Электротехника, электроника и схемотехника (3-й сем.) Экзамен. Билет 11
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1. Амплитудные корректоры. Назначение. Принцип построения схемы.
2. Определить переходную характеристику g(t).
R=1000 Oм,
C=1 мкФ
2. Определить переходную характеристику g(t).
R=1000 Oм,
C=1 мкФ
Дополнительная информация
Вид работы: Экзамен
Оценка:Отлично
Борисов А.В.
Оценка:Отлично
Борисов А.В.
Похожие материалы
Электротехника, электроника и схемотехника (4-й сем.) Экзамен
tpogih
: 28 января 2015
Вопрос 1. Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов.
Вопрос 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
Вопрос 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передат
100 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 1). Билет №11
freelancer
: 24 апреля 2016
Билет № 11
для зачета по дисциплине "Электротехника и электроника".
1. Амплитудные корректоры. Назначение. Принцип построения схемы.
2. Определить переходную характеристику g(t).
R=1000 Oм,
C=1 мкФ
50 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 1) Билет №11
sonya555941
: 10 декабря 2014
Билет № 11
для зачета по дисциплине "Электротехника и электроника".
1. Амплитудные корректоры. Назначение. Принцип построения схемы.
2. Определить переходную характеристику g(t).
R=1000 Oм,
C=1 мкФ
65 руб.
Экзамен по электротехнике, электронике и схемотехнике
Alex21589
: 15 апреля 2023
ЭКЗАМЕНАЦИОННАЯ РАБОТА
по дисциплине
«Электротехника, электроника и схемотехника»
Билет №15
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе
150 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен
sibguter
: 5 июня 2018
№1 Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.
№2 Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
№3 Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характ
29 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен
gnv1979
: 8 января 2017
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Аналоговые ключи на транзисторах.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной
характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните,
какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной
характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим э
30 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Билет №11
IT-STUDHELP
: 1 декабря 2021
1.Устройство сдвига уровней и эмиттерный повторитель.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной
характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните,
какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной
характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики тра
200 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (4-й сем.) Контрольная работа. Вариант №4
s1nd
: 10 февраля 2015
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
№ вар Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0,В
04 КП 303Д 10 -8
Задача 2.
Исполь
250 руб.
Другие работы
Стойка сборочный чертёж-Спецификация-Организация участка текущего ремонта легковых автомобилей-Технология машиностроения
leha.se92@mail.ru
: 7 мая 2020
Стойка сборочный чертёж-Спецификация-Организация участка текущего ремонта легковых автомобилей-Технология машиностроения-Детали машин-Деталировка-Сборочный чертеж-Чертежи-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Графическая часть-Оборудование-Машины и механизмы-Агрегаты-Установки-Комплексы-Узлы-Детали-Курсовая работа-Дипломная работа-Автомобили-Транспорт-Строительная техника-Электрооборудование-Грузоподъёмные механизмы-Железнодорожный транспорт
399 руб.
Расчет элементов автомобильных гидросистем МАМИ Задача 1.3 Вариант Б
Z24
: 17 декабря 2025
Определить давление р1 в жидкости под диафрагмой, если известна сила F, приложенная к штоку. Принять площадь диафрагмы S. Упругостью диафрагмы пренебречь. (Величины F и S взять из таблицы 1).
120 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Оптические средства сопряжения. Билет №5
alexkarol11
: 8 июня 2020
Тестовое задание (ОПК-6).
1. В одноканальной оптической системе передачи со стандартным интерфейсом SDH (G.957) L16.3 рассчитать максимальную и минимальную дистанции передачи на волне 1540нм при ширине спектральной линии излучателя 1нм, максимальном уровне мощности передатчика +3дБм и его минимальном значение -2дБм, чувствительности приемника -27дБм, пороге перегрузки -9дБм. Максимальная хроматическая дисперсия не должна превышать 450пс/нм. Оптическая линия на основе волокна стандарта G.652a со
500 руб.
Теория электрических цепей Лабораторные работы 1-3 вариант 8 СибГУТИ 2025 год
ilya22ru
: 22 января 2025
Лаб. No 1
Исследовать работу схемы реактивного двухполюсника, реализованного по 1-й форме Фостера (рисунок 1.1, а).
Задать E = 1 В, R0 = 10 кОм, L1 = L2 = 1 мГн, C1 = 63,536 нФ, С2 = 15,831 нФ, С = (100+Nx5) нФ, С = (100+N∙5) нФ =140 нФ, где N=8..........
Лаб No 2
Осуществить синтез ARC-фильтра нижних частот в соответствии с исходными данными своего варианта (по последней цифре пароля) (таблица 1.1)
8 3,0 33 20 53
Лаб No 3
Задание 1
В) Если у вас последняя цифра пароля четная (0,2,4,6,8), то
200 руб.