Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Экзамен. Билет №12.

Цена:
21 руб.

Состав работы

material.view.file_icon D7DEB35C-A9E6-4B99-8B4A-854CCA35B5B3.doc [340 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

1. Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

Хорошо
2015
Игнатов А.Н.

Похожие материалы

Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные
User Алексей134 : 4 марта 2021
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Электроника
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
Электротехника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)
1. Статические характеристики полевого транзистора. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные ха
Электротехника ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные
User aikys : 18 июня 2016
65 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики Б
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Билеты экзаменационные
User Илья272 : 11 июня 2021
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1. Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
******* Не известно Электротехника, электроника и схемотехника Работа Контрольная
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Экзамен. Билет 7.
1. Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2. Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и пока
Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User nik200511 : 20 января 2024
83 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). ВАРИАНТ №5. Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 2.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Пр
Электротехника и электроника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User 321 : 19 октября 2019
300 руб.
promo

Другие работы

Экзаменационная работа по дисциплине: Физика. Билет №24
Билет №24 1. Кинематика прямолинейного равномерного и неравномерного движения (физические величины, уравнения движения, графики зависимостей физических величин от времени). 2. Энергия электрического поля. Объёмная плотность энергии поля (с выводом). 3. Металлический стержень длиной 0,1 м равномерно вращается в магнитном поле с индукцией 1 мТл вокруг оси, проходящей через его конец и перпендикулярной стержню, с частотой 50 об/с. Ось вращения составляет угол 600 с направлением силовых линий поля
ДО СИБГУТИ Физика Работа Экзаменационная
User Roma967 : 17 февраля 2016
450 руб.
promo
Гидравлика Задача 7.390 Вариант 5
Определить расход воды Q, протекающей по горизонтальному трубопроводу, имеющему сужение, если известны d1, d2, h1 и h2 (рис. 3.18).
Задачи Гидравлика
User Z24 : 5 мая 2026
200 руб.
Гидравлика Задача 7.390 Вариант 5
Резьбовое соединение. Вариант 14
Резьбовое соединение. Вариант 14 Цель работы: Получение понятий о видах резьб, их изображении и обозначении, знаний и умений выполнения чертежей деталей с резьбой и их соединений. Содержание работы: На форматах А3 по заданным изображениям деталей с наружной и внутренней резьбой выполнить чертеж резьбового соединения, проставить размеры. Масштаб изображения выбрать самостоятельно. Внутренний диаметр резьбы при выполнении чертежа принять равным 0,85 от наружного диаметра резьбы. Чертежи и 3d мо
Начертательная геометрия и инженерная графика БТИ Работа Контрольная
User coolns : 30 января 2023
150 руб.
Резьбовое соединение. Вариант 14 promo
Явления внимания и невнимания. Техники развития внимания
СОДЕРЖАНИЕ ВВЕДЕНИЕ 2. ВНИМАНИЕ: ПОНЯТИЕ И ФОРМЫ ПРОЯВЛЕНИЯ 2.1 Понятие категории внимания 2.2 Формы проявления внимания 3. ВИДЫ ВНИМАНИЯ И ИХ ХАРАКТЕРИСТИКА 4. ОСНОВНЫЕ СВОЙСТВА ВНИМАНИЯ 4.1 Сосредоточенность 4.2 Устойчивость 4.3 Объем 4.4 Распределение внимания 4.5 Переключение 4.6 Рассеянность внимания 5. Явление невнимания. 5.1 Поэтическая, профессорская рассеянность. 5.2 Студенческая рассеянность. 5.3 Отрицательные эффекты внимания. ЗАКЛЮЧЕНИЕ БИБЛИОГРАФИЯ
Психология СибГУТИ Рефераты
User елена85 : 14 февраля 2014
100 руб.
up Наверх