Экзамен. Билет № 3. Электроника

Цена:
30 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon Экзамен.doc
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры.

2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.

3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Экзамен
Оценка:Удовлетворительно
Дата оценки: 19.12.2014


Игнатов Александр Николаевич
Экзамен по электронике. Билет 3.
1. Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводнике. В полупроводниковых приборах могут протекать дрейфовый и диффузионный токи. Дрейфовым называется ток, обусловленный электрическим полем. 2. Неинвертирующий масштабный усилитель на ОУ. При использовании высококачественных ОУ свойства функциональных узлов зависят от параметров внешних цепей, подключенных к ОУ, и практически не зависят от параметров элементов внутри ОУ. Эта особенность позволяет при проектировании, устройств на ОУ пользоваться уп
User sanco25 : 1 февраля 2012
90 руб.
Физические основы электроники. Экзамен. Билет №3
1.Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода. Электронно-дырочным (p-n) называют такой переход, который образован двумя областями полупроводника с разными типами проводимости: электронной и дырочной. Электронно-дырочный переход нельзя создать простым соприкосновением полупроводниковых пластин n- и p-типа, так как в месте соединен
User Студенткааа : 16 января 2019
100 руб.
Электротехника и электроника Экзамен. I-й семестр. Билет №3
Электротехника и электроника Экзамен. I-семестр. Билет№3 Экзаменационный Билет №3: 1. Операторный метод расчета переходных процессов. Построение эквивалентной схемы с помощью основных свойств преобразования Лапласа. Свойство линейности. Дифференцирование оригинала. Интегрирование оригинала Изменение масштаба независимого переменного (теорема подобия) Смещение в области действительного переменного (теорема запаздывания) Смещения в области комплексного переменного (теорема смещения). Диф
User Madam : 19 февраля 2017
80 руб.
Электротехника и электроника Экзамен. I-й семестр. Билет №3
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №3
Билет №3 1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом p-типа. Приведите передато
User IT-STUDHELP : 18 сентября 2023
250 руб.
promo
«Электроника» Экзамен. Билет № 9. Семестр 3-й
1.Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и вых
User dimont1984 : 4 февраля 2013
200 руб.
Экзамен, Электроника , Билет №13, 3 семестр, 8 вариант
Билет №13 1.Принцип действия полевого транзистора с р-n переходом. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзистор
User Andreas74 : 12 ноября 2018
180 руб.
Экзамен, Электроника , Билет №13, 3 семестр, 8 вариант
Электроника. Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и
User banderas0876 : 15 марта 2020
200 руб.
Электроника. Экзамен.
Технологический процесс обработки Основания
Аннотация 2 Введение 3 1. Назначение и описание условий работы детали, технические требования при изготовлении, материал и его характеристики 4 2. Выбор и обоснование типа производства 6 3. Анализ технологичности конструкции детали 7 4. Обоснование и выбор метода получения заготовки. Определение общих припусков на обработку заготовки, ее размеров и коэффициента использования материала (КИМ) 10 5 Краткая характеристика разрабатываемого технологического процесса 13 5.1 Подбор типового технологи
User Alex16 : 22 февраля 2019
300 руб.
Технологический процесс обработки Основания
Вращатель колонны насосных штанг непрерывного действия-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
Вращатель колонны насосных штанг непрерывного действия-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
297 руб.
Вращатель колонны насосных штанг непрерывного действия-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
Теоретическая механика СамГУПС Самара 2020 Задача К2 Рисунок 9 Вариант 2
Сложное движение точки По заданному уравнению вращения φ = f1(t) тела А и уравнению движения s = ОМ = f1(t) точки М относительно тела А определить абсолютную скорость и абсолютное ускорение точки М в момент времени t = t1. Схема к задаче и исходные данные к ней определяются в соответствии с шифром по рис. К2.0–К2.9 и таблице К2. Точка М показана в направлении положительного отсчета координаты s. Положительное направление отсчета угла φ указано стрелкой.
User Z24 : 9 ноября 2025
250 руб.
Теоретическая механика СамГУПС Самара 2020 Задача К2 Рисунок 9 Вариант 2
Нравственный выбор героев в Великой Отечественной войне
Содержание: 1. Вступление. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3 2. Быков «Сотников». . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 3. Кондратьев «Сашка». . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6 4. Распутин «Живи и помни». . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ..8 5. Воробьев «Убиты под Москвой». . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 12 6. Заключение. . . . .
User Qiwir : 6 сентября 2013
up Наверх