Экзамен. Билет № 3. Электроника

Цена:
30 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 4CA4F11B-EB26-44D7-81F7-20072C8C8B28.zip [ 170 KB ]
material.view.file_icon Экзамен.doc [ 275 KB ]
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры.

2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.

3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Экзамен
Оценка:Удовлетворительно
Дата оценки: 19.12.2014


Игнатов Александр Николаевич

Похожие материалы

Экзамен по электронике. Билет 3.
1. Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводнике. В полупроводниковых приборах могут протекать дрейфовый и диффузионный токи. Дрейфовым называется ток, обусловленный электрическим полем. 2. Неинвертирующий масштабный усилитель на ОУ. При использовании высококачественных ОУ свойства функциональных узлов зависят от параметров внешних цепей, подключенных к ОУ, и практически не зависят от параметров элементов внутри ОУ. Эта особенность позволяет при проектировании, устройств на ОУ пользоваться уп
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User sanco25 : 1 февраля 2012
90 руб.
Физические основы электроники. Экзамен. Билет №3
1.Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода. Электронно-дырочным (p-n) называют такой переход, который образован двумя областями полупроводника с разными типами проводимости: электронной и дырочной. Электронно-дырочный переход нельзя создать простым соприкосновением полупроводниковых пластин n- и p-типа, так как в месте соединен
ДО СИБГУТИ Физические основы электроники Работа Экзаменационная
User Студенткааа : 16 января 2019
100 руб.
Электротехника и электроника Экзамен. I-й семестр. Билет №3
Электротехника и электроника Экзамен. I-семестр. Билет№3 Экзаменационный Билет №3: 1. Операторный метод расчета переходных процессов. Построение эквивалентной схемы с помощью основных свойств преобразования Лапласа. Свойство линейности. Дифференцирование оригинала. Интегрирование оригинала Изменение масштаба независимого переменного (теорема подобия) Смещение в области действительного переменного (теорема запаздывания) Смещения в области комплексного переменного (теорема смещения). Диф
Электротехника ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные
User Madam : 19 февраля 2017
80 руб.
Электротехника и электроника Экзамен. I-й семестр. Билет №3
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №3
Билет №3 1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом p-типа. Приведите передато
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Работа Экзаменационная
User IT-STUDHELP : 18 сентября 2023
250 руб.
promo
Электроника экзамен
Электроника экзамен
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Антон28 : 8 августа 2025
500 руб.
Электроника. Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Электроника
User banderas0876 : 15 марта 2020
200 руб.
Электроника. Экзамен.
Экзамен. Электроника
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом
Экология и защита окружающей среды Работа Экзаменационная
User lisii : 21 марта 2019
65 руб.
Экзамен. Электроника
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Параметры полевого транзистора. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером. Приве
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User AlexBrookman : 3 февраля 2019
90 руб.

Другие работы

Теплотехника ИрГАУ Задача 5 Вариант 16
Определить количество удаленной влаги W, потребное количество воздуха L и расход теплоты на сушку Q для конвективной зерносушилки производительностью G1, если начальное значение относительной влажности зерна ω1 и конечное ω2, влагосодержание d1 и температура воздуха t1 на входе в сушилку, влагосодержание d2 и температура воздуха t2 на выходе из сушилки, температура наружного воздуха t0=15 ºC (табл. 6). Изобразить процесс сушки в h-d диаграмме влажного воздуха.
Задачи Теплотехника
User Z24 : 22 февраля 2026
150 руб.
Теплотехника ИрГАУ Задача 5 Вариант 16
Вычерчивание контура технической детали. Корпус. Вариант 7, 17, 27
Задание №1. Тема: Вычерчивание контура технической детали ЗАДАНИЕ: На листе формата А4 вычертить контур детали по своему варианту в масштабе 1:1, по заданным размерам, с применением правил построения сопряжений и деления окружности на части. чертеж сделан компасе 20 + дополнительно сохранен в компас 11 и в джпг Файлы компаса можно просматривать и сохранять в нужный формат бесплатной программой КОМПАС-3D Viewer. Если есть какие-то вопросы или нужно другой вариант, пишите.
Чертежи Инженерная графика
User Laguz : 22 апреля 2025
90 руб.
Вычерчивание контура технической детали. Корпус. Вариант 7, 17, 27
Перегрев рынка труда США в конце 90-х гг.
Введение Уровень безработицы является одним из основных показателей эффективности экономической системы страны. Изучение этой проблемы позволяет экономистам выявить закономерности развития безработицы, её динамики и структуры. Базируясь на полученных знаниях, государство строит свою политику в сфере социального страхования и регулировании экономических процессов. Целью написания данной работы является выявление закономерности развития рынка труда США в конце 90-х годов. Рассмотреть причины «пе
Рефераты Социология
User alfFRED : 9 сентября 2013
5 руб.
Двухэтажный дом. Сибстрин
План первого этажа М1:100, план крыши М1:1200 Фасад 1-7 М1:100 Разрез 1-1 М1:100 Узел 1 М1:50, Узел 2 М1:50 Сделано в компасе 16 и автокаде. В автокад все переведено полностью, с учетом шрифтов, слоев. Открывается так же нанокадом. Сохранено в джпг и пдф
Чертежи Инженерная и компьютерная графика НГАСУ
User Laguz : 23 марта 2025
200 руб.
Двухэтажный дом. Сибстрин
up Наверх