Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».4сем. 11 билет

Цена:
70 руб.

Состав работы

material.view.file_icon F5771DBC-3D27-4E33-92E5-795D1C85FFB4.rar [ 119 KB ]
material.view.file_icon Продажа,электроника ,экзамен..doc [ 258 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».

1.Устройство сдвига уровней и эмиттерный повторитель.

2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной
характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните,
какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной
характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Экзамен
Оценка:Отлично
Дата оценки: 18.05.2015
Рецензия:Уважаемый ..,Вы правильно ответили на вопросы
Игнатов Александр Николаевич

Похожие материалы

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики Б
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User alex-180672 : 14 апреля 2011
111 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». СИБГУТИ.Электроника.Экзамен. 3 семестр 2 вариант 1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительн
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User qawsedrftgyhujik : 19 декабря 2010
100 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника»
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника» 1. Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры. Излучающим называют полупроводниковый прибор, предназначенный для непосредственного преобразования электрической энергии в энергию светового излучения. Излучающие полупроводниковые приборы подразделяются на четыре группы: светоизлучающие диоды, лазеры, электролюминесцентные порошковые и пленочные излучатели. Принцип действия излучающих полупроводнико
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User sibgutimts : 22 июня 2010
120 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника»
Экзаменационные вопросы по курсу: «Электроника». Вариант №16
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Принцип действия полевого транзистора со структурой МДП. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передато
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Sandra197 : 9 января 2016
200 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 5-й семестр
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Эквивалентные схемы полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмитт
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User настя2014 : 16 января 2015
100 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». ДО. 4-й семестр
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Применение генераторов тока в ОУ. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User user888 : 21 апреля 2013
120 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».. 3- й семестр
1. Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов. 2. Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и
Электроника Работа Экзаменационная
User VaS3012 : 24 сентября 2012
100 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».. 3- й семестр
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и кан
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Ekaterina-Arbanakova : 20 апреля 2012
350 руб.

Другие работы

Расчетно-графический анализ тягово-скоростных свойств автомобиля АЗЛК – 21412 – 01, движущегося по дороге с коэффициентом дорожного сопротивления 0,034
С целью закрепления теоретических знаний и приобретения навыков анализа тягово-скоростных свойств автомобиля для заданной модели в курсовой работе выполняю необходимые расчеты на основании конкретных технических данных автомобиля. Строю графики и по ним анализируем тягово-скоростные свойства. Произведенные расчеты свожу в таблицы, текст сопровождаю расчетными зависимостями с расшифровкой параметров. 1.Задание для расчетно-графического анализа и выбор исходных данных Произвести расчетно-графическ
Работа Расчетно-графическая ХНАДУ Автомобильный транспорт
User yura909090 : 24 мая 2012
80 руб.
Крышка. вариант 12. Упражнение 41
Крышка вариант 12 Упражнение 41 Крышка вариант 12 Начертить три вида детали. Выполнить разрезы. Проставить размеры. Главный вид взять по стрелке А. Чертеж сделан на формате А3 и 3д модель выполнены в AutoCAD 2013 (все на скриншотах показано присутствует в архиве) возможно открыть с 2013 по 2023 и выше версиях. Также открывать и просматривать чертежи и 3D-модели, выполненные в AutoCAD-е можно просмоторщиком DWG TrueView 2023. По другим вариантам и всем вопросам пишите в Л/С. Отвечу и помогу.
Начертательная геометрия и инженерная графика БРУ Работа Контрольная
User coolns : 12 декабря 2022
125 руб.
Крышка. вариант 12. Упражнение 41 promo
Емкости подземные горизонтальные дренажные ЕП-20
Емкости подземные горизонтальные дренажные ЕП 20 м3 (без подогревателя) используются для слива остатков темных и светлых нефтепродуктов, нефти, масел, конденсата, в том числе в смеси с водой из технологических сетей (трубопроводов) и аппаратов на предприятиях нефтеперерабатывающей, нефтехимической, нефтяной и газовой отраслей промышленности.
Нефтяная промышленность Работа
User Hobbit : 19 декабря 2014
50 руб.
Емкости подземные горизонтальные дренажные ЕП-20
Микроскопия вчера, сегодня, завтра
Какой будет рентгеновская микроскопия в будущем? Скорее всего, основным направлением в этой области станет повышение разрешающей способности. Ряд ведущихся в настоящее время экспериментов дает основание полагать, что с помощью специальных приемов его можно будет довести до 10–20 Обратимся к событиям 40-летней давности. В 1956 г. сотрудник картографической службы военного ведомства США Дж.О’Кифи предложил конструкцию микроскопа, в котором свет должен был выходить из крошечного отвестия в непрозра
Машины и механизмы Работа
User alfFRED : 23 февраля 2013
10 руб.
up Наверх