Электротехника, электроника и схемотехника (4 сем). Контрольная работа. Вариант №8
-
Категории:
Электротехника, СибГУТИ, Работа Контрольная
-
Добавлен:
14.02.2015
-
Размер:
303 KB
-
Покупок:
14
-
Добавил:
rt
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Контрольная работа.docx
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12-19) транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1.
Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.
Задача 4.
В соответствии со второй цифрой пароля выберете принципиальную схему устройства на основе идеального операционного усилителя и приведите исходные данные вашего варианта в соответствии с таблицей 2. Варианты схем приведены на рисунке 2.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12-19) транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1.
Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.
Задача 4.
В соответствии со второй цифрой пароля выберете принципиальную схему устройства на основе идеального операционного усилителя и приведите исходные данные вашего варианта в соответствии с таблицей 2. Варианты схем приведены на рисунке 2.
Дополнительная информация
Состояние: Зачет
Преподаватель: Игнатов А. Н.
- СибГУТИ
- 2015 г
Преподаватель: Игнатов А. Н.
- СибГУТИ
- 2015 г
Похожие материалы
Контрольная работа Вариант 8 "Электротехника, электроника и схемотехника"
Daniil2001
: 8 апреля 2022
Контрольная работа 1 05.04.2022 06.04.2022 Зачет Уважаемый -----, Борисов Александр Васильевич
Daniil2001
: 8 апреля 2022
80 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (4 сем.). Вариант №04.
teacher-sib
: 4 апреля 2017
ЗАДАЧА 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Варианты задания для полевых транзисторов:
Таблица П.1.1.
№ вар Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0,В
04 КП 303Д 1
teacher-sib
: 4 апреля 2017
150 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (4 сем.). Экзамен. Билет №4
nik200511
: 22 февраля 2014
1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные х
nik200511
: 22 февраля 2014
58 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Вариант №8. Контрольная работа №1
Daniil2001
: 8 декабря 2021
Контрольная работа 1 02.12.2021 08.12.2021 Зачет Уважаемый Игнатьев Даниил Андреевич, Борисов Александр Васильевич
Задача 1
Задача посвящена анализу переходного процесса в цепи первого порядка, содержащей резисторы, конденсатор или индуктивность. В момент времени t = 0 происходит переключение ключа К, в результате чего в цепи возникает переходной процесс.
1. Перерисуйте схему цепи (см. рис. 1) для Вашего варианта (таблица 1).
2. Выпишите числовые данные для Вашего варианта (таблица 2).
3. Р
Daniil2001
: 8 декабря 2021
99 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника. Вариант №8
Cherebas
: 10 июня 2013
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
Cherebas
: 10 июня 2013
250 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (4 сем.). Экзамен. Билет № 7
tusur
: 25 июня 2014
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покаж
tusur
: 25 июня 2014
200 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (4-й сем.) Контрольная работа. Вариант №4
s1nd
: 10 февраля 2015
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
№ вар Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0,В
04 КП 303Д 10 -8
Задача 2.
Исполь
s1nd
: 10 февраля 2015
250 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (4 сем.). Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
Udacha2013
: 21 сентября 2014
Задание.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом n-типа.
Udacha2013
: 21 сентября 2014
200 руб.
Другие работы
РГР/Контрольная работа по Основам Оптической связи, вариант 5
ScienceMonkey
: 9 марта 2022
Контрольная работа по дисциплине
«Основы оптической связи, Ч1»
Контрольная работа содержит 6 задач по 6 темам.
No варианта для решения задач соответствует последней цифре зачетной
книжки или двум последним цифрам.
Все необходимые расчётные соотношения, таблицы и графики приведены в
методических указаниях по выполнению контрольной работы.
При решении задач следует помнить, что необходимо приводить расчётную
формулу с указанием рассчитываемой величины и единицы измерения.
Ко всем рассчитанным вели
ScienceMonkey
: 9 марта 2022
310 руб.
Сущность товара и исследований в маркетинге
Lokard
: 16 октября 2013
Содержание
1. Товар и его особенности в маркетинге
1.1 Классификация товаров
1.2 Жизненный цикл товаров
1.3 Классификация видов жизненного цикла
2. Маркетинговые исследования
2.1 Качественные методы
2.2 Количественные методы
Список используемой литературы
1. Товар и его особенности в маркетинге
Все мы живём в мире товаров, каждый день мы приобретаем товары для удовлетворения своих вечно растущих потребностей, каждый день товар продаём. И это утверждение верно не только по отношению к п
Lokard
: 16 октября 2013
15 руб.
Управление запасами на производственном предприятии (на примере ОАО Минский молочный завод №1)
evelin
: 26 июля 2015
Теоретические аспекты управления запасами на производственном предприятии.
Экономическая сущность запасов, их классификация и роль в обеспечении производственного процесса.
Характеристика основных систем управления запасами производственного предприятия.
Анализ системы управления запасами производственного предприятия на примере ОАО «Минский молочный завод №1».
Организационно-экономическая характеристика предприятия.
Анализ действующей системы управления запасами предприятия.
Методы совершенство
evelin
: 26 июля 2015
30 руб.
Инфракрасная сушка
proekt-sto
: 21 ноября 2020
1. КОНСТРУКТОРСКАЯ ЧАСТЬ
1.1. Обоснование разработки
1.2 Расчет центральной стойки инфракрасной сушки
1.2.1. Расчет стойки
1.2.2. Расчет грузового винта по удельному давлению в резьбе
1.2.3. Проверка винта на устойчивость
1.2.4. Расчет болтов крепления двигателя к кронштейну стенда
1.2.5. Расчет пальца на срез и смятие
1.2.6. Подбор подшипника качения
В качестве конструкторской разработки был выбран расчет окрасочно-сушильной камеры с стационарной ИК-сушкой на базе мобильной ИК-сушке TROM
proekt-sto
: 21 ноября 2020
1000 руб.
