Лабораторная работа №4 по дисциплине: Физика. Вариант: №7

Цена:
100 руб.

Состав работы

material.view.file_icon A0A1EBB2-0C9F-4F41-B751-B57AE328E51A.rar [74 KB]
material.view.file_icon лабораторная.docx [89 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Лабораторная работа 6.8

Изучение температурной зависимости электропроводности
полупроводников

1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны

2. Краткие теоретические сведения
Электропроводностью материалов называется величина, обратная удельному сопротивлению.

Дополнительная информация

ВАРИАНТ 7
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (спец. главы)
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 05.06.2014
Рецензия:
Грищенко Ирина Валентиновна

Похожие материалы

Лабораторная работа № 4 по дисциплине "Физика"
Работа 6.8. “Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников” Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны. Контрольные вопросы: 1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lns от 1 / T ? 3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупро
СибГУТИ Работа Лабораторная Физика. Физика математическая
User BuKToP89 : 25 декабря 2012
50 руб.
Лабораторная работа №4 по дисциплине: «Физика». Вариант №7.
Лабораторная работа по физике. На тему: «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Контрольные вопросы 1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lns от 1/T.? 3. Вывести формулу для вычисления ширины за
ДО СИБГУТИ Физика Работа Лабораторная
User ДО Сибгути : 5 февраля 2016
70 руб.
Лабораторная работа №4 по дисциплине: «Физика». Вариант №7. promo
Лабораторная работа № 4 по дисциплине "Физика" 3 семестр 6 вариант
Цель работы. Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны. Контрольные вопросы. Вопрос 1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. Вопрос 2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln от 1 / T ? Вопрос 3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
СибГУТИ Физика и энергетика Работа Лабораторная
User mastar : 23 января 2012
125 руб.
Лабораторные работы (4 шт.) по дисциплине: «Физика»
Работа 3.2 Изучение характеристик электростатического поля 1. Цель работы Исследовать электростатическое поле, графически изобразить сечение эквипотенциальных поверхностей и силовые линии для некоторых конфигураций поля. Работа 4.1 Определение удельного заряда электрона методом магнетрона 1.Цель работы Познакомиться с законами движения заряженных частиц в электрическом и магнитном полях, определить удельный заряд электрона с помощью цилиндрического магнетрона. Работа 6.8 Изучение температурной
СибГУТИ Физика Работа Лабораторная
User xtrail : 23 января 2014
500 руб.
Лабораторная работа № 4 по дисциплине: Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант 5
Лабораторная работа 6.8 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны 2. Теоретическое введение Электропроводность материалов определяется выражением: (1) где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носите
СибГУТИ Работа Лабораторная Физика. Физика математическая
User den245 : 8 января 2012
100 руб.
Лабораторная работа № 4 (6.8) по дисциплине: Физика (спецглавы). Вариант № 5
Цель работы. Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны. Основные теоретические сведения. Электропроводность материалов определяется выражением: 1. где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, µ+ и µ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда. Коммент
СибГУТИ Физика и энергетика Работа Лабораторная
User ankomi : 23 мая 2013
150 руб.
Лабораторная работа № 4 по дисциплине: Информатика. Вариант №4
Лабораторная работа № 4 РАСЧЕТ ЗНАЧЕНИЙ ФУНКЦИИ ДВУХ ПЕРЕМЕННЫХ. Цель работы: Закрепить навыки программирования вложенных циклических процессов. Задание к лабораторной работе Вывести на печать таблицы значений заданной функции. Функцию выбирать в соответствии с Вашим вариантом из таблицы 1. Для организации внешнего и внутреннего циклов выбрать разные типы циклов.
СибГУТИ Информатика Работа Лабораторная
User ustianna : 25 сентября 2012
150 руб.
Лабораторная работа №4 по дисциплине: “Информатика”.
Лабораторная работа №4. Поверхности в трёхмерном пространстве Задание. Построить верхнюю часть конуса: (см. скриншот) Технология выполнения Для построения фигуры в Excel каноническое уравнение необходимо разрешить относительно переменной z
СибГУТИ Информатика Работа Лабораторная
User Amor : 2 ноября 2013
120 руб.
Лабораторная работа №4 по дисциплине: “Информатика”. promo

Другие работы

Задание 3. Вариант 22. ЮУрГУ
Пересечение призм чертеж Сделано в компас 16+сохранено в джпг и пдф Открывается всеми версиями компаса начиная с 16. Если есть требование, наоборот сделать в последней новой версии компаса, то просто открываете в этой новой версии и сохраняете. Все что есть на приложенных изображениях, есть в приложенном архиве. Если есть какие-то вопросы или нужно другой вариант, пишите.
Чертежи Инженерная и компьютерная графика ЮУрГУ
User Laguz : 11 сентября 2025
150 руб.
Задание 3. Вариант 22. ЮУрГУ
Теоретическая механика СамГУПС Самара 2020 Задача Д2 Рисунок 3 Вариант 4
Применение принципа Даламбера к определению реакций связи Вертикальный вал АК (рис. Д2.0–Д2.9), вращающийся с постоянной угловой скоростью ω = 10 c-1, закреплен подпятником в точке А и цилиндрическим подшипником в точке, указанной в таблице Д2, в столбце 2. При этом АВ = ВD = DЕ = ЕК = а. К валу жестко прикреплены однородный стержень 1 длиной l = 0,6 м, имеющий массу m1 =3 кг, и невесомый стержень 2 длиной l2 = 0,4 м и с точечной массой m2 = 5 кг на конце. Оба стержня лежат в одной плоскости.
Задачи Теоретическая механика
User Z24 : 9 ноября 2025
250 руб.
Теоретическая механика СамГУПС Самара 2020 Задача Д2 Рисунок 3 Вариант 4
Термодинамика и теплопередача ИРНИТУ 2019 Задача 4 Вариант 04
Смесь, состоящая из М1 киломолей азота и М2 киломолей кислорода с начальными параметрами р1 = 1 МПа и Т1 = 1000 К, расширяется до давления р2. Расширение может осуществляться по изотерме, адиабате и политропе с показателем n. Определить газовую постоянную смеси, ее массу и начальный объем, конечные параметры смеси, работу расширения, теплоту, участвующую в процессе. Дать сводную таблицу результатов и анализ ее. Показать процессы в pv- и Ts — диаграммах. Указание: показатель адиабаты, а сле
Задачи Теплотехника
User Z24 : 15 июля 2026
350 руб.
Термодинамика и теплопередача ИРНИТУ 2019 Задача 4 Вариант 04
Зачетная работа. Физические основы электроники (ФОЭ) Билет № 14
1. Емкости p-n перехода: барьерная и диффузионная. Их зависимости от режима работы. 2. Работа БТ в усилительном режиме гармонического сигнала. Принцип работы. Графический метод определения параметров усиления. Билет № 14 1. Изменение внешнего напряжения dU на p-n переходе приводит к изменению накопленного в нем заряда dQ. Поэтому p-n переход ведет себя подобно конденсатору, емкость которого С = dQ/ dU. В зависимости от физической природы изменяющегося заряда различают емкости барьерную (зарядн
СибГУТИ Работа Зачетная Электроника физическая
User bioclown : 10 октября 2011
59 руб.
up Наверх