Физически основы электроники(ФОЭ), 2 вариант

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon контрольная работа по ФОЭ.doc
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Задача №1

Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 12 В, сопротивление нагрузки RН = 240 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы I Б0 = 500 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ= 250 мкА .

Задача №2

Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче №1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 3) задаемся приращением тока базы IБ= 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=500 мкА.

Задача №3

Для данного транзистора на частоте f =20 МГц модуль коэффициента передачи тока Н21Э=2,25 и постоянная времени цепи коллектора К = 240 пс. Коэффициент передачи тока базы Н21Э в зависимости от частоты определяется формулой:

Задача №4

Пусть дан полевой транзистор типа КП 903 А
Таблица 4
Вариант Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В
2  КП 903 А  10  8

Дополнительная информация

Год сдачи 2011
Преподаватель: Савиных
Оценка: Отлично
Физические основы электроники (ФОЭ)
Вариант 15 Задача No1 Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фоторезистора. Номер варианта для 1 задачи соответствует последней цифре шифра 15. Таблица 1 No варианта:5 Тип фотоприёмника (ФП)-Фотодиод-транзистор Задача No2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приёмника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприёмника и указать на ней . Номер варианта для 2 задачи
User gugych : 23 января 2015
600 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Зачет. Билет №7
Вопросы: 1) Низкочастотная и высокочастотная модели ПП диодов. 2) Устройство и принцип работы МДП транзисторов со встроенным каналом. Схема включения. Характеристики.
User vlanproekt : 15 марта 2014
240 руб.
Контрольная Работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант 29
Задания из контрольной (вариант 29): Задача 1.1 В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К. По условию варианта 29 полупроводник – арсенид галлия GaAs. Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei Задача 1.6 Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 1
User pccat : 13 апреля 2016
500 руб.
Контрольная работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант №21
Задание из работы (вариант 21): Задача 1.1 В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К. По условию варианта 21 полупроводник – арсенид галлия GaAs. Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei Задача 1.6 Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 10-3,
User pccat : 13 апреля 2016
500 руб.
Контрольная работа по ФОЭ (Физические основы электроники). Вариант №15.
Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом, Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
User Vladimirus : 24 февраля 2016
120 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Контрольная работа. Вариант №4
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.1 приложения А. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение Б), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора
User MN : 27 декабря 2013
100 руб.
Зачетная работа. Физические основы электроники (ФОЭ) Билет № 14
1. Емкости p-n перехода: барьерная и диффузионная. Их зависимости от режима работы. 2. Работа БТ в усилительном режиме гармонического сигнала. Принцип работы. Графический метод определения параметров усиления. Билет № 14 1. Изменение внешнего напряжения dU на p-n переходе приводит к изменению накопленного в нем заряда dQ. Поэтому p-n переход ведет себя подобно конденсатору, емкость которого С = dQ/ dU. В зависимости от физической природы изменяющегося заряда различают емкости барьерную (зарядн
User bioclown : 10 октября 2011
59 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). 20 вариант СибГУТИ
Имеются Оригиналы графиков, построенные в "Компас 3D", что позволяет переделать работу под себя. Зачет получен без замечаний и исправлений. ЗАДАЧА 1 Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 15 В, сопротивление нагрузки RН = 200 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 750 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 375 мкА. ЗАДАЧА 2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (р
User bioclown : 5 октября 2011
70 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). 20 вариант СибГУТИ
Идентификация нефтяной составляющей органического загрязнения гидросферы
Широкий спектр органических соединений, вводимых в окружающую среду в процессе хозяйственной деятельности человека, приводит к тому, что данные вещества стали являться в ряде случаев основными поллютантами, определяющими характер техногенного загрязнения гидросферы. Учитывая, что органические вещества во многом определяют поведение в водах других токсичных соединений (образование органо-минеральных комплексов с тяжелыми металлами, радионуклидами и т.п.), их роль в геохимической эволюции гидросфе
User elementpio : 11 марта 2013
Программное обеспечение инфокоммуникационных систем. Вариант №5
Контрольная работа По дисциплине: Программное обеспечение инфокоммуникационных систем (часть 1) Задача 1 Изобразить схему алгоритма приема информации о новых вызовах в СКПУ (программ ПСК1 и ПСК2). Привести пример обработки данных в процессе приема, используя исходные данные из таблицы 1. Запишите заявки в буфер предварительных заявок (БПЗ) и буфер заявок для обработки новых вызовов (БЗО). Нумерация оконечных устройств начинается с правого нулевого разряда в нулевой группе (К=0). Обозначени
User IT-STUDHELP : 16 ноября 2021
600 руб.
promo
Гибкие оптические сети. Лабораторная работа №1. 3-й вариант
Цель работы: изучить современные и перспективные решения для волоконно-оптических систем передачи (ВОСП) с одноканальной и многоканальной организацией передачи сигналов DWDM в одномодовых стандартных волокнах SMF многосердцевинных MCF и маломодовых FMF волокнах. 1. В чём состоят тенденции в развитии волоконно-оптических систем передачи (ВОСП)? 2. Какие оптические компоненты могут входить в состав ВОСП? 3. Чем отличаются форматы сигналов NRZ и RZ в ВОСП? 4. Почему спектры сигналов NRZ и RZ отлича
User aleshin : 13 декабря 2021
190 руб.
Комбайн зерноуборочный самоходный КЗС–812С «ПАЛЕССЕ GS812S» (чертеж общего вида)
Комбайн среднего класса КЗС-812С "Амур-Палессе" создан для широкого применения. Компактный и маневренный комбайн рассчитан на пропускную способность не менее 8 кг/с и способен выдать в час не менее 11,5 тонн бункерного зерна. Он относится к получившему широкое признание типу комбайнов с одним молотильным барабаном, битером и клавишным соломотрясом. Такая схема, кроме высокой технологической надежности, обеспечивает универсальность применения и простоту обслуживания. Комфортабельная кабина, компл
User maobit : 22 мая 2018
290 руб.
Комбайн зерноуборочный самоходный КЗС–812С «ПАЛЕССЕ GS812S» (чертеж общего вида)
up Наверх