Экзамен. Электроника. 3-й семестр.

Цена:
120 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 5EF526B3-50EB-4E72-BEF1-3ED7ABD73FF9.rar [933 KB]
material.view.file_icon Экзамен Электроника.doc [12 стр., 1 MB]

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

1. Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

Новосибирск, 2011г. Оценка: Хорошо.

Похожие материалы

Электроника. 3-й семестр. Экзамен
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Ирина16 : 19 декабря 2017
120 руб.
Электроника. Экзамен. 3-й семестр
1.Эквивалентные схемы полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Студенткааа : 19 февраля 2015
100 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника, 2-й семестр.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встрое
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User alexip23 : 26 сентября 2015
200 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. 3-й семестр
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, п
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User наташ : 29 ноября 2011
300 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен. 4-й семестр
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные ха
Электротехника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User karapulka : 22 января 2017
50 руб.
Электроника. Экзамен. СБТ/МБТ. 4-й семестр
Вопрос 1. Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы. Вопрос 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. Вопрос 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User sanco25 : 16 февраля 2014
59 руб.
Электроника. Экзамен. СБТ/МБТ. 4-й семестр
Электроника. Экзамен. 5-й семестр. Билет № 13
1.Принцип действия полевого транзистора с р-n переходом. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покаж
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User chester : 10 января 2013
150 руб.
Электроника. Экзамен. 3-й семестр. 13-й вариант
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Принцип действия полевого транзистора с р-n переходом. Транзисторы этого типа являются униполярными в отличие от бездрейфовых и дрейфовых транзисторов, в принципе работы которых лежит использование носителей заряда двух типов: электронов и дырок, и которые поэтому называются биполярными. В униполярных транзисторах явление инжекции не используется и в принципе их работы лежит использование носителей 2.Изобразите принципиальную схему базового эл
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User nataliykokoreva : 17 ноября 2013
50 руб.

Другие работы

Контакт высокочастотный КВ.27.00.00 ВО
Контакт высокочастотный чертеж общего вида Контакт высокочастотный чертежи Контакт высокочастотный деталирование Контакт высокочастотный скачать Контакт высокочастотный 3д модель Высокочастотный контакт служит для соединения и разъединения электрической цепи. Конусный элемент контакта 10 служит для соединения с розеткой. Контакт 10 фиксируется в корпусе 1 при помощи полуколец 11. В отверстие контакта 10 вставляют и припаивают провод или кабель, который фиксируется уплотнительным кольцом 5 при п
Воронежский государственный технический университет Чертежи Инженерная и компьютерная графика
User coolns : 25 июня 2019
350 руб.
Контакт высокочастотный КВ.27.00.00 ВО promo
Бруй Л.П. Техническая термодинамика и теплопередача ТОГУ Задача 8 Вариант 60
пределить поверхность нагрева рекуперативного теплообменника (ТО), в котором происходит нагрев воздуха дымовыми газами, при прямоточной и противоточной схемах включения теплоносителей. Температуру воздуха, поступающего в ТО, принять t′2=30 ºC. Количество подогреваемого воздуха V и коэффициент теплопередачи от дымовых газов к воздуху K взять из табл. 6. Температуру воздуха на выходе из ТО — t″2, температуру дымовых газов на входе в ТО — t′1 и температуру дымовых газов на выходе из ТО — t″1 взять
Задачи Теплотехника
User Z24 : 14 января 2026
250 руб.
Бруй Л.П. Техническая термодинамика и теплопередача ТОГУ Задача 8 Вариант 60
Гидравлика ИжГТУ 2007 Задача 1.5 Вариант 25
Круглое отверстие в вертикальной стенке резервуара, заполненного жидкостью, закрыто полусферической крышкой, закрепленной с помощью болтов. Избыточное давление над жидкостью р0изб. Найти: а) общую горизонтальную силу, отрывающую болты; б) общую вертикальную силу, срезающую болты. Плотности жидкостей взять из условия предыдущей задачи. Построение тел давления и выбор знаков пояснить чертежами и схемами, а также формулами и комментариями.
Задачи Гидравлика
User Z24 : 24 октября 2025
180 руб.
Гидравлика ИжГТУ 2007 Задача 1.5 Вариант 25
Физические основы электроники. Лабораторная №3 "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов "
Цель работы Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ). Ход выполнения работы Работа выполнялась в лаборатории электронных средств обучения СибГУТИ при помощи удаленного доступа.
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User aleks797 : 17 декабря 2011
50 руб.
up Наверх