Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Контрольная работа. Вариант: 26.
-
Категории:
Электротехника, СибГУТИ, Работа Контрольная
-
Добавлен:
05.06.2015
-
Размер:
486 KB
-
Покупок:
25
-
Добавил:
Cole82
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
02512486-99FF-4DFF-AC29-1EBC62F2DE31.doc
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12-19) транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.
Задача 4.
В соответствии со второй цифрой пароля выберете принципиальную схему устройства на основе идеального операционного усилителя и приведите исходные данные вашего варианта в соответствии с таблицей 2. Варианты схем приведены на рисунке 2.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12-19) транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.
Задача 4.
В соответствии со второй цифрой пароля выберете принципиальную схему устройства на основе идеального операционного усилителя и приведите исходные данные вашего варианта в соответствии с таблицей 2. Варианты схем приведены на рисунке 2.
Дополнительная информация
Зачет
2015
Игнатов А.Н.
2015
Игнатов А.Н.
Похожие материалы
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 11 июня 2021
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики Б
Илья272
: 11 июня 2021
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 21 мая 2021
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2) Вариант 6 Контрольная работа
SOKOLOV
: 2 марта 2025
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2) Вариант 6 Контрольная работа
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. UСИ0 = 5В; UЗИ0 = -3,2В
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного транзистора опр
SOKOLOV
: 2 марта 2025
311 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). ВАРИАНТ №3. Контрольная работа.
holm4enko87
: 17 января 2025
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
holm4enko87
: 17 января 2025
300 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Контрольная работа. Вариант 16.
nik200511
: 28 февраля 2023
Задача 1
По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры , , полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные представлены в таблице 1.
Таблица 1
№ варианта Тип ПТ
16 КП 303Д 14 -8
Задача 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-парам
nik200511
: 28 февраля 2023
160 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). ВАРИАНТ №16. Контрольная работа.
OneOne
: 10 ноября 2019
Задача №1
По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Дано:
Транзистор: КП 303Д , UСИ0=14 В, UЗИ0= -8 В.
Задача №2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Дано:
Транзистор: КТ815
OneOne
: 10 ноября 2019
200 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). ВАРИАНТ №5. Контрольная работа.
321
: 19 октября 2019
Задания работы представлены на скриншоте.
Задание 1
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2,
см. стр. 6-12)
построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задание 2
Используя характеристики зад
321
: 19 октября 2019
300 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Контрольная работа. Вариант №10.
Bodibilder
: 20 мая 2019
Вариант задания для задач 1,2 определяется по двум последним цифрам студенческого пароля, если они до 50. Если две последние цифры больше 50, то вариант задания определяется как две последние цифры минус 50.
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выв
Bodibilder
: 20 мая 2019
40 руб.
Другие работы
Моделирование телекоммуникационных систем. Контрольная работа. Вариант №2
fractal
: 28 марта 2016
Задание 1 - Моделирование случайных последовательностей чисел
Сгенерируйте последовательности из n случайных чисел, согласно вариантам, приведенным в Таблице 1:
вариант 02:
Последовательность случайных чисел, n = Строка n=5
Закон распределения = Нормальный
Задание 2
Равномерное распределение случайных последовательностей в заданном интервале
a. Сформируйте n случайных чисел с равномерным распределением из интервала (Таблица 2)
b. Рассчитайте теоретическое значение математического ожидания
fractal
: 28 марта 2016
250 руб.
Государственная политика и возрождение социально-культурной сферы в современной России
alfFRED
: 6 ноября 2013
Введение…………………………………………………………………….3
Глава 1. Кризисное состояние социально-культурной деятельности и необходимость ее регулирования………………………………………………..5
1.1. Функции социально-культурной деятельности……………….……..5
1.2. Актуальные проблемы социально-культурной деятельности в России…………………………………………….………………………………11
Глава 2. Государственная политика и возрождение социально-культурной сферы в современной России……………………………………..13
2.1. Социально-культурная политика государства и ее основные цели………
alfFRED
: 6 ноября 2013
10 руб.
Усеченный конус. Задание №58. Вариант №5
bublegum
: 29 октября 2020
Усеченный конус Задание 58 Вариант 5
Выполнить в трех проекциях чертеж полого геометрического тела с применением профильного разреза. На горизонтальной проекции варианта 5 достроить недостающие линии.
3d модель и чертеж (все на скриншотах изображено) выполнены в компасе 3D v13, возможно открыть и выше версиях компаса.
Просьба по всем вопросам писать в Л/С. Отвечу и помогу.
bublegum
: 29 октября 2020
150 руб.
СФизические основы прогнозирования возмущений в околоземной среде по характеристикам Солнца
Elfa254
: 15 августа 2013
Физические основы прогноза
К настоящему времени можно считать установленными основные типы энергетических потоков (частиц и излучения) от Солнца, воздействие которых приводит к тому или иному характеру возмущенности в околоземной среде (магнитосфере, ионосфере и атмосфере Земли):
а) потоки сравнительно плотной (n ~ 1-70 см-3 на орбите Земли) квазинейтральной и низкоэнергичной (Е < 10 кэ в) плазмы солнечного ветра, вызывающие магнитосферные и ионосферные бури с длительностью от 1 сут и более;
б)
Elfa254
: 15 августа 2013
