Экзамен. Билет № 3. Электроника

Цена:
30 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon Экзамен.doc

Необходимые программы

Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры.

2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.

3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Экзамен
Оценка:Удовлетворительно
Дата оценки: 19.12.2014


Игнатов Александр Николаевич
Экзамен по электронике. Билет 3.
1. Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводнике. В полупроводниковых приборах могут протекать дрейфовый и диффузионный токи. Дрейфовым называется ток, обусловленный электрическим полем. 2. Неинвертирующий масштабный усилитель на ОУ. При использовании высококачественных ОУ свойства функциональных узлов зависят от параметров внешних цепей, подключенных к ОУ, и практически не зависят от параметров элементов внутри ОУ. Эта особенность позволяет при проектировании, устройств на ОУ пользоваться уп
User sanco25 : 1 февраля 2012
90 руб.
Физические основы электроники. Экзамен. Билет №3
1.Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода. Электронно-дырочным (p-n) называют такой переход, который образован двумя областями полупроводника с разными типами проводимости: электронной и дырочной. Электронно-дырочный переход нельзя создать простым соприкосновением полупроводниковых пластин n- и p-типа, так как в месте соединен
User Студенткааа : 16 января 2019
100 руб.
Электротехника и электроника Экзамен. I-й семестр. Билет №3
Электротехника и электроника Экзамен. I-семестр. Билет№3 Экзаменационный Билет №3: 1. Операторный метод расчета переходных процессов. Построение эквивалентной схемы с помощью основных свойств преобразования Лапласа. Свойство линейности. Дифференцирование оригинала. Интегрирование оригинала Изменение масштаба независимого переменного (теорема подобия) Смещение в области действительного переменного (теорема запаздывания) Смещения в области комплексного переменного (теорема смещения). Диф
User Madam : 19 февраля 2017
80 руб.
Электротехника и электроника Экзамен. I-й семестр. Билет №3
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №3
Билет №3 1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом p-типа. Приведите передато
User IT-STUDHELP : 18 сентября 2023
250 руб.
promo
Электроника. Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и
User banderas0876 : 15 марта 2020
200 руб.
Электроника. Экзамен.
Экзамен. Электроника
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом
User lisii : 21 марта 2019
65 руб.
Экзамен. Электроника
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Параметры полевого транзистора. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером. Приве
User AlexBrookman : 3 февраля 2019
90 руб.
Теплотехника Задача 7.49
В цилиндре находится воздух при давлении р=5 бар и температуре t1=400 ºC. От воздуха отнимается тепло при постоянном давлении таким образом, что в конце процесса устанавливается температура t2=0 ºC. Объем цилиндра, в котором находится воздух, равен 400 л. Определить количество отнятого тепла, конечный объем, изменение внутренней энергии и совершенную работу сжатия. Зависимость теплоемкости от температуры считать нелинейной.
User Z24 : 16 февраля 2026
155 руб.
Теплотехника Задача 7.49
3D-модель фрезы цилиндрической [m3d]
Фреза цилиндрическая наружного диаметра D = 30 мм с винтовыми стружечными канавками, выполненная в среде Компас 3D v10 (параметрическая 3D-модель). Теоретически, Компас может перестраивать данную модель, если ввести новые данные. Но, к сожалению, на практике дело не всегда обстоит так - иногда приходится перестроение выполнять несколько раз до получения должного отображения модели.
User GnobYTEL : 20 сентября 2011
100 руб.
3D-модель фрезы цилиндрической [m3d]
Тепломассообмен ТГАСУ 2017 Задача 2 Вариант 46
Расчет параметров изолированного трубопровода По трубопроводу с размерами d2/d1, где d1 — внутренний диаметр трубы, а d2 — наружный диаметр, течет горячая вода с температурой tж1. Температура окружающей среды tж2. Снаружи труба покрыта слоем изоляционного материала толщиной δ с коэффициентом теплопроводности λ2, коэффициентом теплопроводности материала трубы λ1. Средние коэффициенты теплоотдачи с внутренней поверхности трубы и внешней изоляционного материала соответственно равны α1, α2. Опред
User Z24 : 3 февраля 2026
200 руб.
Тепломассообмен ТГАСУ 2017 Задача 2 Вариант 46
Распространение радиоволн и антенно-фидерные устройства - РРВиАФУ
Вариант 01. Искусственный спутник Земли, находящийся на стационарной орбите, предназначен для ретрансляции телевизионных сигналов на линии Земля - ИСЗ - Земля. Спроектировать передающую антенну, установленную на борту спутника. Рецензия: К защите.
User gugych : 6 ноября 2014
800 руб.
Распространение радиоволн и антенно-фидерные устройства - РРВиАФУ
up Наверх