Электротехника, электроника и схемотехника (4 сем). Контрольная работа. Вариант №8
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12-19) транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1.
Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.
Задача 4.
В соответствии со второй цифрой пароля выберете принципиальную схему устройства на основе идеального операционного усилителя и приведите исходные данные вашего варианта в соответствии с таблицей 2. Варианты схем приведены на рисунке 2.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12-19) транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1.
Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.
Задача 4.
В соответствии со второй цифрой пароля выберете принципиальную схему устройства на основе идеального операционного усилителя и приведите исходные данные вашего варианта в соответствии с таблицей 2. Варианты схем приведены на рисунке 2.
Дополнительная информация
Состояние: Зачет
Преподаватель: Игнатов А. Н.
- СибГУТИ
- 2015 г
Преподаватель: Игнатов А. Н.
- СибГУТИ
- 2015 г
Похожие материалы
Контрольная работа Вариант 8 "Электротехника, электроника и схемотехника"
Daniil2001
: 8 апреля 2022
Контрольная работа 1 05.04.2022 06.04.2022 Зачет Уважаемый -----, Борисов Александр Васильевич
80 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (4 сем.). Вариант №04.
teacher-sib
: 4 апреля 2017
ЗАДАЧА 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Варианты задания для полевых транзисторов:
Таблица П.1.1.
№ вар Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0,В
04 КП 303Д 1
150 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (4 сем.). Экзамен. Билет №4
nik200511
: 22 февраля 2014
1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные х
58 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Вариант №8. Контрольная работа №1
Daniil2001
: 8 декабря 2021
Контрольная работа 1 02.12.2021 08.12.2021 Зачет Уважаемый Игнатьев Даниил Андреевич, Борисов Александр Васильевич
Задача 1
Задача посвящена анализу переходного процесса в цепи первого порядка, содержащей резисторы, конденсатор или индуктивность. В момент времени t = 0 происходит переключение ключа К, в результате чего в цепи возникает переходной процесс.
1. Перерисуйте схему цепи (см. рис. 1) для Вашего варианта (таблица 1).
2. Выпишите числовые данные для Вашего варианта (таблица 2).
3. Р
99 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника. Вариант №8
Cherebas
: 10 июня 2013
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
250 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (4 сем.). Экзамен. Билет № 7
tusur
: 25 июня 2014
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покаж
200 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (4-й сем.) Контрольная работа. Вариант №4
s1nd
: 10 февраля 2015
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
№ вар Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0,В
04 КП 303Д 10 -8
Задача 2.
Исполь
250 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (4 сем.). Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
Udacha2013
: 21 сентября 2014
Задание.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом n-типа.
200 руб.
Другие работы
Проблемы экологии и человек
ostah
: 11 марта 2013
С первых шагов своего развития человек неразрывно связан с природой. Он всегда находился в тесной зависимости от растительного и животного мира, от их ресурсов и был вынужден повседневно считаться с особенностями распределения и образа жизни зверей, рыб, птиц. Представления древнего человека об окружающей среде не носили научного характера и были не всегда осознанными, но с течением времени они послужили источником накопления экологических знаний. Повсеместно растёт понимание того, что человече
10 руб.
Лабораторная работа № 5 по дисциплине: Общая теория связи. 4-й семестр, Вариант №3
ramzes14
: 24 мая 2013
Цель работы:
Исследование помехоустойчивости и эффективности устройств защиты от ошибок в дискретном канале передачи информации.
Лабораторное задание:
1. Исследовать распределение кратностей ошибок на длине кодового слова n для различных видов дискретной модуляции (АМ, ЧМ, ФМ) при когерентном приеме в канале связи с постоянными параметрами.
2. Исследовать влияние правила решения для демодуляции символа по принимаемой смеси сигнала и помехи (МП – максимального правдоподобия, МАВ – максимальной а
70 руб.
Буровая установка Уралмаш 5000/320 ДГУ-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа -текст на украинском языке
nakonechnyy.1992@list.ru
: 16 ноября 2017
Буровая установка Уралмаш 5000/320 ДГУ-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа -текст на украинском языке
368 руб.
Мобильная парогенераторная установка-Чертеж-Оборудование для капитального ремонта, обработки пласта, бурения и цементирования нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 5 июня 2016
Мобильная парогенераторная установка-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование для капитального ремонта, обработки пласта, бурения и цементирования нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
297 руб.