Лабораторные работы 1,2,3 (схемотехника) 9 вариант

Цена:
100 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 63952E42-28C0-4AE7-9118-2B58E2BE3A6E.rar [ 2 MB ]
material.view.file_icon Л.р. 2.doc [ 908 KB ]
material.view.file_icon Л.р. 3.doc [ 602 KB ]
material.view.file_icon Л.р. 1.doc [ 895 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе”
Отчет:
1. Принципиальная схема исследуемого каскада.
2. Результаты расчета.
3. Графики амплитудно-частотных характеристик.
4. Осциллограммы выходного импульсного сигнала, данные измерений переходных искажений.
5. Выводы по результатам измерений, сравнение с результатами расчетов.
Лабораторная работа № 2

“Исследование резисторного каскада широкополосного усилителя на полевом транзисторе”
1. Цель работы

Исследовать влияние элементов схемы каскада широкополосного усилителя на полевом транзисторе с общим истоком на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики).

2. Принципиальная схема резисторного каскада широкополосного усилителя на полевом транзисторе ( лабораторная установка)

Лабораторная работа 2.
Цель работы:
Исследовать свойства и характеристики схем интегратора и дифференциатора на основе операционного усилителя (ОУ)

Дополнительная информация

Сдача 2013, ДО СибГути, 3 семестр, Архипов С.Н., зачёт

Похожие материалы

Основы схемотехники. Лабораторная работа № 1. 9-й вариант.
Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе 1.Цель работы. Исследовать влияние параметров элементов схемы каскада с эмиттерной стабилизацией на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики). 2. Расчет параметров усилителя. 3. Выполнение лабораторной работы. 4. Выводы.
СибГУТИ Основы схемотехники Работа Лабораторная
User Taburet : 25 июня 2012
35 руб.
Лабораторные работы №№1-3. Основы. Схемотехники. Вариант №9
1. Тема: Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе 2. Тема: Исследование резисторного каскада широкополосного усилителя на полевом транзисторе 3. Тема: Исследование интегратора и дифференциатора на основе операционного усилителя
СибГУТИ Основы схемотехники Работа Лабораторная
User sag : 12 ноября 2015
150 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Схемотехника телекоммуникационных устройств. Вариант 9
«Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе» 1. Цель работы Исследовать влияние параметров элементов схемы каскада с эмиттерной стабилизацией на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики). 2. Принципиальная схема исследуемого каскада 3. Предварительный расчет Таблица 1 - Исходные данные для предварительного расчета Вариант: 9 Тип транзистора: KT 3102А Параметр h21э: 330 Ск, пФ: 18 fh21э, МГц: 2,4 rбб, Ом: 145 Напряже
ДО СИБГУТИ Схемотехника телекоммуникационных устройств Работа Лабораторная
User Roma967 : 30 марта 2023
600 руб.
promo
Лабораторные работы №№ 1- 2 по "Схемотехнике"
Лабораторная работа 1 ИССЛЕДОВАНИЕ РЕЗИСТОРНОГО КАСКАДА ПРЕДВАРИТЕЛЬНОГО УСИЛЕНИЯ НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ Лабораторная работа 2 ИССЛЕДОВАНИЕ РЕЗИСТОРНОГО КАСКАДА ШИРОКОПОЛОСНОГО УСИЛИТЕЛЯ НА ПОЛЕВОМ ТРАНЗИСТОРЕ.
Схемотехника СибГУТИ Работа Лабораторная
User te86 : 18 февраля 2013
180 руб.
Основы схемотехники, Лабораторная работа №1
Тема Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе Цель работы Исследовать влияние параметров элементов схемы каскада с эмиттерной стабилизацией на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики). Исходные данные Транзистор типа KT 3102А с параметрами: h21э = 200, Ск = 10 пФ, fh21э = 1,5 МГц, rбб = 120 Ом; напряжение источника питания E0 = 15В, ток покоя транзистора iк0 = 3мА.
Схемотехника СибГУТИ Работа Лабораторная
User Devide : 22 ноября 2011
45 руб.
Лабораторная работа №№1-3 по дисциплине: Схемотехника телекоммуникационных устройств. Вариант №9
Лабораторная работа No 1 Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе 1. Цель работы Исследовать влияние параметров элементов схемы каскада с эмиттер-ной стабилизацией на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики). Исходные данные для предварительного расчета: транзистор типа KT3102А с параметрами: h21э=185, Сбэ дин=1,8нФ, fh21э=1,5МГц, rбб = 50 Ом; напряжение источника питания Eп=15В, ток покоя транзистора iк0=18
СибГУТИ Схемотехника телекоммуникационных устройств Работа Лабораторная
User IT-STUDHELP : 18 ноября 2021
1050 руб.
promo
Лабораторные работы №1-2 по дисциплине: Схемотехника телекоммуникационных устройств. Вариант №9
Лабораторная работа No1 Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе Исходные данные для предварительного расчета: транзистор типа KT3102А с параметрами: h21э=185, Сбэ дин=1,8нФ, fh21э=1,5МГц, rбб = 50 Ом; напряжение источника питания Eп=15В, ток покоя транзистора iк0=18,6мА. Варианты значений выходной разделительной емкости (С2) и емкости нагрузки С4, указанные в таблице 1, выбираются по последней цифре пароля. Таблица 1 – Варианты значений емкостей N
ДО СИБГУТИ Схемотехника телекоммуникационных устройств Работа Лабораторная
User teacher-sib : 19 мая 2017
200 руб.
promo
Схемотехника телекоммуникационных устройств (часть 1) Лабораторная работа №1 №2 ВАРИАНТ 9
Лабораторная работа №1 «Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе» По дисциплине: Схемотехника телекоммуникационных устройств (часть 1) Лабораторная работа №2 «Исследование резисторного каскада широкополосного усилителя на полевом транзисторе» По дисциплине: Схемотехника телекоммуникационных устройств (часть 1)
ДО СИБГУТИ Схемотехника телекоммуникационных устройств Работа Лабораторная
User Rufus : 29 октября 2016
300 руб.

