Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники". 3-й семестр. вариант №21
-
Категории:
СибГУТИ, Физические основы электроники, Работа Контрольная
-
Добавлен:
16.03.2015
-
Размер:
647 KB
-
Покупок:
7
-
Добавил:
Serebro09
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
контр. физ.основы электроники.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 4
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Вариант Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В
2 КП 903 А 10 8
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 4
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Вариант Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В
2 КП 903 А 10 8
Дополнительная информация
СибГУТИ Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 30.10.2014
Рецензия:Уважаемая Ф.И.О.
Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидович
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 30.10.2014
Рецензия:Уважаемая Ф.И.О.
Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидович
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники.3-й семестр. Вариант №19
58197
: 22 сентября 2013
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
58197
: 22 сентября 2013
75 руб.
Контрольная работа по дисциплине физические основы электроники
Иннокентий
: 30 сентября 2019
Описание:
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
№ вар. Тип БТ ЕК, В
RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t пc К,
6 КТ605А 15 300 625 375 20 2,5 230
Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или
Иннокентий
: 30 сентября 2019
100 руб.
Контрольная работа По дисциплине: «Физические основы электроники»
andreyan
: 13 декабря 2017
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
andreyan
: 13 декабря 2017
60 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники
sergeyw78
: 23 мая 2013
ЗАДАЧА №1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2),
включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
ЗАДАЧА №2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
sergeyw78
: 23 мая 2013
75 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники"
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 23 февраля 2013
Задача 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на частот
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 23 февраля 2013
300 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники"
RomIN
: 1 июля 2010
СибГути 04 вариант
Задача 1:
Дан биполярный транзистор КТ605А
По статическим характеристикам (рис.1.1 и рис.1.2) заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) ра
RomIN
: 1 июля 2010
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант 09
Учеба "Под ключ"
: 30 июля 2026
Определение параметров и выбор полупроводниковых диодов
Цель работы
a) Научиться рассчитывать параметры диодов.
b) Научиться пользоваться справочной литературой по полупроводниковым диодам.
c) Научиться производить выбор диодов для конкретных радиоэлектронных устройств.
Таблица А1– Исходные данные для заданий 1,2,3
Вариант: 09
Тип диода VD: Д302
R,Ом: 0,4
U,В: 0,4
Рисунок Б27 – ВАХ диода Д302
Задание 1
Цепь состоит из последовательно включенного диода VD и резистора R (см. р
Учеба "Под ключ"
: 30 июля 2026
1300 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант 10
Учеба "Под ключ"
: 30 июля 2026
Контрольная работа по курсу ФОЭ
«Определение параметров и выбор полупроводниковых диодов»
Цель работы
a) Научиться рассчитывать параметры диодов.
b) Научиться пользоваться справочной литературой по полупроводниковым диодам.
c) Научиться производить выбор диодов для конкретных радиоэлектронных устройств.
Таблица А1 – Исходные данные для заданий 1,2,3
Вариант: 10
Тип диода VD: ГД402А
R,Ом: 7,5
U,В: 0,9
Задание 1
Цепь состоит из последовательно включенного диода VD и резистора R
Учеба "Под ключ"
: 30 июля 2026
1300 руб.
Другие работы
Усеченная пирамида. Вариант 5 ЧЕРТЕЖ
coolns
: 14 апреля 2026
Усеченная пирамида. Вариант 5 ЧЕРТЕЖ
Задание 41
Выполнить чертеж усеченной пирамиды. Найти действительную величину контура фигуры сечения. Построить аксонометрическую проекцию и развертку усеченной пирамиды.
d = 65 мм
h = 64 мм
m = 49 мм
а° = 30 град
Чертеж выполнен на формате А3 + 3d модель + pdf (все на скриншотах показано и присутствует в архиве) выполнены в КОМПАС 3D.
Также открывать и просматривать, печатать чертежи и 3D-модели, выполненные в КОМПАСЕ можно просмоторщиком К
coolns
: 14 апреля 2026
200 руб.
Проблема отцовства в современной тувинской семьи
Slolka
: 10 октября 2013
Введение
Глава 1. Проблема изучения отцовства в психологии
1.1. Специфика современного отцовства в свете проблемы развития личности
1.2. Методы изучения феномена отцовства и факторов оптимизации развития личности
Глава 2. Проблемы отцовства в современной семьи
2.1. Проблема определения отцовства
2.2. Проблема отцовства в современной тувинской семьи.
Глава 3. Методы исследования отцовства в психологической практике
3.1. Экспериментальное исследование структуры отцовства
3.2. Эксперимент
Slolka
: 10 октября 2013
5 руб.
Интерфейсы и протоколы цифровых систем коммутации. Курсовая работа. «Проект ЦС СТС на базе SI 2000 V.5». Вариант 8. 2020 год
SibGUTI2
: 22 октября 2020
Задание 8
к курсовому проекту по теме
Проект ЦС СТС на базе SI 2000 V.5
1. Назначение АТС: центральная станция типа SI-2000 V.5
2. Емкость станции:
2.1. Количество абонентов, включенных в центральную АТС: 3549;
2.2. Количество местных таксофонов: 15;
2.3. Количество междугородных таксофонов: 10;
2.4. Количество кабин переговорных пунктов: 5;
2.5. Количество оконечных устройств передачи данных: 9;
2.6. Количество пользователей ISDN:
доступ 30B+D: 4;
доступ 2B+D:17;
2.7. УПАТС, включенные в ЦС:
т
SibGUTI2
: 22 октября 2020
120 руб.
Лекции по коммерческому праву
alfFRED
: 19 апреля 2013
Предмет и система курса коммерческого права.
Субъекты коммерческой деятельности.
Объекты торгового права.
Формирование структуры и инфраструктуры товарного рынка
Договоры, регулирующие торговый оборот. Заключение, изменение и расторжение торговых договоров
Сущность договора
Отличительные черты коммерческих договоров
Составные обязательства
Правовое регулирование заключения договоров
Способы заключения торговых договоров
Заключение договоров в сети интернет
Изменение и расторжение договоров
До
alfFRED
: 19 апреля 2013
10 руб.
