Расчет параметров срабатывания микропроцессорной РЗ. ДЗО кабельной вставки на ВЛ 220 кВ с двусторонним питанием. Шкаф фирмы ЭКРА ШЭ2607 051

Цена:
20 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon 2222222222.docx

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Расчет уставок микропроцессорного терминала ШЭ 2607 051.
Расчет проводится согласно [31] и [32] для терминала БЭ2704 051. Выбор уставок ДЗО включает в себя определение значений параметров срабатывания реле, выдержек времени и положений программируемых накладок.

П10.1. Расчет базисных токов для защит и выравнивание токов присоединений для шкафов защиты шин и ошиновок.
Расчет базисных токов присоединений ТТ в терминалах производится в следующей последовательности (принимаем Iном = 1 А):
1) главные ТТ присоединений расположить в порядке уменьшения их коэффициентов трансформации;
2) при IНОМ=1 А базисный ток ТТ с наибольшим коэффициентом трансформации (КТТ) принимается равным IБАЗ=1,001 – в нашем случае, для ТТ с обоих концов кабельной вставки (КТТ=1000/1).
Рассчитанный базисный ток определяет весовой коэффициент учета тока присоединения в зависимости коэффициента ТТ. Для БЭ2704 051 диапазон базисных токов составляет от 1,001 до 16,000 А.
Входные ТТ терминала БЭ2704 051 имеют число витков первичной обмотки W1 = 16 с отводами от 1 и 4 витков для выравнивания токов. На W1 = 1 виток обеспечивается диапазон токов от 4,000 до 16,000 А, на W1 = 4 витка обеспечивается диапазон токов от 1,000 до 4,000 А, на W1 = 16 витков обеспечивается диапазон токов от 0,250 до 1,000 А.
Необходимо переставить отвод начала обмотки выравнивающих трансформаторов фаз А, В, С на W1 = 4 витка в соответствии с бланком параметров срабатывания.
Расчет параметров срабатывания микропроцессорной РЗ. ДФЗ на ВЛ 220 кВ с двусторонним питанием. Шкаф фирмы ЭКРА ШЭ2607 081
Приложение 8. Расчет уставок микропроцессорного терминала ШЭ 2607 081. Расчет проводится согласно п. 6 [15] для защиты отходящей от проектируемой подстанции ВЛ 220 кВ W1E. П8.1. Выбор уставки токовых органов с пуском по вектору разности фазных токов IL. П8.1.1. Выбор уставки токового органа с пуском по вектору разности фазных токов IL, действующего на блокировку. Уставки выбираются одинаковыми для обоих (или в случае многоконцевой линии трех и более комплектов), т.к. в формулы для расчета вх
User VikkiROY : 30 января 2015
20 руб.
Разработка технологического процесса механической обработки детали "Шип"
Темой задания на курсовое проектирование является разработка технологического процесса изготовления детали. В курсовой проект входит решение всего спектра задач, начиная с выбора заготовки, оборудования, методов обработки и заканчивая контролем качества изготовленной детали. Расчетно–пояснительная записка включает в себя подробное описание разработанного технологического процесса, а также расчеты припусков, режимов резания, станочного и контрольного приспособлений, нормирование, разработка налад
User edd : 30 марта 2013
250 руб.
Разработка технологического процесса механической обработки детали "Шип"
Внебюджетные фонды общая характеристика, функции, классификация.
1. Внебюджетные фонды — это форма перераспределения и использования финансовых ре­сурсов, привлекаемых государством для финансирования не включаемых в бюджет некоторых общественных потребно­стей и комплексно расходуемые на основе оперативной са­мостоятельности строго в соответствии с целевыми назна­чениями фондов. Они являются материально-вещественным воплощением финансовых отношений, которые складываются у государства, его федеральных и региональных органов, а также органов местного самоуправле
User Slolka : 4 декабря 2013
5 руб.
Курсовая и Лабораторные работы 1-3 по дисциплине: Теория связи. Вариант №17
Курсовая работа Вариант No17 Задача No 1 Задание и исходные данные Вольт-амперная характеристика (ВАХ) биполярного транзистора аппроксимирована выражением i_к={(S(u_б-u_0)&u_б≥u_0@0&u_б<u_0 ), где iк – ток коллектора транзистора; uб – напряжение на базе транзистора; S – крутизна ВАХ; u0 – напряжение отсечки ВАХ. Требуется: 1 Объяснить назначение модуляции несущей и описать различные виды модуляции. 2 Изобразить схему транзисторного амплитудного модулятора, пояснить принцип ее работы и назнач
User IT-STUDHELP : 19 июня 2023
1800 руб.
promo
Термодинамика и теплопередача ТюмГНГУ Теория теплообмена Задача 3 Вариант 24
Стальной трубопровод диаметром d1/d2=100 мм/110 мм с коэффициентом теплопроводности λ1 покрыт изоляцией в 2 слоя одинаковой толщины δ2=δ3=50 мм, причем первый слой имеет коэффициент теплопроводности λ2, второй λ3. Определить потери теплоты через изоляцию с 1 м трубы, если температура внутренней поверхности t1, а наружной поверхности изоляции t4. Определить температуру на границе соприкосновения слоев t3. Как изменится величина тепловых потерь с 1 м трубопровода, если слой изоляции поменять ме
User Z24 : 12 января 2026
200 руб.
Термодинамика и теплопередача ТюмГНГУ Теория теплообмена Задача 3 Вариант 24
up Наверх