Лабораторная работа №6.8 по дисциплине: Физика (спецглавы). Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. 2-й семестр. вариант №21

Цена:
120 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon лр3 - зачтено.doc
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны

2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
(1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, µ+ и µ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
В нашей задаче исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны.

Дополнительная информация

СибГУТИ Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (спецглавы)
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 18.04.2014
Рецензия:Уважаемая , Ваша лабораторная работа ? 3 проверена. Экспериментальный результат правильный.

Работа зачтена.

Стрельцов Александр Иванович
Лабораторная 4 Физика (спецглавы). Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны. Устанавливаем силу тока через образец 8,6 мА.
User verunchik : 7 июля 2012
100 руб.
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Вариант 09 Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
User Саша78 : 9 апреля 2020
100 руб.
Физика (спецглавы). Лабораторная работа №6.8. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Работа зачтена.
User Gila : 15 октября 2017
180 руб.
Физика (спецглавы). Лабораторная работа №6.8. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа №6.8 по физике(спецглавы) Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников.
1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны 2. Краткие теоретические сведения Электропроводностью материалов называется величина, обратная удельному сопротивлению. Электропроводность материалов определяется выражением: где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей з
User Zenkoff : 25 марта 2014
30 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников» 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
User chita261 : 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Теоретические сведения и ход работы: В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно, |q+| = |q-| = e и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n Тогда (2)
User Murlishka : 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
User AndrewZ54 : 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
"Методы и средства измерений в телекоммуникационных системах" ДО, семестр 5-й, Лабораторная работа № 2. Вариант №1
ИЗМЕРЕНИЯ НА ВОЛОКОННО – ОПТИЧЕСКИХ ЛИНИЯХ ПЕРЕДАЧИ С ПОМОЩЬЮ ОПТИЧЕСКОГО ТЕСТЕРА Вариант 01 1 ЦЕЛЬ РАБОТЫ 1.1 Изучить: - теоретические основы измерений вносимых затуханий методом светопропусканий; - особенности измерений методом светопропусканий; 1.2 Получить практические навыки измерений вносимых затуханий с помощью оптического тестера. 2 ЗАДАЧИ Задача № 1 Сколько милливатт имеет сигнал, мощность которого в относительных единицах составляет P,дБм? Таблица 1 – Исходные данные к задаче № 1 N
User Игуана : 30 апреля 2013
125 руб.
Лабораторная работа №5 по предмету Базы данных
Задание 1. Использование макроса Задание 2. Добавление командной кнопки в форму Задание 3. Модификация командной кнопки
User Некто : 26 мая 2018
100 руб.
Лабораторная работа 4 «по курсу МиСИ в ТКС» вариант 10
Измерения анализатором распределения оптических потерь по длине оптического кабеля: 9 КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ: 9.1 Френелевское рассеяние 9.2 Рэлеевское рассеяние 9.3 Закон Бугера 9.4 Принцип работы оптического рефлектометра 9.5 Анализ рефлектограммы 9.6 Ложные сигналы при измерении потерь 9.7 Технические характеристики рефлектометра 9.8 Динамический диапазон 9.9 Мертвые зоны 9.10 Пространственная разрешающая способность 9.11 Точность измерения затухания 9.12 Назначение анализатора рас
User Алексей409 : 22 декабря 2022
150 руб.
up Наверх