Физически основы электроники(ФОЭ), 2 вариант

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon контрольная работа по ФОЭ.doc
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Задача №1

Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 12 В, сопротивление нагрузки RН = 240 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы I Б0 = 500 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ= 250 мкА .

Задача №2

Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче №1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 3) задаемся приращением тока базы IБ= 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=500 мкА.

Задача №3

Для данного транзистора на частоте f =20 МГц модуль коэффициента передачи тока Н21Э=2,25 и постоянная времени цепи коллектора К = 240 пс. Коэффициент передачи тока базы Н21Э в зависимости от частоты определяется формулой:

Задача №4

Пусть дан полевой транзистор типа КП 903 А
Таблица 4
Вариант Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В
2  КП 903 А  10  8

Дополнительная информация

Год сдачи 2011
Преподаватель: Савиных
Оценка: Отлично
Физические основы электроники (ФОЭ)
Вариант 15 Задача No1 Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фоторезистора. Номер варианта для 1 задачи соответствует последней цифре шифра 15. Таблица 1 No варианта:5 Тип фотоприёмника (ФП)-Фотодиод-транзистор Задача No2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приёмника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприёмника и указать на ней . Номер варианта для 2 задачи
User gugych : 23 января 2015
600 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Зачет. Билет №7
Вопросы: 1) Низкочастотная и высокочастотная модели ПП диодов. 2) Устройство и принцип работы МДП транзисторов со встроенным каналом. Схема включения. Характеристики.
User vlanproekt : 15 марта 2014
240 руб.
Контрольная Работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант 29
Задания из контрольной (вариант 29): Задача 1.1 В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К. По условию варианта 29 полупроводник – арсенид галлия GaAs. Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei Задача 1.6 Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 1
User pccat : 13 апреля 2016
500 руб.
Контрольная работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант №21
Задание из работы (вариант 21): Задача 1.1 В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К. По условию варианта 21 полупроводник – арсенид галлия GaAs. Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei Задача 1.6 Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 10-3,
User pccat : 13 апреля 2016
500 руб.
Контрольная работа по ФОЭ (Физические основы электроники). Вариант №15.
Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом, Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
User Vladimirus : 24 февраля 2016
120 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Контрольная работа. Вариант №4
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.1 приложения А. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение Б), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора
User MN : 27 декабря 2013
100 руб.
Зачетная работа. Физические основы электроники (ФОЭ) Билет № 14
1. Емкости p-n перехода: барьерная и диффузионная. Их зависимости от режима работы. 2. Работа БТ в усилительном режиме гармонического сигнала. Принцип работы. Графический метод определения параметров усиления. Билет № 14 1. Изменение внешнего напряжения dU на p-n переходе приводит к изменению накопленного в нем заряда dQ. Поэтому p-n переход ведет себя подобно конденсатору, емкость которого С = dQ/ dU. В зависимости от физической природы изменяющегося заряда различают емкости барьерную (зарядн
User bioclown : 10 октября 2011
59 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). 20 вариант СибГУТИ
Имеются Оригиналы графиков, построенные в "Компас 3D", что позволяет переделать работу под себя. Зачет получен без замечаний и исправлений. ЗАДАЧА 1 Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 15 В, сопротивление нагрузки RН = 200 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 750 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 375 мкА. ЗАДАЧА 2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (р
User bioclown : 5 октября 2011
70 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). 20 вариант СибГУТИ
Эпюр 3. Пересечение поверхностей вращения и наклонной призмы . Развертка призмы с нанесением линии пересечения.. Вариант 0. АГАСУ
Требуется: Задача 1. Построить пересечение поверхности вращения с вертикальной осью и призмы, ребра которой на фронтальной и горизонтальной проекциях наклонены к оси ОХ под углом 45. Задача 2. Построить развертку призмы с нанесением линии пересечения.
User Laguz : 9 ноября 2025
600 руб.
Эпюр 3. Пересечение поверхностей вращения и наклонной призмы . Развертка призмы с нанесением линии пересечения.. Вариант 0. АГАСУ
Проблемное поле социологии искусства. Постановка проблемы
Само соединение социологии и искусства в названии дисциплины, (теперь уже не только научной, но и учебной) дает представление о сложных междисциплинарных взаимодействиях теории и истории искусства с различными методами теоретической и эмпирической социологии. Современная отечественная социология искусства, строго говоря, не совсем социология; или, по крайней мере, она лишь очень небольшая часть той "большой" социологии, изучающей социальное. В начале прошлого столетия отечественная социология и
User Elfa254 : 9 сентября 2013
Механика, электростатика, электромагнетизм. Контрольная работа №1
112. С тележки, свободно движущейся по горизонтальному пути со скоростью v1 = 3 м/с, в сторону, противоположную движению тележки, прыгает человек, после чего скорость тележки изменилась и стала равной u1=4 м/с. Определить горизонтальную составляющую скорости u2X человека при прыжке относительно тележки. Масcа тележки m1 = 210 кг, масса человека m2=70 кг. 122. По небольшому куску мягкого железа, лежащему на наковальне массой m1 = 300 кг, ударяет молот массой m2 = 8 кг. Определить КПД h удара, есл
User СибирскийГУТИ : 7 сентября 2013
300 руб.
Тест по адвокатуре и нотариату
1. Оплата труда стажера частнопрактикующего нотариуса производится: a. из фондов заработной платы региональной нотариальной палаты b. из фондов заработной платы федеральной нотариальной палаты c. Из фондов заработной платы Министерства Юстиции d. частнопрактикующий нотариус сам выплачивает заработную плату стажеру e. нет правильного ответа 2. Принцип адвокатуры, предполагающий соблюдение адвокатской этики, является принципом: a. нравственных начал профессии b. независимости c. гуманизма 3. Мож
User qwerty123432 : 26 января 2023
100 руб.
Тест по адвокатуре и нотариату
up Наверх