СибГути.Контрольная работа По дисциплине: Физические основы электроники.Вариант 04
-
Категории:
СибГУТИ, Физические основы электроники, Работа Контрольная
-
Добавлен:
11.09.2015
-
Размер:
1 MB
-
Покупок:
14
-
Добавил:
Сергей107
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
зачет КР физические основы электроники.docx
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача 1:
Дан биполярный транзистор КТ605А
Тип БТ Ек, В Rн, Ом Iбо, мкА Iбм, мкА f, МГц | H| tк, пc
КТ605А 12 240 500 250 20 2,25 240
По статическим характеристикам (рис.1.1 и рис.1.2) заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя Rвх. Найти полезную мощность в нагрузке Pп , мощность, рассеиваемую в коллекторе Pк, потребляемую мощность Рпотр и коэффициент полезного действия η.
Дан биполярный транзистор КТ605А
Тип БТ Ек, В Rн, Ом Iбо, мкА Iбм, мкА f, МГц | H| tк, пc
КТ605А 12 240 500 250 20 2,25 240
По статическим характеристикам (рис.1.1 и рис.1.2) заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя Rвх. Найти полезную мощность в нагрузке Pп , мощность, рассеиваемую в коллекторе Pк, потребляемую мощность Рпотр и коэффициент полезного действия η.
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант 04
SibGOODy
: 15 июля 2018
Задача 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления п
SibGOODy
: 15 июля 2018
600 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа. СибГУТИ. Вариант 04
Tanya1
: 22 марта 2018
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллекто
Tanya1
: 22 марта 2018
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине физические основы электроники
Иннокентий
: 30 сентября 2019
Описание:
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
№ вар. Тип БТ ЕК, В
RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t пc К,
6 КТ605А 15 300 625 375 20 2,5 230
Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или
Иннокентий
: 30 сентября 2019
100 руб.
Контрольная работа По дисциплине: «Физические основы электроники»
andreyan
: 13 декабря 2017
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
andreyan
: 13 декабря 2017
60 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники
sergeyw78
: 23 мая 2013
ЗАДАЧА №1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2),
включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
ЗАДАЧА №2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
sergeyw78
: 23 мая 2013
75 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники"
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 23 февраля 2013
Задача 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на частот
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 23 февраля 2013
300 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники"
RomIN
: 1 июля 2010
СибГути 04 вариант
Задача 1:
Дан биполярный транзистор КТ605А
По статическим характеристикам (рис.1.1 и рис.1.2) заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) ра
RomIN
: 1 июля 2010
100 руб.
Физические основы электроники. Вариант 04. Контрольная работа.
Aleksey23
: 18 августа 2020
Изучение дисциплины “Физические основы электроники” ставит следующие цели: получение знаний по физическим основам полупроводниковых материалов, изучении процессов, происходящих при контакте полупроводников различной проводимости, изучении процессов происходящих в различных электронных приборах, их характеристики и параметры, приобретение умений расчета их основных параметров по характеристикам.
Aleksey23
: 18 августа 2020
130 руб.
Другие работы
Підвищення ефективності використання оборотних засобів
evelin
: 2 ноября 2013
Зміст
Вступ
Розділ І. Наукові основи поняття оборотних засобів та джерел їх утворення
1.1. Економічний зміст оборотних засобів та їх класифікація
1.2. Джерела утворення оборотних засобів
Розділ ІІ. Природно – економічна характеристика господарства та організація його фінансової роботи
2.1. Природно – економічні умови господарювання та організаційна структура господарства
2.2. Ресурсний потенціал господарства та ефективність його використання
2.3.Склад і структура оборотних засобі
evelin
: 2 ноября 2013
5 руб.
Сети доступа. Зачёт. Билет № 9
Gila
: 4 ноября 2021
1. Услуги сетей доступа. Video/Flash. IPTV
2. Технологии IEEE 802. Ethernet
Gila
: 4 ноября 2021
280 руб.
Основы языкознания. Ответы на тест Синергия. 2022
Nogav
: 17 июня 2022
1. Активным началом деятельности В. Гумбольдт считал …
• систему языка
• форму речи
• форму слова
• форму языка
2. Американская дескриптивная лингвистика представляет из себя … направление лингвистики
• научное
• структурное
• антропоцентричное
• искусствоведческое
3. Аналитическому или формально-логическому мышлению, при котором наблюдается расщепление образности, цельности восприятия на составные части, усложняется грамматическая система, соответствуют … языки
• агглютинативные
• неразвитые
Nogav
: 17 июня 2022
260 руб.
Гидрогазодинамика ТИУ 2018 Задача 21 Вариант 0
Z24
: 11 декабря 2025
Объём части ледяной горы, возвышающейся над поверхностью моря, равен W (рис. 19).
Определить общий объём ледяной горы и глубину её погружённой части h, если в плане она имеет форму прямоугольника а×b. Плотность льда принять равной ρл = 920 кг/м³, плотность воды – ρв = 1030 кг/м³.
Z24
: 11 декабря 2025
150 руб.
