Контрольная работа по дисциплине: устройства оптоэлектроники. Вариант №5. (4-й семестр).

Цена:
50 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 269E2460-23BE-4455-A27E-FAE10DD7D64E.rar [ 367 KB ]
material.view.file_icon гр.РБТ-22,вар-05,контр.раб.устройства оптоэлектроники.doc [ 771 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
По условию задания, в соответствии с номером варианта (05), задан фотодиод- транзистор.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
По условию данные в задаче соответствуют варианту No0.
Тип ПП материала Ge
Квантовая эффективность, h 0,2
Ширина запрёщенной зоны ∆W, эВ 0,6

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 09.03.2014
Рецензия:Уважаемый Сергей Николаевич,Вы неверно указали положение граничной длины волны в задаче 2 и силу света в задаче 4

Игнатов Александр Николаевич

Похожие материалы

Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант №5
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Последняя цифра пароля: 5 Тип фотоприемника: Фотодиод-транзистор Задача № 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр. Предпоследняя цифра пароля: 0 Тип ПП материала: Ge Квантовая эффективность n: 0,2 Ширина запрещенной зоны
ДО СИБГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User SibGOODy : 17 марта 2018
400 руб.
Контрольная работа По дисциплине: устройство оптоэлектроники. Вариант №5.
Задача 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Тип фотоприёмника (ФП): фотодиод-транзистор. Задача 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней l гр. Исходные данные. Тип ПП материала: Ge. Квантовая эффективность: h = 0,2. Ширина запрещённой зоны: DW = 0,6 эВ. Задача 3. И
ДО СИБГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User teacher-sib : 20 октября 2016
100 руб.
promo
Контрольная работа по дисциплине: «Устройства оптоэлектроники». Вариант №5.
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 5 Фотодиод-транзистор Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 3. Таблица 3.
ДО СИБГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User freelancer : 23 апреля 2016
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант № 16. 3-й семестр.
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант No 6. Составной фототранзистор Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней l гр. Вариант No 1. Тип ПП материала – Si. Квантовая эффективность, n – 0,7. Ширина запрещенной зоны Δ W, эВ – 1,12. Задача No3 Изоб
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User vindemia : 3 июня 2015
200 руб.
Экзамен по устройству оптоэлектронике. 4-й семестр
Вопросы к зачету: 1.Система обозначений оптоэлектронных приборов. 2.Устройство и принцип действия суперлюминсцентного диода. 3.Устройство и принцип действия диодно-транзисторного фотоприемника. 4.Устройство и принцип действия электрохромного индикатора.
СибГУТИ Электроника Работа Зачетная
User ramzes14 : 15 февраля 2013
150 руб.
Устройство оптоэлектроники. Зачет. 4-й семестр
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники». Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Световые параметры. Раздел Излучатели. 2.Принцип действия и условия работы лазера. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.ПЗС фотоприемник. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия жидко кристаллического индикатора на основе эффекта динамического рассеяния.
СибГУТИ Волоконно-оптические системы связи Работа Зачетная
User Dimark : 21 января 2013
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Фотодиод с гетероструктурой Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны. Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User karimoverkin : 11 июня 2017
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 0 Фотодиод на основе р-n перехода Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр. Исходные данные Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
СибГУТИ Электроника Работа Контрольная
User Dctjnkbxyj789 : 11 февраля 2017
35 руб.

Другие работы

Резьбовое соединение муфты с трубой. Вариант 13г
Резьбовое соединение муфты с трубой. Вариант 13г Начертить муфту прямую с ввернутой в него справа трубой. Размеры трубы подобрать по ГОСТу. Чертеж формата А4 (все на скриншотах показано и присутствует в архиве) выполнены в компасе 3D v13, возможно открыть в 14,15,16,17,18,19,20,21,22 и выше версиях компаса. Также открывать и просматривать, печатать чертежи и 3D-модели, выполненные в КОМПАСЕ можно просмоторщиком КОМПАС-3D Viewer. Просьба по всем вопросам писать в Л/С. Отвечу и помогу.
БНТУ Инженерная и компьютерная графика Работа Контрольная
User lepris : 22 апреля 2022
70 руб.
Резьбовое соединение муфты с трубой. Вариант 13г
Таможенная политика Петра I. Характер, особенности, противоречия.
Оглавление I. Введение II. Пётр Великий Ø Петровские преобразования III. Таможенная политика Петра I. Характер, особенности, противоречия. IV. Заключение V. Список литературы Введение История таможенного дела России с момента его возникновения и до современной Российской Федерации насчитывает тысячелетия. Древнейшие источники: договоры, летописи, государственные доку­менты, грамоты, а также сказания и былины - не содержат сведений, которые представили бы на
Таможенное дело Работа
User Elfa254 : 2 августа 2013
10 руб.
Теплотехника КемТИПП 2014 Задача Б-1 Вариант 30
m кг воздуха с начальной температурой t1 сжимается от давления р1=0,1 МПа до давления р2. Сжатие происходит по изотерме, адиабате и политропе с показателем политропы n. Определить для каждого из трех процессов сжатия конечную температуру воздуха, работу, отведенное тепло, изменение внутренней энергии и энтропии воздуха. Изобразить процессы сжатия в p,υ и T,s — диаграммах.
Задачи Теплотехника
User Z24 : 19 января 2026
250 руб.
Теплотехника КемТИПП 2014 Задача Б-1 Вариант 30
Реферат "Анализ сущности объекта"
Реферат по философии на тему: "Анализ сущности объекта". СОДЕРЖАНИЕ 1. Введение 2. Гносеологический аспект проблемы объекта. Типы исследуемых наукой объектов 3. Диалектический характер познавательного процесса 4. Онтологический аспект сущности исследуемых объектов 5. Выводы.
******* Не известно Рефераты Философия
User Avtor79 : 22 марта 2015
150 руб.
Реферат "Анализ сущности объекта"
up Наверх