Экзамен. Электроника. 3-й семестр.

Цена:
120 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 5EF526B3-50EB-4E72-BEF1-3ED7ABD73FF9.rar [933 KB]
material.view.file_icon Экзамен Электроника.doc [12 стр., 1 MB]

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

1. Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

Новосибирск, 2011г. Оценка: Хорошо.

Похожие материалы

Электроника. 3-й семестр. Экзамен
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Ирина16 : 19 декабря 2017
120 руб.
Электроника. Экзамен. 3-й семестр
1.Эквивалентные схемы полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Студенткааа : 19 февраля 2015
100 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника, 2-й семестр.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встрое
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User alexip23 : 26 сентября 2015
200 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. 3-й семестр
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, п
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User наташ : 29 ноября 2011
300 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен. 4-й семестр
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные ха
Электротехника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User karapulka : 22 января 2017
50 руб.
Электроника. Экзамен. СБТ/МБТ. 4-й семестр
Вопрос 1. Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы. Вопрос 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. Вопрос 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User sanco25 : 16 февраля 2014
59 руб.
Электроника. Экзамен. СБТ/МБТ. 4-й семестр
Электроника. Экзамен. 5-й семестр. Билет № 13
1.Принцип действия полевого транзистора с р-n переходом. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покаж
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User chester : 10 января 2013
150 руб.
Электроника. Экзамен. 3-й семестр. 13-й вариант
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Принцип действия полевого транзистора с р-n переходом. Транзисторы этого типа являются униполярными в отличие от бездрейфовых и дрейфовых транзисторов, в принципе работы которых лежит использование носителей заряда двух типов: электронов и дырок, и которые поэтому называются биполярными. В униполярных транзисторах явление инжекции не используется и в принципе их работы лежит использование носителей 2.Изобразите принципиальную схему базового эл
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User nataliykokoreva : 17 ноября 2013
50 руб.

Другие работы

Проект участка востановление деталей в Чишминском филиале ГУСП «БАШСЕЛЬХОЗТЕХНИКА»
ОГЛАВЛЕНИЕ ВВЕДЕНИЕ ……………………………………………………………………….…7 1 АНАЛИЗ ПРОИЗВОДСТВЕННОЙ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ ЧИШМИНСКОГО ФИЛИАЛА ГУСП «БАШСЕЛЬХОЗТЕХНИКА» …9 1.1 Общая характеристика предприятия ….9 1.2 Организация и технология ремонта машин в мастерской РТП ………….11 1.2.1 Характеристика ремонтной мастерской …11 1.2.2 Технология ремонта двигателей ………….…...12 1.2.3 Организация технического контроля ……………..15 1.3 Технико-экономические показатели работы РТП и мастерской ………...16 2 РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИИ ВОССТАНОВЛЕНИЯ
******* Не известно Диплом и связанное с ним Дипломные проекты
User Рики-Тики-Та : 15 декабря 2015
825 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Вычислительные системы, сети, телекоммуникации. Вариант №4
Задача № 1 Сформируйте разрешенную кодовую комбинацию циклического кода. Производящий полином: х4+х3+х+1, а исходная кодовая комбинация имеет вид: для вариантов с 1 по 5 – 10110, с 6 по 10 – 01100, с 11 по 16- 11010. Задача № 2 Определить, является ли кодовая комбинация 24+2(N+3) разрешенной кодовой комбинацией, если известно, что образующий полином соответствует числу 2N+13, где N – номер варианта (4). Задача № 3 Определить реальную энтропию для алфавита (А) со следующими вероятностями (р) 0,
СибГУТИ Работа Контрольная Вычислительные машины, системы и сети
User IT-STUDHELP : 17 июля 2020
390 руб.
promo
«Русскость» как топос «локального текста»: случай Мурома
Исторические события, связанные с возникновением того или иного города, иногда живо осмысливаются его «локальным текстом» (например, «петербургский текст» невозможен без образа Петра I и формулы город, построенный на болоте). Для мифологии города Мурома определяющим стал его возраст (Муром впервые упоминается в летописи в 862 г.). Основными признаками Мурома в «локальном тексте» становятся следующие: это город русский, древний, православный, былинный. Как показывают интервью с муромлянами[1] , п
Языкознание Работа
User Slolka : 24 февраля 2014
Контрольная по электротехнике
4 практическихзадачи по электротехнике Задача 1. Электрический заряд перемещается из точки с потенциалом 125 В в точку с потенциалом 75 В. При этом силы электростатического поля совершает работу 1 мДж. Определите величину заряда g. Задача 2 Определить электрическую емкость C плоского конденсатора с двумя слоями диэлектриков: фарфора толщиной d1=2 мм и эбонита толщиной d2=1,5 мм, если площадь S пластин равна 100 см2 3. Перечертить схему согласно подключению напряжения. Определить недостающие п
Электротехника Практические занятия и отчеты
User grojest : 3 апреля 2013
up Наверх