Электроника. Экзамен. Вариант №2

Цена:
150 руб.

Состав работы

material.view.file_icon CD0CBC10-E308-41C3-948D-CBE74EEBD74A.rar [211 KB]
material.view.file_icon Экзамен(работа над ошибками) по курсу Электроника.docx [Office 2010, 10 стр., 326 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

1. Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности. Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Экзамен
Оценка:Хорошо
Дата оценки: 01.07.2013
Рецензия:При ответе на третий вопрос Вы не соблюли провильную полярность стоковых напряжений

Игнатов Александр Николаевич

Похожие материалы

Экзамен. Электроника. Вариант №2.
1.Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выхо
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Антон133 : 6 декабря 2016
150 руб.
Электроника. Экзамен. Вариант №2
1.Применение генераторов тока в ОУ 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходим
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User hedgehog : 25 ноября 2014
100 руб.
Электроника экзамен
Электроника экзамен
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Антон28 : 8 августа 2025
500 руб.
Электроника. Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Электроника
User banderas0876 : 15 марта 2020
200 руб.
Электроника. Экзамен.
Экзамен. Электроника
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом
Экология и защита окружающей среды Работа Экзаменационная
User lisii : 21 марта 2019
65 руб.
Экзамен. Электроника
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Параметры полевого транзистора. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером. Приве
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User AlexBrookman : 3 февраля 2019
90 руб.
Электроника. Экзамен.
Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характер
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Gila : 17 января 2019
250 руб.
Электроника. Экзамен.
Вопрос 1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры. Вопрос 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.. Вопрос 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа. Приведите
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User seka : 11 ноября 2018
90 руб.

Другие работы

Дислалия тест
1. Логопед просит ребенка: вытянуть вперед губы – покой; оскал – покой; круговое движение губ хоботком, поднять вверх верхнюю губу, опустить вниз нижнюю губу; показать широкий язык, узкий; лакательные движения языком. Что таким образом обследует логопед? 2. Логопед просит ребенка произнести звуки изолированно, в слогах, словах, фразах, связной речи. Какая сторона речи при этом обследуется? 3. Отсутствие, велярный, увулярный, двугубный, боковое, «щечное», одноударное произношение. Это - … 4. Спо
ТГПУ Логопедия Тесты
User kisa7 : 14 сентября 2018
1000 руб.
Лабораторная работа №1,2 по дисциплине: Направляющие системы электросвязи. Вариант №4
Вариант по заданию №4 Лабораторная работа №1 Цель работы является проведение компьютерного эксперимента по исследованию собственных и дополнительных затуханий в оптических кабелях связи: - собственных затуханий; - затуханий в местах соединений оптических волокон; - затуханий на микроизгибах и макроизгибах; 2. Программа лабораторной работы 2.1 Расчет и построение таблицы зависимости затухания из-за поглощения энергии в материале от длинны волны. 2.2 Моделирование и построение графика зависимости
Направляющие системы электросвязи СибГУТИ Работа Лабораторная
User IT-STUDHELP : 6 ноября 2019
350 руб.
promo
Бруй Л.П. Техническая термодинамика ТОГУ Задача 4 Вариант 16
Расчет процесса адиабатического расширения водяного пара Рабочее тело – водяной пар, имеющий в начальном состоянии давление р1 и температуру t1 (табл. 5). Масса рабочего тела – M (табл. 5). Пар расширяется до давления p2 (табл. 5). Схематически построить процесс адиабатического расширения водяного пара в диаграмме h-s. Определить: 1) удельный объем и энтальпию пара в начальном состоянии; 2) температуру, удельный объем, степень сухости и энтальпию пара в конечном состоянии; 3) зна
Задачи Теплотехника
User Z24 : 13 января 2026
200 руб.
Бруй Л.П. Техническая термодинамика ТОГУ Задача 4 Вариант 16
Контрольная работа По дисциплине: Электромагнитный поля и волны. В-8
Задание 1. Плоская электромагнитная волна с частотой f=1600 мГц. распространяется в безграничной реальной среде с диэлектрической проницаемостью ε=7, магнитной проницаемостью , проводимостью σ =.0,09 См/м. Амплитуда напряженности электрического поля в точке с координатой z = 0, Еm=2.5 В/м. Определить к какому типу относится данная среда на заданной частоте. Рассчитать фазовый набег волны на расстоянии, равном глубине проникновения ∆0. Рассчитать отношение фазовой скорости в реальной среде к
ДО СИБГУТИ Электромагнитные поля и волны Работа Контрольная
User Jerryamantipe03 : 19 мая 2021
150 руб.
up Наверх