Физические основы электроники, курсовая работа, вариант №11

Цена:
1000 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 6055720B-4269-43D7-BB6C-91A35C4E64B7.doc
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ
 Разработать принципиальную схему усилителя на основе полевых и биполярных транзисторов и реализовать устройство в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИС).
ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ варианта 11
1. Напряжение источника питания UПИТ = - 15 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению: Кu = 7.
3. Входное сопротивление: RВХ = 0,47 МОм.
4. Выходное сопротивление: RН = 2 кОм.
5. Выходное номинальное напряжение UНОМ = 2 В.
6. Нижняя рабочая частота: fН = 300 Гц.
7. Верхняя рабочая частота: FВ = 3,4 кГц.
8. Коэффициент искажений на нижней частоте: МН = 2 дБ.
9. Коэффициент искажений на верхней частоте: МВ = 2 дБ.
10. Тип входа: Н (несимметричный).
11. Тип выхода: С (симметричный).

Дополнительная информация

Игнатов,к защите,замечаний нет.
Физические основы электроники. Вариант №11
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). 1. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных характеристик с (ОБ) приведена на рисунке 1 а.
User konst1992 : 31 января 2018
100 руб.
ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ Курсовая работа
ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ» Задача 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, надо рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК
User lyolya : 28 июня 2022
350 руб.
ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ Курсовая работа
Физические основы электроники. Контрольная работа. Вариант №11.
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: 1) построить линию нагрузки; 2) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектор
User costafel : 24 марта 2015
250 руб.
Физические основы электроники. Лабораторные работы №1,2,3. Вариант №11.
1.Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2.Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). 3.Цель работы Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
User costafel : 14 ноября 2015
320 руб.
Физические основы электроники
Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводность 2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.
User erboollat : 21 июня 2020
130 руб.
Физические основы электроники
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА 1. Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой и общим эмиттером. 2. Отчет о работе ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА ДЛЯ СХЕМЫ С ОБЩЕЙ БАЗОЙ. На рисунке 1 приведена принципиальная схема для транзистора n-p-n для исследования его входных и выходных характеристик с общей базой.
User erboollat : 21 июня 2020
100 руб.
Физические основы электроники
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Отчет по работе: СНЯТИЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДИОДОВ Д7Ж И Д220 ПРИ ПРЯМОМ ВКЛЮЧЕНИИ. Схемы для снятия характеристик диодов в прямом направлении приведены на рисунках: 1а и 1б
User erboollat : 21 июня 2020
100 руб.
Физические основы электроники
Задача 1 По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора; в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
User erboollat : 21 июня 2020
120 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Схемотехника телекоммуникационных устройств
Цель работы Исследовать влияние параметров элементов схемы каскада с эмиттерной стабилизацией на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики). Исходные данные: транзистор типа KT 3102А с параметрами: h21э = 200, Ск = 10 пФ, fh21э = 1,5 МГц, rб¢ ¢ б = 120 Ом; напряжение источника питания E0 = 15В, ток покоя транзистора iк0 = 3мА. Принципиальная схема исследуемого каскада Для заданной схемы рассчитать следующие параметры усилителя: Коэффициент усиления по напряже
User ramzes14 : 6 ноября 2012
70 руб.
Эконометрика
- ЭН,вариант 1 Экономист, изучая зависимость уровня издержек обращения у тыс. руб.) от объема товарооборота х (тыс. руб.), обследовал 10 магазинов, торгующих одинаковым ассортиментом товаров в разных районах. Полученные данные отражены в таблице 1. Номера вариантов 1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 X у X У X у X у X У X у X У X у X У X у 110 6,1 80 4,2 160 12,5 50 4,2 60 2,9 70 2,8 80 4,2 100 3,8 120 4,0 140 5,4 85 4,2 60 4,9 120 9,3 130 10,8 90 7,1 110 3,5 60 4,0 110 4,4 85 3,6 110 4,1 70 2,9 100 7,2 ПО 9
User тантал : 3 августа 2013
100 руб.
Панов Е.И. Создание универсального стана поперечно - винтовой прокатки и исследование технологических режимов его работы
- Москва, - ВИЛС, - 2002, – 209 стр. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук. Специальность: 05.03.05 - Технологии и машины обработки давлением. (На правах рукописи). Научный руководитель: доктор технических наук, профессор Синицкий Владимир Михайлович. Содержание. Тенденции развития конструктивных особенностей станов поперечно-винтовой прокатки. Конструктивные и технологические особенности универсального стана поперечно-винтовой прокатки ПВП 20-60. Перспективы исполь
User elementpio : 19 октября 2011
2 руб.
Перечень вопросов и ответов государственного экзамена по дисциплинам "Системы коммутации" "Цифровые системы распределения сообщений"
Перечень вопросов государственного экзамена по дисциплинам "Системы коммутации" "Цифровые системы распределения сообщений" (Ромашова Т.И.) на 2009/10 учебный год 1. Обобщенная структура цифровой системы коммутации. Назначение и краткая характеристика оборудова-ния ЦСК. Достоинства ЦСК. Особенности подключения к ЦСК абонентских и соединительных линий. 2. Алгоритм установления исходящего соединения от ЦСК S-12 к цифровой и аналоговой АТС. 3. Алгоритм установления входящего соединения к ЦСК S-12
User LenaNovosib : 19 декабря 2011
100 руб.
up Наверх