Экзамен. Билет № 3. Электроника
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Экзамен
Оценка:Удовлетворительно
Дата оценки: 19.12.2014
Игнатов Александр Николаевич
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Экзамен
Оценка:Удовлетворительно
Дата оценки: 19.12.2014
Игнатов Александр Николаевич
Похожие материалы
Экзамен по электронике. Билет 3.
sanco25
: 1 февраля 2012
1. Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводнике.
В полупроводниковых приборах могут протекать дрейфовый и диффузионный токи. Дрейфовым называется ток, обусловленный электрическим полем.
2. Неинвертирующий масштабный усилитель на ОУ.
При использовании высококачественных ОУ свойства функциональных узлов зависят от параметров внешних цепей, подключенных к ОУ, и практически не зависят от параметров элементов внутри ОУ. Эта особенность позволяет при проектировании, устройств на ОУ пользоваться уп
90 руб.
Физические основы электроники. Экзамен. Билет №3
Студенткааа
: 16 января 2019
1.Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода.
Электронно-дырочным (p-n) называют такой переход, который образован двумя областями полупроводника с разными типами проводимости: электронной и дырочной. Электронно-дырочный переход нельзя создать простым соприкосновением полупроводниковых пластин n- и p-типа, так как в месте соединен
100 руб.
Электротехника и электроника Экзамен. I-й семестр. Билет №3
Madam
: 19 февраля 2017
Электротехника и электроника Экзамен. I-семестр. Билет№3
Экзаменационный Билет №3:
1. Операторный метод расчета переходных процессов. Построение эквивалентной схемы с помощью основных свойств преобразования Лапласа.
Свойство линейности.
Дифференцирование оригинала.
Интегрирование оригинала
Изменение масштаба независимого переменного (теорема подобия)
Смещение в области действительного переменного (теорема запаздывания)
Смещения в области комплексного переменного (теорема смещения).
Диф
80 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №3
IT-STUDHELP
: 18 сентября 2023
Билет №3
1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом p-типа.
Приведите передато
250 руб.
«Электроника» Экзамен. Билет № 9. Семестр 3-й
dimont1984
: 4 февраля 2013
1.Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и вых
200 руб.
Экзамен, Электроника , Билет №13, 3 семестр, 8 вариант
Andreas74
: 12 ноября 2018
Билет №13
1.Принцип действия полевого транзистора с р-n переходом.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзистор
180 руб.
500 руб.
Электроника. Экзамен.
banderas0876
: 15 марта 2020
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и
200 руб.
Другие работы
Технологический процесс обработки Основания
Alex16
: 22 февраля 2019
Аннотация 2
Введение 3
1. Назначение и описание условий работы детали, технические требования при изготовлении, материал и его характеристики 4
2. Выбор и обоснование типа производства 6
3. Анализ технологичности конструкции детали 7
4. Обоснование и выбор метода получения заготовки. Определение общих припусков на обработку заготовки, ее размеров и коэффициента использования материала (КИМ) 10
5 Краткая характеристика разрабатываемого технологического процесса 13
5.1 Подбор типового технологи
300 руб.
Вращатель колонны насосных штанг непрерывного действия-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 7 июня 2016
Вращатель колонны насосных штанг непрерывного действия-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
297 руб.
Теоретическая механика СамГУПС Самара 2020 Задача К2 Рисунок 9 Вариант 2
Z24
: 9 ноября 2025
Сложное движение точки
По заданному уравнению вращения φ = f1(t) тела А и уравнению движения s = ОМ = f1(t) точки М относительно тела А определить абсолютную скорость и абсолютное ускорение точки М в момент времени t = t1. Схема к задаче и исходные данные к ней определяются в соответствии с шифром по рис. К2.0–К2.9 и таблице К2. Точка М показана в направлении положительного отсчета координаты s. Положительное направление отсчета угла φ указано стрелкой.
250 руб.
Нравственный выбор героев в Великой Отечественной войне
Qiwir
: 6 сентября 2013
Содержание:
1. Вступление. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3
2. Быков «Сотников». . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
3. Кондратьев «Сашка». . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6
4. Распутин «Живи и помни». . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ..8
5. Воробьев «Убиты под Москвой». . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 12
6. Заключение. . . . .