Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники". 3-й семестр. вариант №21
-
Категории:
СибГУТИ, Физические основы электроники, Работа Контрольная
-
Добавлен:
16.03.2015
-
Размер:
647 KB
-
Покупок:
7
-
Добавил:
Serebro09
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
контр. физ.основы электроники.doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 4
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Вариант Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В
2 КП 903 А 10 8
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 4
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Вариант Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В
2 КП 903 А 10 8
Дополнительная информация
СибГУТИ Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 30.10.2014
Рецензия:Уважаемая Ф.И.О.
Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидович
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 30.10.2014
Рецензия:Уважаемая Ф.И.О.
Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидович
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники.3-й семестр. Вариант №19
58197
: 22 сентября 2013
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
58197
: 22 сентября 2013
75 руб.
Контрольная работа по дисциплине физические основы электроники
Иннокентий
: 30 сентября 2019
Описание:
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
№ вар. Тип БТ ЕК, В
RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t пc К,
6 КТ605А 15 300 625 375 20 2,5 230
Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или
Иннокентий
: 30 сентября 2019
100 руб.
Контрольная работа По дисциплине: «Физические основы электроники»
andreyan
: 13 декабря 2017
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
andreyan
: 13 декабря 2017
60 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники
sergeyw78
: 23 мая 2013
ЗАДАЧА №1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2),
включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
ЗАДАЧА №2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
sergeyw78
: 23 мая 2013
75 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники"
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 23 февраля 2013
Задача 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на частот
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 23 февраля 2013
300 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники"
RomIN
: 1 июля 2010
СибГути 04 вариант
Задача 1:
Дан биполярный транзистор КТ605А
По статическим характеристикам (рис.1.1 и рис.1.2) заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) ра
RomIN
: 1 июля 2010
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант 23
SibGOODy
: 23 августа 2024
Задача 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления п
SibGOODy
: 23 августа 2024
1000 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №15
djo
: 8 сентября 2020
Задача 1.
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления
djo
: 8 сентября 2020
200 руб.
Другие работы
Страхование и актуарные расчеты
antikeks
: 20 июля 2013
Лабораторная работа №1
Тема: Интенсивность смертности
Задание: Имеется функция выживания:
1. Найти интенсивности смертности µx, кривую смертей f(x) и функцию распределения F(x).
2. Найти вероятности того, что умрет случайно выбранный человек в промежутке от 10 до 30 лет.
Лабораторная работа №2
Тема: Кривая смертей
Задание: кривая смертей описывается формулой:
а) Найдите функцию распределения остаточного времени жизни T(x)=X-x (X, х - момент смерти и возраст индивида), .
б) Найдите плотность
antikeks
: 20 июля 2013
550 руб.
Анализ динамики уровня жизни населения РБ за 2002 - 2005г
smit1991
: 8 мая 2013
УГАТУ. Преподаватель: Ислакаева Г. Р.
стр. 43
- определение понятия "уровень жизни"
- теоретические и методологические подходы оценки уровня жизни
- анализ уровня жизни населения РБ на основе индекса развития человеческого потенциала
- направления повышения уровня жизни
smit1991
: 8 мая 2013
Информатика часть 1-я. Лабораторная работа №5
oly
: 25 февраля 2018
Информатика часть 1. Лабораторная работа 5
Пример отформатированной объяснительной записки
О Т Ч Е Т
по лабораторной работе № 5
Программирование разветвляющихся процессов
Дана действительная квадратная матрица А размера n х n. Вычислить среднее значение элементов матрицы, которые являются четными числами.(сами числа должны быть четными, а не их номер строки).
Чтобы найти их среднее значение, необходимо посчитать их сумму и количество. Среднее значение – это сумма чисел, деленная на их количес
oly
: 25 февраля 2018
80 руб.
Шлицевое соедининие. Вариант 2
lepris
: 23 августа 2022
Шлицевое соедининие. Вариант 2
Выполнить чертежи деталей 1 и 2 в отдельности, нанести обозначения, учитывая требования ГОСТ 2.409-74.
Чертежи и 3d модели (все на скриншотах показано и присутствует в архиве) сделано и открываются в компасе v13, компас v14, компас v15, компас v16, компас v17, компас v18, компас v19, компас v20, компас v21, компас v22 и выше версиях компаса.
Также открывать и просматривать, печатать чертежи и 3D-модели, выполненные в КОМПАСЕ можно просмоторщиком КОМПАС-3D Viewer
lepris
: 23 августа 2022
150 руб.
