат ее работы. Вариант задания: вычисление среднего арифметического отрицательных элементов массива.
kombatowoz
: 21 января 2019
200 руб.
Расчет элементов автомобильных гидросистем МАМИ Задача 2.1 Вариант А
Z24
: 18 декабря 2025
Вода вытекает из напорного бака, открытая поверхность жидкости в котором расположена на высоте Н, по трубе длиной l и диаметром d в атмосферу. Определить избыточное давление р0*, которое необходимо создать в баке для обеспечения расход Q. При решении учесть потери: на входе в трубу (внезапное сужение), в кране ζкр, на повороте (в колене) ζкол = 0,5 и на трение подлине трубы λ = 0,03. Режим течения считать турбулентным. (Величины Q, Н, l, d и ζкр взять из таблицы 2).
Z24
: 18 декабря 2025
160 руб.
Расчет крупноэлементных конструкций многоэтажного жилого дома
OstVER
: 26 октября 2013
Введение
1. Исходные данные.
1.1 Район строительства.
1.2 Рельеф участка.
1.3 Грунты.
1.4 Конструктивная схема здания.
1.5 Фундаменты.
1.6 Наружные стены.
1.7 Типы кладок.
1.8 Перекрытия.
1.9 Материал Кровли.
1.10 Лестницы.
1.11 Стропила.
1.12 Глубина промерзания.
1.13 градусы-сутки отопительного периода.
1.14 температура внутреннего и наружного воздуха.
2. Объемно-планировочное решение.
2.1 Основные помещения.
2.2 Санитарные узлы.
3. Архитектурно-конструктивное решение.
3.1 Фундаменты.
3.
OstVER
: 26 октября 2013
40 руб.
