Электротехника, электроника и схемотехника (4 сем). Контрольная работа. Вариант №8
-
Категории:
Электротехника, СибГУТИ, Работа Контрольная
-
Добавлен:
14.02.2015
-
Размер:
303 KB
-
Покупок:
14
-
Добавил:
rt
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Контрольная работа.docx
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12-19) транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1.
Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.
Задача 4.
В соответствии со второй цифрой пароля выберете принципиальную схему устройства на основе идеального операционного усилителя и приведите исходные данные вашего варианта в соответствии с таблицей 2. Варианты схем приведены на рисунке 2.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12-19) транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1.
Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.
Задача 4.
В соответствии со второй цифрой пароля выберете принципиальную схему устройства на основе идеального операционного усилителя и приведите исходные данные вашего варианта в соответствии с таблицей 2. Варианты схем приведены на рисунке 2.
Дополнительная информация
Состояние: Зачет
Преподаватель: Игнатов А. Н.
- СибГУТИ
- 2015 г
Преподаватель: Игнатов А. Н.
- СибГУТИ
- 2015 г
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (4 сем.). Вариант №04.
teacher-sib
: 4 апреля 2017
ЗАДАЧА 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Варианты задания для полевых транзисторов:
Таблица П.1.1.
№ вар Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0,В
04 КП 303Д 1
teacher-sib
: 4 апреля 2017
150 руб.
Контрольная работа Вариант 8 "Электротехника, электроника и схемотехника"
Daniil2001
: 8 апреля 2022
Контрольная работа 1 05.04.2022 06.04.2022 Зачет Уважаемый -----, Борисов Александр Васильевич
Daniil2001
: 8 апреля 2022
80 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (4 сем.). Экзамен. Билет №4
nik200511
: 22 февраля 2014
1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные х
nik200511
: 22 февраля 2014
58 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (4 сем.). Экзамен. Билет № 7
tusur
: 25 июня 2014
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покаж
tusur
: 25 июня 2014
200 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (4 сем.). Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
Udacha2013
: 21 сентября 2014
Задание.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом n-типа.
Udacha2013
: 21 сентября 2014
200 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Вариант №8. Контрольная работа №1
Daniil2001
: 8 декабря 2021
Контрольная работа 1 02.12.2021 08.12.2021 Зачет Уважаемый Игнатьев Даниил Андреевич, Борисов Александр Васильевич
Задача 1
Задача посвящена анализу переходного процесса в цепи первого порядка, содержащей резисторы, конденсатор или индуктивность. В момент времени t = 0 происходит переключение ключа К, в результате чего в цепи возникает переходной процесс.
1. Перерисуйте схему цепи (см. рис. 1) для Вашего варианта (таблица 1).
2. Выпишите числовые данные для Вашего варианта (таблица 2).
3. Р
Daniil2001
: 8 декабря 2021
99 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника. Вариант №8
Cherebas
: 10 июня 2013
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
Cherebas
: 10 июня 2013
250 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (4-й сем.) Экзамен
tpogih
: 28 января 2015
Вопрос 1. Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов.
Вопрос 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
Вопрос 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передат
tpogih
: 28 января 2015
100 руб.
Другие работы
Опора, Кронштейн, Корпус. Вариант №1
bublegum
: 28 июня 2020
СОДЕРЖАНИЕ ЗАДАНИЯ №1.
Опора, Кронштейн, Корпус. Вариант 1
1. Выполнить по аксонометрической проекции модель детали.
2 Используя метод проецирования вида с модели создать чертеж,
построить три проекции используя штриховые линии для
обозначения невидимого контура и нанести размеры.
СОДЕРЖАНИЕ ЗАДАНИЯ №2
1. Выполнить по двум проекциям модель детали
2. Используя метод проецирования вида с модели создать чертеж в
двух проекциях, выполнив простой или сложный разрез. При
создании чертежа исключить
bublegum
: 28 июня 2020
350 руб.
Cтратиграфия и палеогеография поздневизейской системы бассейнов реки Ясная и реки Быстрая
VikkiROY
: 27 октября 2012
ПАЛЕОГЕОГРАФИЯ…………………………………………………………………10
ПРИЛОЖЕНИЕ 1……………………………………………………………………..12
ПРИЛОЖЕНИЕ 2……………………………………………………………………..13
ПРИЛОЖЕНИЕ 3……………………………………………………………………..14
ПРИЛОЖЕНИЕ 4……………………………………………………………………..15
ПРИЛОЖЕНИЕ 5……………………………………………………………………...16
ПРИЛОЖЕНИЕ 6……………………………………………………………………..17
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ…………………………………………………………….18
АННОТАЦИЯ
Произведено построение литолого-палеогеографической карты верхний фран нижнего девона, выделены области глубокого и мелкого шельфа, низменно
VikkiROY
: 27 октября 2012
10 руб.
Правила аргументации
Aronitue9
: 9 сентября 2012
Введение 3
1 Сущность аргументации 4
1. 1 Правила аргументации 4
1. 2 Методы и приемы аргументирования. 5
2 Стратегии аргументации. 9
2.1. Аргументативная стратегия. 9
2. 2 Агитационная стратегия 11
Заключение 13
Список используемой литературы 14
Целью данной контрольной работы является изучение правил аргументации. Соответственно задачами будут являться:
- изучение теоретических аспектов понятия дискуссия, изучение видов дискуссий;
- рассмотреть требования к построению аргументации дискуссий;
-
Aronitue9
: 9 сентября 2012
20 руб.
Зачетная работа по Цифровой обработке сигналов. Билет № 9, 4-й семестр.
SybNet
: 14 ноября 2012
Зачетная работа по Цифровой обработке сигналов, билет No09, 4 семестр.
1. Перестановка отсчетов при БПФ, назначение перестановки.
2. Билинейное преобразование.
3. Рассчитать с помощью ОБПФ сигнал из частотной области во временную, если X(jkω1) = {-2; -2 + j2; +2 + 2j; +2 + j2; -2; -2; +2; +2}
Дистанционное обучение СибГУТИ
SybNet
: 14 ноября 2012
110 руб.
