Экзамен. Электроника. 3-й семестр.

Цена:
120 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 5EF526B3-50EB-4E72-BEF1-3ED7ABD73FF9.rar [933 KB]
material.view.file_icon Экзамен Электроника.doc [12 стр., 1 MB]

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

1. Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

Новосибирск, 2011г. Оценка: Хорошо.

Похожие материалы

Электроника. 3-й семестр. Экзамен
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Ирина16 : 19 декабря 2017
120 руб.
Электроника. Экзамен. 3-й семестр
1.Эквивалентные схемы полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Студенткааа : 19 февраля 2015
100 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника, 2-й семестр.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встрое
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User alexip23 : 26 сентября 2015
200 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. 3-й семестр
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, п
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User наташ : 29 ноября 2011
300 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен. 4-й семестр
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные ха
Электротехника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User karapulka : 22 января 2017
50 руб.
Электроника. Экзамен. СБТ/МБТ. 4-й семестр
Вопрос 1. Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы. Вопрос 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. Вопрос 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User sanco25 : 16 февраля 2014
59 руб.
Электроника. Экзамен. СБТ/МБТ. 4-й семестр
Электроника. Экзамен. 5-й семестр. Билет № 13
1.Принцип действия полевого транзистора с р-n переходом. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покаж
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User chester : 10 января 2013
150 руб.
Электроника. Экзамен. 3-й семестр. 13-й вариант
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Принцип действия полевого транзистора с р-n переходом. Транзисторы этого типа являются униполярными в отличие от бездрейфовых и дрейфовых транзисторов, в принципе работы которых лежит использование носителей заряда двух типов: электронов и дырок, и которые поэтому называются биполярными. В униполярных транзисторах явление инжекции не используется и в принципе их работы лежит использование носителей 2.Изобразите принципиальную схему базового эл
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User nataliykokoreva : 17 ноября 2013
50 руб.

Другие работы

Бібліотека і краєзнавство
План 1. Поняття "край" і "краєзнавчий документ" 2. Фундація краєзнавчих документів 3. Організація і ведення КСБА 4. Задачі краєзнавчої роботи бібліотек 5. Використовування краєзнавчої бібліографії 6. Індивідуальне інформування в роботі бібліотек 7. Взаємозв'язки і координація діяльності краєзнавчих установ 8. Форми роботи бібліотек по краєзнавству. Історико-краєзнавчі читання 9. План проведення краєзнавчих читань 1. Поняття "край" і "краєзнавчий документ" Теперішній час характеризується небувал
География Работа
User evelin : 27 ноября 2012
Теплотехника Задача 26.62 Вариант 50
Тема «Теплопередача через плоскую стенку» Определить на сколько снизятся тепловые потери ограждающих конструкций (стен) здания с известной общей площадью стен F, толщиной δ1 и с коэффициентом теплопроводности λ1, если на стены наложить слой тепловой изоляции толщиной δ3 с коэффициентом теплопроводности λ3. С внутренней стороны стены имеют слой гипсовой штукатурки толщиной δ2=15 мм с коэффициентом теплопроводности λ3=0,375 Вт/(м·К). Внутри помещения требуется поддерживать температуру во
Задачи Теплотехника
User Z24 : 11 февраля 2026
200 руб.
Теплотехника Задача 26.62 Вариант 50
Лабораторная работа №3 по дисциплине: Программное обеспечение инфокоммуникационных си-стем (часть 2-я). Изучение симулятора в пакете PragmaDev Studio. Вариант №6
Лабораторная работа №3 По дисциплине: Программное обеспечение инфокоммуникационных си-стем (часть 2) Изучение симулятора в пакете PragmaDev Studio 1. С помощью раздела 2 в методических указаниях выполнить де-монстрационный пример, который реализуете в проекте, сделанном в ла-бораторных работах 1 и 2 с помощью пакета PragmaDev Studio. 2. Выполнить индивидуальное задание – используя проект, создан-ный по заданию 1, выполнить симуляцию для своего варианта исходных данных (вариант определяется после
ДО СИБГУТИ Программное обеспечение инфокоммуникационных систем Работа Лабораторная
User debug106 : 21 февраля 2022
500 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: «Проектирование и эксплуатация сетей связи». Билет №10
1. ОХАРАКТЕРИЗУЙТЕ ПОДХОДЫ ФОРМАЛЬНОГО ОПИСАНИЯ СТРУКТУР СЕТЕЙ ЭЛЕКТРОСВЯЗИ 2. ПОЯСНИТЕ ПОНЯТИЕ "СМЕТНАЯ ЧАСТЬ ПРОЕКТА" 3. ПРИНЦИПЫ УСТРАНЕНИЯ НЕИСПРАВНОСТЕЙ В EWSD 4. ЗАДАЧА Задан граф G .Сколько компонент связности содержит граф G?
СибГУТИ Разное Работа Экзаменационная
User te86 : 28 марта 2014
400 руб.
up Наверх