Проектирование БД для работника склада
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Оглавление:
Введение
Постановка задачи
Проектирование таблиц
Заполнение таблиц
Связывание таблиц в схему данных
Создание запросов
Выполнение запросов
Создание и выполнение отчета
Заключение
Литература
Введение
Постановка задачи
Проектирование таблиц
Заполнение таблиц
Связывание таблиц в схему данных
Создание запросов
Выполнение запросов
Создание и выполнение отчета
Заключение
Литература
Другие работы
Метрология, стандартизация и сертификация, Контрольная работа № 1, Вариант 9
tefant
: 8 ноября 2013
Задача No 1
Для определения расстояния до места повреждения кабельной линии связи был использован импульсный рефлектометр. С его помощью получено n результатов однократных измерений (результатов наблюдений) расстояния до места повреждения.
Считая, что случайная составляющая погрешности рефлектометра распределена по нормальному закону, определить:
1. Результат измерения с многократными наблюдениями расстояния до места повреждения кабеля .
2. Оценку среднего квадратического отклон
370 руб.
Хеджирование с помощью фьючерсов
GnobYTEL
: 7 ноября 2012
Содержание
Введение
1. Финансовые инвестиционные инструменты
Ценные бумаги и их виды
Риск и доходность иностранных инвестиций
Обзор Российского рынка паевых инвестиций
2. Модель хеджирования процентного риска с помощью фьючерсных контрактов
2.1. Первоначальное размещение средств в Казначейские векселя и фьючерсные контракты
2.2. Движение средств при образовании вариационной маржи
Заключение
Список литературы
Введение
Инвестиции – это денежные средства, ценные бумаги, иное имуще
2 руб.
Деталь - штуцер
Рики-Тики-Та
: 3 февраля 2019
Креслення зроблено в програмі компас на форматі А3*2. Деталь - штуцер
10 руб.
Контрольная работа. Оценка параметров коллекторного слоя диффузионной структуры
anderwerty
: 15 января 2016
Контрольная работа No 1
Вариант 3
Оценка параметров коллекторного слоя диффузионной структуры (пометоду тройной диффузии). Толщина слоя - 6 мкм. Поверхностная концентрация примеси в слое (n-тип) 1017см-3. Концентрация примеси в подложке – 1015см –3. Электрическая прочность? Удельная емкость? Сопротивление квадрата?
Контрольная работа No 2
Работа No1б. Резисторы полупроводниковых ИС
Задание на работу
Выполнить проектирование и представить эскиз конструкции резистора полупроводниковых ИС с прост
60 руб.