Электротехника, электроника и схемотехника (4 сем). Контрольная работа. Вариант №8
-
Категории:
Электротехника, СибГУТИ, Работа Контрольная
-
Добавлен:
14.02.2015
-
Размер:
303 KB
-
Покупок:
14
-
Добавил:
rt
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Контрольная работа.docx
|
Необходимые программы
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12-19) транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1.
Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.
Задача 4.
В соответствии со второй цифрой пароля выберете принципиальную схему устройства на основе идеального операционного усилителя и приведите исходные данные вашего варианта в соответствии с таблицей 2. Варианты схем приведены на рисунке 2.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12-19) транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1.
Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.
Задача 4.
В соответствии со второй цифрой пароля выберете принципиальную схему устройства на основе идеального операционного усилителя и приведите исходные данные вашего варианта в соответствии с таблицей 2. Варианты схем приведены на рисунке 2.
Дополнительная информация
Состояние: Зачет
Преподаватель: Игнатов А. Н.
- СибГУТИ
- 2015 г
Преподаватель: Игнатов А. Н.
- СибГУТИ
- 2015 г
Похожие материалы
Контрольная работа Вариант 8 "Электротехника, электроника и схемотехника"
Daniil2001
: 8 апреля 2022
Контрольная работа 1 05.04.2022 06.04.2022 Зачет Уважаемый -----, Борисов Александр Васильевич
Daniil2001
: 8 апреля 2022
80 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (4 сем.). Вариант №04.
teacher-sib
: 4 апреля 2017
ЗАДАЧА 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Варианты задания для полевых транзисторов:
Таблица П.1.1.
№ вар Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0,В
04 КП 303Д 1
teacher-sib
: 4 апреля 2017
150 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (4 сем.). Экзамен. Билет №4
nik200511
: 22 февраля 2014
1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные х
nik200511
: 22 февраля 2014
58 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Вариант №8. Контрольная работа №1
Daniil2001
: 8 декабря 2021
Контрольная работа 1 02.12.2021 08.12.2021 Зачет Уважаемый Игнатьев Даниил Андреевич, Борисов Александр Васильевич
Задача 1
Задача посвящена анализу переходного процесса в цепи первого порядка, содержащей резисторы, конденсатор или индуктивность. В момент времени t = 0 происходит переключение ключа К, в результате чего в цепи возникает переходной процесс.
1. Перерисуйте схему цепи (см. рис. 1) для Вашего варианта (таблица 1).
2. Выпишите числовые данные для Вашего варианта (таблица 2).
3. Р
Daniil2001
: 8 декабря 2021
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника. Вариант №8
Cherebas
: 10 июня 2013
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
Cherebas
: 10 июня 2013
250 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (4 сем.). Экзамен. Билет № 7
tusur
: 25 июня 2014
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покаж
tusur
: 25 июня 2014
200 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (4 сем.). Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
Udacha2013
: 21 сентября 2014
Задание.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом n-типа.
Udacha2013
: 21 сентября 2014
200 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (4-й сем.) Контрольная работа. Вариант №4
s1nd
: 10 февраля 2015
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
№ вар Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0,В
04 КП 303Д 10 -8
Задача 2.
Исполь
s1nd
: 10 февраля 2015
250 руб.
Другие работы
Контрольная работа по физике, семестр 2, вариант 7.
Uliya
: 23 января 2020
Задача 507
При незатухающих гармонических колебаниях точки ее максимальная скорость равна 0,1 м/с, а максимальное ускорение равно I м/с. Написать уравнение колебаний, считая, что в начальный момент времени смещение максимально.
Задача 517
Индуктивность колебательного контура равна 2 мГн. При какой емкости контур резонирует на длину волны 600 м? Как изменится длина волны, если индуктивность контура увеличить в два раза?
Задача 527
Написать уравнение, являющееся результатом сложения двух одинаков
Uliya
: 23 января 2020
150 руб.
Тепломассообмен СЗТУ Задача 2 Вариант 68
Z24
: 30 января 2026
Железобетонная дымовая труба внутренним диаметром 800 мм и наружным диаметром 1300 мм должна быть футерована внутри огнеупором.
Определить толщину футеровки и температуру наружной поверхности трубы из условий, чтобы тепловые потери с одного погонного метра трубы не превышали ql, а температура внутренней поверхности трубы не должна превышать t2. Температура внутренней поверхности футеровки t1. Коэффициент теплопроводности футеровки λ1=0,838+0,001t, Вт/(м·К), коэффициент теплопроводности бетона
Z24
: 30 января 2026
150 руб.
Программы государственной поддержки малого предпринимательства
Slolka
: 2 ноября 2013
Малый бизнес в России играет большую роль в формировании стабильной рыночной структуры, развитии экономического сектора. Помимо этого малый бизнес выполняет большой ряд важнейших социально-экономических задач, таких как создание рабочих мест, повышение конкуренции, что, в конечном счете, приводит к уменьшению безработицы, снижению цен.
Малый бизнес — это то, что будет иметь смысл всегда, так как людям нужны услуги, штучные товары, питание, развлечения и многое другое. Развитие малого бизнеса —
Slolka
: 2 ноября 2013
10 руб.
Расчётно-графическая работа по Математическому анализу. Вариант №3
Omrade
: 10 февраля 2022
1.4. Исследовать сходимость числового ряда:
2.4. Найти область сходимости степенного ряда:
3.4. Разложить данную функцию f x в ряд Фурье (во всех вариантах функция является
периодической с периодом T 2 )
4.4. Найти все особые точки функции, определить их характер и вычислить вычеты в них
5.4. С помощью вычетов вычислить данный интеграл по контуру:
вот
Omrade
: 10 февраля 2022
20 руб.