Другие работы

Физические основы электроники. 14-й вариант. Сборник лабораторных плюс контрольная
1) По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора; в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току
ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User igoriceg : 21 октября 2016
100 руб.
Финансовые ресурсы ОАО "Хабаровский грузовой автокомбинат"
РЕФЕРАТ Выпускная квалификационная работа состоит из введения, трех глав, заключения, списка использованной литературы и приложений. Объем работы – 83 листа; работа содержит 24 таблицы, 8 схем и рисунков, 3 приложения. При подготовке выпускной квалификационной работы использовано 39 источников литературы. КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА: ФИНАНСОВЫЕ РЕСУРСЫ, АВТОТРАНСПОРТНОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ, ФОРМИРОВАНИЕ ФИНАНСОВЫХ РЕСУРСОВ, ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ФИНАНСОВЫХ РЕСУРСОВ, ФИНАНСОВЫЙ ИНСТРУМЕНТ, РЕНТАБЕЛЬНОСТЬ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ. О
Финансы Работа
User Slolka : 4 января 2014
5 руб.
Тема № 8. Эпоха дворцовых переворотов. Императрица Елизавета.
Контрольная работа по дисциплине Отечественная история. Тема №8 Эпоха дворцовых переворотов. Императрица Елизавета. Что означают эти понятия? "Временщик" - человек достигший власти или высокого положения в государстве, благодаря близости к руководителю государства. "Конференция при высочайшем дворе" - высшее государственное учреждение России, образованное в 1756г. при императрице Елизавете Петровне. В основном занимались делами иностранной политики. "Ледяной дом" - построен в декабре 1739г.- я
СибГУТИ Отечественная история Работа Контрольная
User radioden666 : 31 июля 2014
40 руб.
Чертеж детали "Стакан D=125"
Разработка технологического процеса производства поковки для детали «Стакан d=125». Исходными данными для проекта есть чертеж готовой детали, по которому разрабатываются чертежи: поковки, горячей поковки. По которым спроектирован штамп для штамповки детали на КГШП.
Чертежи Детали машин КПИ
User pimanovi4 : 22 ноября 2009
up Наверх