Физически основы электроники(ФОЭ), 2 вариант
-
Категории:
******* Не известно, Физические основы электроники, Работа Контрольная
-
Добавлен:
06.04.2015
-
Размер:
959 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
thelive4u
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
контрольная работа по ФОЭ.doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача №1
Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 12 В, сопротивление нагрузки RН = 240 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы I Б0 = 500 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ= 250 мкА .
Задача №2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче №1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 3) задаемся приращением тока базы IБ= 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=500 мкА.
Задача №3
Для данного транзистора на частоте f =20 МГц модуль коэффициента передачи тока Н21Э=2,25 и постоянная времени цепи коллектора К = 240 пс. Коэффициент передачи тока базы Н21Э в зависимости от частоты определяется формулой:
Задача №4
Пусть дан полевой транзистор типа КП 903 А
Таблица 4
Вариант Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В
2 КП 903 А 10 8
Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 12 В, сопротивление нагрузки RН = 240 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы I Б0 = 500 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ= 250 мкА .
Задача №2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче №1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 3) задаемся приращением тока базы IБ= 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=500 мкА.
Задача №3
Для данного транзистора на частоте f =20 МГц модуль коэффициента передачи тока Н21Э=2,25 и постоянная времени цепи коллектора К = 240 пс. Коэффициент передачи тока базы Н21Э в зависимости от частоты определяется формулой:
Задача №4
Пусть дан полевой транзистор типа КП 903 А
Таблица 4
Вариант Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В
2 КП 903 А 10 8
Дополнительная информация
Год сдачи 2011
Преподаватель: Савиных
Оценка: Отлично
Преподаватель: Савиных
Оценка: Отлично
Похожие материалы
Физические основы электроники (ФОЭ)
gugych
: 23 января 2015
Вариант 15
Задача No1
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фоторезистора. Номер варианта для 1 задачи соответствует последней цифре шифра 15.
Таблица 1
No варианта:5 Тип фотоприёмника (ФП)-Фотодиод-транзистор
Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приёмника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприёмника и указать на ней . Номер варианта для 2 задачи
gugych
: 23 января 2015
600 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Зачет. Билет №7
vlanproekt
: 15 марта 2014
Вопросы:
1) Низкочастотная и высокочастотная модели ПП диодов.
2) Устройство и принцип работы МДП транзисторов со встроенным каналом. Схема включения. Характеристики.
vlanproekt
: 15 марта 2014
240 руб.
Контрольная Работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант 29
pccat
: 13 апреля 2016
Задания из контрольной (вариант 29):
Задача 1.1
В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К.
По условию варианта 29 полупроводник – арсенид галлия GaAs.
Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei
Задача 1.6
Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 1
pccat
: 13 апреля 2016
500 руб.
Контрольная работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант №21
pccat
: 13 апреля 2016
Задание из работы (вариант 21):
Задача 1.1
В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К.
По условию варианта 21 полупроводник – арсенид галлия GaAs.
Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei
Задача 1.6
Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 10-3,
pccat
: 13 апреля 2016
500 руб.
Контрольная работа по ФОЭ (Физические основы электроники). Вариант №15.
Vladimirus
: 24 февраля 2016
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом, Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
Vladimirus
: 24 февраля 2016
120 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Контрольная работа. Вариант №4
MN
: 27 декабря 2013
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.1 приложения А. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение Б), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора
MN
: 27 декабря 2013
100 руб.
Зачетная работа. Физические основы электроники (ФОЭ) Билет № 14
bioclown
: 10 октября 2011
1. Емкости p-n перехода: барьерная и диффузионная. Их зависимости от режима работы.
2. Работа БТ в усилительном режиме гармонического сигнала. Принцип работы. Графический метод определения параметров усиления.
Билет № 14
1. Изменение внешнего напряжения dU на p-n переходе приводит к изменению накопленного в нем заряда dQ. Поэтому p-n переход ведет себя подобно конденсатору, емкость которого С = dQ/ dU.
В зависимости от физической природы изменяющегося заряда различают емкости барьерную (зарядн
bioclown
: 10 октября 2011
59 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). 20 вариант СибГУТИ
bioclown
: 5 октября 2011
Имеются Оригиналы графиков, построенные в "Компас 3D", что позволяет переделать работу под себя. Зачет получен без замечаний и исправлений.
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 15 В, сопротивление нагрузки RН = 200 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 750 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 375 мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (р
bioclown
: 5 октября 2011
70 руб.
Другие работы
Физика. Лабораторная работа №1. ВАРИАНТ №7. Изучение характеристик электростатического поля
Marazm54
: 19 января 2016
Цель работы:
1. Изобразить графически сечение эквипотенциальных поверхностей электростатического поля, созданного заданной конфигурацией электрических зарядов
2. Используя изображение эквипотенциальных поверхностей, построить силовые линии электростатического поля заданной конфигурации зарядов
3. При помощи полученной картины силовых и эквипотенциальных линий проверить справедливость формулы связи напряжённости электрического поля с его потенциалом.
Marazm54
: 19 января 2016
150 руб.
Теплотехника КГАУ 2015 Задача 3 Вариант 63
Z24
: 5 февраля 2026
По стальной трубе, внутренний и внешний диаметры которой соответственно d1 и d2, и теплопроводность λ=40 Вт/(м·К), течет газ со средней температурой tг; коэффициент теплоотдачи от газа к стенке α1. Снаружи труба охлаждается водой со средней температурой tв; коэффициент теплоотдачи от стенки к воде α2.
Определить коэффициент теплопередачи k от газа к воде, тепловой поток q и температуры поверхностей трубы. Данные, необходимые для решения задачи, выбрать из табл. Определить также температуру вн
Z24
: 5 февраля 2026
200 руб.
Методы и средства защиты информации. Экзамен. Билет №2
Эректус
: 12 сентября 2018
ВОПРОСЫ К ЭКЗАМЕНУ
ПО КУРСУ «МЕТОДЫ ЗАЩИТЫ ИНФОРМАЦИИ»
ДЛЯ СТУДЕНТОВ ДИСТАНЦИОННОЙ СИСТЕМЫ ОБУЧЕНИЯ
БИЛЕТ № 2
1. Дайте определение агента защиты. Опишите его назначение и функции.
2. Назовите, на какой оценочный уровень доверия экономически целесообразно ориентироваться при оценке продуктов информационных технологий, и почему?
Эректус
: 12 сентября 2018
100 руб.
Технология текущего ремонта привода поворота миксера в условиях кислородно-конвертерного цеха ММК им. Ильича
Elfa254
: 20 октября 2013
Современное состояние проблемы ремонтов состоит в противоречии,
заключающемся в том, что для восстановления работоспособности детали
требуется в 7 - 8 раз меньше технологических операций, чем для изготовления новых. Однако ресурс восстановленных деталей редко достигает ресурса
новых и уступает им по этому показателю. В тоже время имеются примеры, когда ресурс восстанавливаемых деталей достигает и даже превышает ресурс новых. К тому же восстановление деталей машин обеспечивает экономию высокок
Elfa254
: 20 октября 2013
10 руб.
