Физически основы электроники(ФОЭ), 2 вариант
-
Категории:
******* Не известно, Физические основы электроники, Работа Контрольная
-
Добавлен:
06.04.2015
-
Размер:
959 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
thelive4u
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
контрольная работа по ФОЭ.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача №1
Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 12 В, сопротивление нагрузки RН = 240 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы I Б0 = 500 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ= 250 мкА .
Задача №2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче №1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 3) задаемся приращением тока базы IБ= 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=500 мкА.
Задача №3
Для данного транзистора на частоте f =20 МГц модуль коэффициента передачи тока Н21Э=2,25 и постоянная времени цепи коллектора К = 240 пс. Коэффициент передачи тока базы Н21Э в зависимости от частоты определяется формулой:
Задача №4
Пусть дан полевой транзистор типа КП 903 А
Таблица 4
Вариант Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В
2 КП 903 А 10 8
Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 12 В, сопротивление нагрузки RН = 240 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы I Б0 = 500 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ= 250 мкА .
Задача №2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче №1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 3) задаемся приращением тока базы IБ= 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=500 мкА.
Задача №3
Для данного транзистора на частоте f =20 МГц модуль коэффициента передачи тока Н21Э=2,25 и постоянная времени цепи коллектора К = 240 пс. Коэффициент передачи тока базы Н21Э в зависимости от частоты определяется формулой:
Задача №4
Пусть дан полевой транзистор типа КП 903 А
Таблица 4
Вариант Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В
2 КП 903 А 10 8
Дополнительная информация
Год сдачи 2011
Преподаватель: Савиных
Оценка: Отлично
Преподаватель: Савиных
Оценка: Отлично
Похожие материалы
Физические основы электроники (ФОЭ)
gugych
: 23 января 2015
Вариант 15
Задача No1
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фоторезистора. Номер варианта для 1 задачи соответствует последней цифре шифра 15.
Таблица 1
No варианта:5 Тип фотоприёмника (ФП)-Фотодиод-транзистор
Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приёмника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприёмника и указать на ней . Номер варианта для 2 задачи
gugych
: 23 января 2015
600 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Зачет. Билет №7
vlanproekt
: 15 марта 2014
Вопросы:
1) Низкочастотная и высокочастотная модели ПП диодов.
2) Устройство и принцип работы МДП транзисторов со встроенным каналом. Схема включения. Характеристики.
vlanproekt
: 15 марта 2014
240 руб.
Контрольная Работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант 29
pccat
: 13 апреля 2016
Задания из контрольной (вариант 29):
Задача 1.1
В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К.
По условию варианта 29 полупроводник – арсенид галлия GaAs.
Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei
Задача 1.6
Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 1
pccat
: 13 апреля 2016
500 руб.
Контрольная работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант №21
pccat
: 13 апреля 2016
Задание из работы (вариант 21):
Задача 1.1
В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К.
По условию варианта 21 полупроводник – арсенид галлия GaAs.
Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei
Задача 1.6
Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 10-3,
pccat
: 13 апреля 2016
500 руб.
Контрольная работа по ФОЭ (Физические основы электроники). Вариант №15.
Vladimirus
: 24 февраля 2016
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом, Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
Vladimirus
: 24 февраля 2016
120 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Контрольная работа. Вариант №4
MN
: 27 декабря 2013
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.1 приложения А. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение Б), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора
MN
: 27 декабря 2013
100 руб.
Зачетная работа. Физические основы электроники (ФОЭ) Билет № 14
bioclown
: 10 октября 2011
1. Емкости p-n перехода: барьерная и диффузионная. Их зависимости от режима работы.
2. Работа БТ в усилительном режиме гармонического сигнала. Принцип работы. Графический метод определения параметров усиления.
Билет № 14
1. Изменение внешнего напряжения dU на p-n переходе приводит к изменению накопленного в нем заряда dQ. Поэтому p-n переход ведет себя подобно конденсатору, емкость которого С = dQ/ dU.
В зависимости от физической природы изменяющегося заряда различают емкости барьерную (зарядн
bioclown
: 10 октября 2011
59 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). 20 вариант СибГУТИ
bioclown
: 5 октября 2011
Имеются Оригиналы графиков, построенные в "Компас 3D", что позволяет переделать работу под себя. Зачет получен без замечаний и исправлений.
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 15 В, сопротивление нагрузки RН = 200 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 750 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 375 мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (р
bioclown
: 5 октября 2011
70 руб.
Другие работы
Сложный разрез. Вариант 19 - Направляющая
.Инженер.
: 26 января 2026
Т.А. Унсович, А.В. Савицкая. Сборник заданий по инженерной графике. Изображения - виды, разрезы, сечения. Сложный разрез. Вариант 19 - Направляющая
По двум заданным проекциям построить третью. Выполнить указанный в задании сложный разрез детали. При необходимости дополнить изображения простыми разрезами и сечениями. Нанести обозначение на секущую плоскость и разрез. Проставить на изображениях детали все необходимые размеры.
По выполненному комплексному чертежу детали вычертить ее аксономет
.Инженер.
: 26 января 2026
200 руб.
Контрольная работа №2. Физика (3-й семестр). 9-й вариант.
s-kim
: 3 марта 2013
Задача 709. Удельная, мощность светильника, имеющего форму шapa диаметром 6 м, равна 0,85 Вт/Кд. Определить световую отдачу светильника в лм/Вт, полный световой поток, светимость и яркость, если сила света шара 170 Кд.
Задача 719. Муфельная печь, потребляющая мощность Р=1 кВт, имеет отверстие площадью S=100 см2. Определить долю η мощности, рассеиваемой стенками печи, если температура ее внутренней поверхности равна 1 кК.
Задача 729. ...
Задача 739. ...
Задача 749. ...
Задача 759. ...
Задача 809.
s-kim
: 3 марта 2013
100 руб.
Пересечение поверхностей шара и призмы. Задание 52 - Вариант 2
.Инженер.
: 1 сентября 2026
С.К. Боголюбов. Индивидуальные задания по курсу черчения. Взаимное пересечение поверхностей геометрических тел. Пересечение поверхностей шара и призмы. Задание 52 - Вариант 2
Построить линии пересечения поверхностей шара и призмы и аксонометрическую проекцию.
В состав работы входит:
Чертеж;
3D модель.
Выполнено в программе Компас + чертеж в PDF.
.Инженер.
: 1 сентября 2026
150 руб.
Навигационный проект перехода судна типа "Днепр" по маршруту порт Сочи – порт Монфальконе
ostah
: 20 ноября 2012
Исходные данные:
1) маршрут перехода: порт Сочи – порт Монфальконе; тип судна: «Днепр»;
дата и время выхода: 13.03.2005года, в 10:00;
2) штурманское вооружение: штатное для данного типа судна; дополнительно на судне установлены приёмоиндикаторы ГНСС и РНС «Лоран – С»;
3) состояние судна – в грузу;
4) скорость на переходе: 9 узлов;
5) среднеквадратические погрешности измерения навигационных параметров из РШСУ – 98;
6) высота глаза наблюдателя: е = 9 метров;
Отчетные материалы:
Пояснительная запис
ostah
: 20 ноября 2012
5 руб.
