Физически основы электроники(ФОЭ), 2 вариант
-
Категории:
******* Не известно, Физические основы электроники, Работа Контрольная
-
Добавлен:
06.04.2015
-
Размер:
959 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
thelive4u
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
контрольная работа по ФОЭ.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача №1
Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 12 В, сопротивление нагрузки RН = 240 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы I Б0 = 500 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ= 250 мкА .
Задача №2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче №1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 3) задаемся приращением тока базы IБ= 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=500 мкА.
Задача №3
Для данного транзистора на частоте f =20 МГц модуль коэффициента передачи тока Н21Э=2,25 и постоянная времени цепи коллектора К = 240 пс. Коэффициент передачи тока базы Н21Э в зависимости от частоты определяется формулой:
Задача №4
Пусть дан полевой транзистор типа КП 903 А
Таблица 4
Вариант Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В
2 КП 903 А 10 8
Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 12 В, сопротивление нагрузки RН = 240 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы I Б0 = 500 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ= 250 мкА .
Задача №2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче №1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 3) задаемся приращением тока базы IБ= 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=500 мкА.
Задача №3
Для данного транзистора на частоте f =20 МГц модуль коэффициента передачи тока Н21Э=2,25 и постоянная времени цепи коллектора К = 240 пс. Коэффициент передачи тока базы Н21Э в зависимости от частоты определяется формулой:
Задача №4
Пусть дан полевой транзистор типа КП 903 А
Таблица 4
Вариант Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В
2 КП 903 А 10 8
Дополнительная информация
Год сдачи 2011
Преподаватель: Савиных
Оценка: Отлично
Преподаватель: Савиных
Оценка: Отлично
Похожие материалы
Физические основы электроники (ФОЭ)
gugych
: 23 января 2015
Вариант 15
Задача No1
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фоторезистора. Номер варианта для 1 задачи соответствует последней цифре шифра 15.
Таблица 1
No варианта:5 Тип фотоприёмника (ФП)-Фотодиод-транзистор
Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приёмника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприёмника и указать на ней . Номер варианта для 2 задачи
gugych
: 23 января 2015
600 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Зачет. Билет №7
vlanproekt
: 15 марта 2014
Вопросы:
1) Низкочастотная и высокочастотная модели ПП диодов.
2) Устройство и принцип работы МДП транзисторов со встроенным каналом. Схема включения. Характеристики.
vlanproekt
: 15 марта 2014
240 руб.
Контрольная Работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант 29
pccat
: 13 апреля 2016
Задания из контрольной (вариант 29):
Задача 1.1
В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К.
По условию варианта 29 полупроводник – арсенид галлия GaAs.
Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei
Задача 1.6
Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 1
pccat
: 13 апреля 2016
500 руб.
Контрольная работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант №21
pccat
: 13 апреля 2016
Задание из работы (вариант 21):
Задача 1.1
В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К.
По условию варианта 21 полупроводник – арсенид галлия GaAs.
Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei
Задача 1.6
Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 10-3,
pccat
: 13 апреля 2016
500 руб.
Контрольная работа по ФОЭ (Физические основы электроники). Вариант №15.
Vladimirus
: 24 февраля 2016
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом, Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
Vladimirus
: 24 февраля 2016
120 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Контрольная работа. Вариант №4
MN
: 27 декабря 2013
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.1 приложения А. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение Б), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора
MN
: 27 декабря 2013
100 руб.
Зачетная работа. Физические основы электроники (ФОЭ) Билет № 14
bioclown
: 10 октября 2011
1. Емкости p-n перехода: барьерная и диффузионная. Их зависимости от режима работы.
2. Работа БТ в усилительном режиме гармонического сигнала. Принцип работы. Графический метод определения параметров усиления.
Билет № 14
1. Изменение внешнего напряжения dU на p-n переходе приводит к изменению накопленного в нем заряда dQ. Поэтому p-n переход ведет себя подобно конденсатору, емкость которого С = dQ/ dU.
В зависимости от физической природы изменяющегося заряда различают емкости барьерную (зарядн
bioclown
: 10 октября 2011
59 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). 20 вариант СибГУТИ
bioclown
: 5 октября 2011
Имеются Оригиналы графиков, построенные в "Компас 3D", что позволяет переделать работу под себя. Зачет получен без замечаний и исправлений.
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 15 В, сопротивление нагрузки RН = 200 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 750 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 375 мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (р
bioclown
: 5 октября 2011
70 руб.
Другие работы
Вычислительная техника и информационные технологии (ВТиИТ). Лабораторная работа №4. Исследование триггеров.
Art55555
: 14 августа 2009
СибГУТИ.
1. Исследовать схему асинхронного RS-триггера на элементах ИЛИ-НЕ.
2. Исследовать схему асинхронного RS-триггера на элементах И-НЕ.
3. Исследовать схему синхронного RS-триггера.
4. Исследовать работу D-триггера.
5. Исследовать работу JK-триггера.
Art55555
: 14 августа 2009
50 руб.
Контрольная работа по технологии мяса и мясопродуктов
Aronitue9
: 16 января 2012
Роль мясопродуктов в питании человека.
Классификация натуральных полуфабрикатов. Сырьё для производства натуральных полуфабрикатов.
Фасовка, замораживание, охлаждение фасованного мяса птицы. Сроки хранения.
Сублимационная сушка. График зависимости давления насыщенного пара воды от температуры.
Классификация мясных баночных консервов.
Aronitue9
: 16 января 2012
20 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства. Вариант №85
vad1k
: 9 февраля 2014
Курсовая работа по дисциплине Схемотехника.
Вариант 85. Приведена структурная схема усилителя,
выбрана принципиальная схема усилителя, произведён расчёт и
выбор радиоэлементов. Приведена топология устройства микросхемы.
Даны УГО элементов.
Архив содержит курсовую+ методичку.
1. Разработка структурной схемы
Структурная схема должна представлять собой двухкаскадный усилитель, где:
Первый каскад должен:
- обладать линейностью, чтобы избежать искажений;
- обеспечивать большое входное сопротивление
vad1k
: 9 февраля 2014
600 руб.
Русский язык и культура речи. Контрольная работа. СибГУТИ
sweet
: 23 марта 2017
Контрольная работа по темам лекций курса
Задания к лекции “Современный русский язык”:
1. Каким словарем можно воспользоваться, чтобы узнать род существительных: “визави”, “протеже”. (см. глоссарий)
словарем омонимов
словарем антонимов
фразеологическим словарем
толковым словарем русского языка
2.Каким словарем можно воспользоваться, чтобы узнать происхождение слов: карболка, караван. (см. глоссарий)
этимологическим
орфоэпическим
толковым
словарем синонимов
3. Выскажите свое мнение по о
sweet
: 23 марта 2017
150 руб.
