Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант 05.
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант 5
Тип фотоприемника (ФП) Фотодиод-транзистор
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 3.
Таблица 3. Варианты и данные фотоприемников
Вариант 0
Тип ПП материала Ge
Квантовая эффективность, 0,2
Ширина запрещенной зоны W, эВ 0,6
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.4).
Таблица 4. Входной двоичный код и состояния выходов дешифратора.
Номер варианта 5
Входной код 23 22 21 20
1 0 1 0
Состояние выходов дешифратора
А В С Д Е F G
0 1 0 0 1 0 0
Задача No 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
No варианта 0
Тип светодиода АЛ102В
Напряжение питания Uпит, В 5
Номинал ограничительного сопротивления, Ом 510
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант 5
Тип фотоприемника (ФП) Фотодиод-транзистор
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 3.
Таблица 3. Варианты и данные фотоприемников
Вариант 0
Тип ПП материала Ge
Квантовая эффективность, 0,2
Ширина запрещенной зоны W, эВ 0,6
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.4).
Таблица 4. Входной двоичный код и состояния выходов дешифратора.
Номер варианта 5
Входной код 23 22 21 20
1 0 1 0
Состояние выходов дешифратора
А В С Д Е F G
0 1 0 0 1 0 0
Задача No 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
No варианта 0
Тип светодиода АЛ102В
Напряжение питания Uпит, В 5
Номинал ограничительного сопротивления, Ом 510
Дополнительная информация
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники Вид работы: Контрольная работа 1 Оценка:Зачет Дата оценки: 17.10.2013.
Игнатов Александр Николаевич
Игнатов Александр Николаевич
Похожие материалы
Устройство оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант 05
ElenaA
: 23 октября 2016
Задача No 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
05 Фотодиод - транзистор
Задача No 2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, h Ширина запрёщенной зоны ∆W, эВ
0 CdS 0,4 2,5
70 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа №1. Вариант №05
vecrby
: 24 мая 2015
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант №05 – Фотодиод - транзистор
Задача №2: Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность фотоприемника. Изобразить вид спектральной характеристики и указать на ней .
Дано:
Тип ПП материала Ge;
Квантовая эффективность, ;
Ширина запрещенной зоны , ;
Найти: -? -?
Задача №3: Изобразить принципиальную схему вклю
40 руб.
Устройство оптоэлектроники Контрольная работа
Галилео
: 15 марта 2018
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника фотодиод с гетероструктурой. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. и т.д.
40 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Сергейds
: 6 февраля 2014
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант №07 – Фототранзистор
Работа фотоприемников основана на использовании внутреннего фотоэффекта в твердых телах.
Поглощаемые полупроводником кванты освобождают носители заряда либо атомов решетки,
либо атомов примеси.
Поскольку для каждого из этих переходов требуется некоторая минимальная энергия, характерная для данного материала, ка
59 руб.
Контрольная работа по устройству оптоэлектроники
Богарт
: 2 июня 2011
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
5 Составной фототранзистор
199 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
karimoverkin
: 11 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод с гетероструктурой
Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
0 Фотодиод на основе р-n перехода
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника.
Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Исходные данные
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
nvm1604
: 27 января 2016
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
9 Фоторезистор
Решение:
Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра.
В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
50 руб.
Другие работы
Гидравлика АКАДЕМИЯ ГРАЖДАНСКОЙ ЗАЩИТЫ Задача 1 Вариант 03
Z24
: 9 марта 2026
Определить абсолютное и избыточное гидростатическое давление в точке А на глубине h от поршня, если на поршень диаметром 200 мм воздействует сила Р, атмосферное давление ра = 0,1 МПа.
150 руб.
Датчик шума
DocentMark
: 13 ноября 2012
Введение
Данный курсовой проект выполнен на основе материала, полученного на предприятии ФГУП «Калугаприбор» г. Калуги.
В данном курсовом проекте при разработке печатного узла учитывались условия его работы.
Условия эксплуатации блока подразумевают постоянное действие вибрации (10 g) и воздействие ударов (перегрузка 15 g, форма импульса прямоугольная, t = 15 мс), давление 760 мм. рт. ст., диапазон температур (-60 – +100)°С, влажность до 80% при температуре 300С.
Данный узел должен обеспечивать в
15 руб.
Проект модернизации тестомесильной машины И8-ХТА-12/1
GnobYTEL
: 19 октября 2012
Кафедра МАПП.
Специальность 260601 «Машины и аппараты пищевых производств».
Содержание:
Введение.
Анализ современных объектов аналогичного назначения.
Общая характеристика предприятий хлебопекарной промышленности.
Особенности производства и потребления готовой продукции.
Стадии технологического процесса производства хлеба.
Назначение, классификация и современные конструкции тестомесильных машин.
Патентная проработка проекта.
Описание разработанного объекта.
Расчёты, подтверждающие работоспособн
20 руб.
Многоканальные телекоммуникационные системы. 5-й семестр. Контрольная работа № 2
vaska
: 23 января 2012
Линейные коды ЦСП
HDB-3 – это трех уровневый код, в котором при появлении в исходном коде ДЦС нулей ≥ 4 вместо четырех нулей делаются вставки ВООV и OOOV.
«В» - импульс «1», полярность которого противоположна предыдущему импульсу «1»,
«V» - импульс «1», полярность которого совпадает с предыдущим импульсом «1».
Тип вставки зависит от количества единиц до вставки:
- если число единиц четное, то вставка будет BOOV,
- если число единиц нечетное, то вставка будет
60 руб.