Экзамен. Билет № 3. Электроника

Цена:
30 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 4CA4F11B-EB26-44D7-81F7-20072C8C8B28.zip [ 170 KB ]
material.view.file_icon Экзамен.doc [ 275 KB ]
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры.

2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.

3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Экзамен
Оценка:Удовлетворительно
Дата оценки: 19.12.2014


Игнатов Александр Николаевич

Похожие материалы

Экзамен по электронике. Билет 3.
1. Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводнике. В полупроводниковых приборах могут протекать дрейфовый и диффузионный токи. Дрейфовым называется ток, обусловленный электрическим полем. 2. Неинвертирующий масштабный усилитель на ОУ. При использовании высококачественных ОУ свойства функциональных узлов зависят от параметров внешних цепей, подключенных к ОУ, и практически не зависят от параметров элементов внутри ОУ. Эта особенность позволяет при проектировании, устройств на ОУ пользоваться уп
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User sanco25 : 1 февраля 2012
90 руб.
Физические основы электроники. Экзамен. Билет №3
1.Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода. Электронно-дырочным (p-n) называют такой переход, который образован двумя областями полупроводника с разными типами проводимости: электронной и дырочной. Электронно-дырочный переход нельзя создать простым соприкосновением полупроводниковых пластин n- и p-типа, так как в месте соединен
ДО СИБГУТИ Физические основы электроники Работа Экзаменационная
User Студенткааа : 16 января 2019
100 руб.
Электротехника и электроника Экзамен. I-й семестр. Билет №3
Электротехника и электроника Экзамен. I-семестр. Билет№3 Экзаменационный Билет №3: 1. Операторный метод расчета переходных процессов. Построение эквивалентной схемы с помощью основных свойств преобразования Лапласа. Свойство линейности. Дифференцирование оригинала. Интегрирование оригинала Изменение масштаба независимого переменного (теорема подобия) Смещение в области действительного переменного (теорема запаздывания) Смещения в области комплексного переменного (теорема смещения). Диф
Электротехника ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные
User Madam : 19 февраля 2017
80 руб.
Электротехника и электроника Экзамен. I-й семестр. Билет №3
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №3
Билет №3 1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом p-типа. Приведите передато
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Работа Экзаменационная
User IT-STUDHELP : 18 сентября 2023
250 руб.
promo
«Электроника» Экзамен. Билет № 9. Семестр 3-й
1.Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и вых
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User dimont1984 : 4 февраля 2013
200 руб.
Экзамен, Электроника , Билет №13, 3 семестр, 8 вариант
Билет №13 1.Принцип действия полевого транзистора с р-n переходом. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзистор
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Andreas74 : 12 ноября 2018
180 руб.
Экзамен, Электроника , Билет №13, 3 семестр, 8 вариант
Электроника экзамен
Электроника экзамен
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Антон28 : 8 августа 2025
500 руб.
Электроника. Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Электроника
User banderas0876 : 15 марта 2020
200 руб.
Электроника. Экзамен.

Другие работы

Типовик по линейной алгебре. 1-й вариант
Всего 13 задач задача 1 Даны координаты вершин пирамиды . Средствами векторной алгебры найти угол между рёбрами и , плошадь грани , проекцию вектора на вектор , объём пирамиды: . задача 2 Составить уравнение прямой, проходящей через т. В(-6, -4) перпендикулярно прямой, проходящей черезточки А(-10, -1) и С(6, 1).
******* Не известно Работа Самостоятельная Линейная алгебра
User lilia1996 : 17 октября 2016
40 руб.
Типовик по линейной алгебре. 1-й вариант
Нефтяной рынок России и СССР: общее и особенное
Содержание Введение 3 1.Нефтяной рынок СССР 5 1.1.Особенности развития нефтяной промышленности в СССР 5 1.2. Советский Союз в роли экспортера нефти. 10 1.3.Упадок советской нефтяной промышленности 12 2. Нефтяной рынок России 15 2.1. Основные черты российского нефтяного рынка 15 1.2 Проблемы на российском рынке нефти 17 Заключение 20 Список использованной литературы 22
Нефтяная промышленность Программа
User DocentMark : 20 октября 2012
5 руб.
Цифровые системы передачи (ЦСП). Контрольная работа. Вариант 15.
Задача 1. Разработайте структурную схему N канальной системы передачи с ИКМ, разрядность кода равна m. Нарисуйте цикл передачи. Определите скорость группового сигнала. Разработайте генераторное оборудование этой системы и нарисуйте диаграммы его работы. Где N и m значения, взятые из таблицы 1. Задача 2. Рассчитать для заданных отсчетов группового АИМ сигнала: 1. Число уровней квантования Мрасч для двух заданных значений шага квантования при равномерном (линейном) законе квантования. 2
СибГУТИ Цифровые системы передачи Работа Контрольная
User Vladimirus : 11 сентября 2016
150 руб.
Цифровые системы передачи (ЦСП). Контрольная работа. Вариант 15.
Курсовой проект По дисциплине: «Основы информационной безопасности в телекоммуникациях». Вариант №12
Системы управления правами доступа (LdM) Оглавление Введение 3 1. Основные функции и особенности внедрения 4 2. Обзор рынка основных Idm решений 8 3. Сравнение IdM-систем 14 4. Управление рисками при внедрении системы IDM 17 Заключение 20 Список литературы 21
Основы информационной безопасности ДО СИБГУТИ Работа Контрольная
User ДО Сибгути : 16 марта 2018
400 руб.
promo
up Наверх