Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант 05.
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант 5
Тип фотоприемника (ФП) Фотодиод-транзистор
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 3.
Таблица 3. Варианты и данные фотоприемников
Вариант 0
Тип ПП материала Ge
Квантовая эффективность, 0,2
Ширина запрещенной зоны W, эВ 0,6
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.4).
Таблица 4. Входной двоичный код и состояния выходов дешифратора.
Номер варианта 5
Входной код 23 22 21 20
1 0 1 0
Состояние выходов дешифратора
А В С Д Е F G
0 1 0 0 1 0 0
Задача No 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
No варианта 0
Тип светодиода АЛ102В
Напряжение питания Uпит, В 5
Номинал ограничительного сопротивления, Ом 510
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант 5
Тип фотоприемника (ФП) Фотодиод-транзистор
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 3.
Таблица 3. Варианты и данные фотоприемников
Вариант 0
Тип ПП материала Ge
Квантовая эффективность, 0,2
Ширина запрещенной зоны W, эВ 0,6
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.4).
Таблица 4. Входной двоичный код и состояния выходов дешифратора.
Номер варианта 5
Входной код 23 22 21 20
1 0 1 0
Состояние выходов дешифратора
А В С Д Е F G
0 1 0 0 1 0 0
Задача No 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
No варианта 0
Тип светодиода АЛ102В
Напряжение питания Uпит, В 5
Номинал ограничительного сопротивления, Ом 510
Дополнительная информация
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники Вид работы: Контрольная работа 1 Оценка:Зачет Дата оценки: 17.10.2013.
Игнатов Александр Николаевич
Игнатов Александр Николаевич
Похожие материалы
Устройство оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант 05
ElenaA
: 23 октября 2016
Задача No 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
05 Фотодиод - транзистор
Задача No 2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, h Ширина запрёщенной зоны ∆W, эВ
0 CdS 0,4 2,5
70 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа №1. Вариант №05
vecrby
: 24 мая 2015
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант №05 – Фотодиод - транзистор
Задача №2: Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность фотоприемника. Изобразить вид спектральной характеристики и указать на ней .
Дано:
Тип ПП материала Ge;
Квантовая эффективность, ;
Ширина запрещенной зоны , ;
Найти: -? -?
Задача №3: Изобразить принципиальную схему вклю
40 руб.
Устройство оптоэлектроники Контрольная работа
Галилео
: 15 марта 2018
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника фотодиод с гетероструктурой. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. и т.д.
40 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Сергейds
: 6 февраля 2014
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант №07 – Фототранзистор
Работа фотоприемников основана на использовании внутреннего фотоэффекта в твердых телах.
Поглощаемые полупроводником кванты освобождают носители заряда либо атомов решетки,
либо атомов примеси.
Поскольку для каждого из этих переходов требуется некоторая минимальная энергия, характерная для данного материала, ка
59 руб.
Контрольная работа по устройству оптоэлектроники
Богарт
: 2 июня 2011
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
5 Составной фототранзистор
199 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
karimoverkin
: 11 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод с гетероструктурой
Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
0 Фотодиод на основе р-n перехода
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника.
Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Исходные данные
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
nvm1604
: 27 января 2016
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
9 Фоторезистор
Решение:
Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра.
В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
50 руб.
Другие работы
Настройка механизмов контроля и регистрации
Elfa254
: 5 октября 2013
Контроль целостности – функция системы защиты, которая предназначена для слежения за изменением параметров заданных ресурсов. Система Secret Net контролирует целостность каталогов, файлов, элементов системного реестра.
Контролируются следующие параметры:
целостность содержимого ресурса;
права доступа и владения;
атрибуты DOS;
существование ресурса.
Для организации контроля целостности необходимо определить список ресурсов, подлежащих контролю, и сформировать задание на контроль, в котором
11 руб.
МЧ00.09.00.00 Отводка деталировка
coolns
: 28 сентября 2018
Отводка служит для включения и выключения специальных муфт без остановки ведущего вала. Кронштейн поз. 1 является опорой механизма отводки.
При повороте рычага поз. 5 вокруг оси поз. 6 винт поз. 4 совершает движение вверх или вниз, а вилка поз. 2 поворачивается вокруг осей поз. 7 и 8, в результате чего ее крыло с полукруглыми пазами, совершая дуговое движение вокруг валика поз. 8, включает или отключает муфту.
МЧ00.09.00.00 СБ_Отводка
МЧ00.09.00.01_Кронштейн
МЧ00.09.00.02_Вилка
МЧ00.09.00.03_Ви
250 руб.
Построение дерева почти оптимального поиска
uksne
: 27 ноября 2010
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №5 по дисциплине «Структуры и алгоритмы обработки данных (часть 2. Древовидные структуры данных)». Вариант 10
Построение дерева почти оптимального поиска.
1. Разработать процедуры построения ДОП приближенными методами А1 и А2.
2. Вычислить средневзвешенную высоту построенных ДОП для n=10, 50, 100, 200, 400 (n -количество вершин в дереве) и заполнить таблицу следующего вида. Проанализировать полученные результаты, сравнить их между собой.
100 руб.
Модернизация 1Б216-6К. Отчет по практике
VikkiROY
: 12 октября 2011
Вступ
Токарно-багатошпиндельні автомати та їх призначення.
Типові деталі, які обробляються на токарно-багатошпиндельних автоматах.
Верстат 1Б216-6К. Кінематика та її аналіз.
Виявлення недоліків та визначення шляхів їх вирішення.
Техніка безпеки.
Висновки
Література
Додаток(кінематична схема 1Б216-6К)
45 руб.