Экзамен. Электроника. 3-й семестр.
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника, Работа Экзаменационная
-
Добавлен:
17.03.2015
-
Размер:
933 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
CDT-1
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Экзамен Электроника.doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1. Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Дополнительная информация
Новосибирск, 2011г. Оценка: Хорошо.
Похожие материалы
Электроника. 3-й семестр. Экзамен
Ирина16
: 19 декабря 2017
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
Ирина16
: 19 декабря 2017
120 руб.
Электроника. Экзамен. 3-й семестр
Студенткааа
: 19 февраля 2015
1.Эквивалентные схемы полевых транзисторов.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики
Студенткааа
: 19 февраля 2015
100 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника, 2-й семестр.
alexip23
: 26 сентября 2015
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встрое
alexip23
: 26 сентября 2015
200 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. 3-й семестр
наташ
: 29 ноября 2011
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, п
наташ
: 29 ноября 2011
300 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен. 4-й семестр
karapulka
: 22 января 2017
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные ха
karapulka
: 22 января 2017
50 руб.
Электроника. Экзамен. СБТ/МБТ. 4-й семестр
sanco25
: 16 февраля 2014
Вопрос 1. Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы.
Вопрос 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
Вопрос 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные
sanco25
: 16 февраля 2014
59 руб.
Электроника. Экзамен. 5-й семестр. Билет № 13
chester
: 10 января 2013
1.Принцип действия полевого транзистора с р-n переходом.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покаж
chester
: 10 января 2013
150 руб.
Электроника. Экзамен. 3-й семестр. 13-й вариант
nataliykokoreva
: 17 ноября 2013
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Принцип действия полевого транзистора с р-n переходом.
Транзисторы этого типа являются униполярными в отличие от бездрейфовых и дрейфовых транзисторов, в принципе работы которых лежит использование носителей заряда двух типов: электронов и дырок, и которые поэтому называются биполярными. В униполярных транзисторах явление инжекции не используется и в принципе их работы лежит использование носителей
2.Изобразите принципиальную схему базового эл
nataliykokoreva
: 17 ноября 2013
50 руб.
Другие работы
Культурно-просвітницька діяльність Руської трійці на ниві духовної культури Галичини
Aronitue9
: 3 марта 2013
Творче ессе
з історії української культури на тему:
Передумови виникнення «Руської трійці»
Суспільно-історична діяльність "Руської трійці" на тлі Галицького відродження
"Русалка Дністрова" – провідний альманах "Руської Трійці"
Український романтизм має багато спільного з романтизмом загальноєвропейським. Але водночас це є глибоконаціональне явище, живлене українським корінням, українським світосприйняттям і українською історією. Окрім цього, "Романтизм як етнокультурна домінанта першої полов
Aronitue9
: 3 марта 2013
5 руб.
Техническая термодинамика и теплотехника УГНТУ Задача 1 Вариант 25
Z24
: 14 декабря 2025
Для газовой смеси, имеющей определенный объем каждого компонента определить:
— объемный состав смеси;
— массовый состав смеси;
— удельные газовые постоянные компонентов и смеси;
— кажущуюся молекулярную массу смеси;
— массы и парциальные давления компонентов, при давлении смеси (рсм, МПа), объеме смеси (м³) и температуре (tсм);
— плотность и удельный объем компонентов и смеси при заданных и нормальных физических условиях;
— средние теплоемкости смеси (массовую и объемную) пр
Z24
: 14 декабря 2025
280 руб.
Контрольная работа по предмету "Направляющие среды в сетях электросвязи и их методы защиты (часть 2)" Вариант 14
ZhmurovaUlia
: 7 февраля 2019
Задание на проектирование междугородных ВОЛП
В контрольной работе необходимо:
1. Выбрать и обосновать трассу ВОЛП. Привести схему трассы.
2. Определить необходимое число каналов.
3. Рассчитать параметры оптического кабеля.
4. Выбрать систему передачи и определить требуемое число ОВ в кабеле.
5. Привести эскиз выбранного типа ОК и его основные параметры.
6. Рассчитать длину регенерационного участка.
7. Разработать схему организации связи на основе выбранной системы передачи.
8. Привести схему р
ZhmurovaUlia
: 7 февраля 2019
120 руб.
Лабораторные работы по дисциплине: Вычислительная техника и информационные технологии. Вариант №12
Колька
: 11 декабря 2016
1. Цель работы
Изучение свойств логических элементов «И–НЕ»; приобретение навыков синтеза логических схем.
2. Цель работы
Изучение свойств комбинационных цифровых устройств: шифратора, дешифратора, сумматора, мультиплексора и приобретение навыков выполнения арифметических микроопераций.
3. Цель работы
Экспериментальное исследование работы различных типов триггеров.
4. Цель работы
Экспериментальное исследование работы различных типов двоичных счетчиков.
Колька
: 11 декабря 2016
50 руб.
