Работа зачетная по курсу «Устройства оптоэлектроники».

Цена:
110 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon Зачет.docx
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Типы электронных переходов.

Раздел Излучатели.
2.Конструкция и схема включения светоизлучающего диода.

Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотодиодов с гетероструктурой.

Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного аналогового регулятора.

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Зачет
Оценка:Зачет
Дата оценки: 23.10.2015
Рецензия: Вы правильно ответили на вопросы

Игнатов Александр Николаевич
Зачетная работа по курсу “Устройства оптоэлектроники”. 10 вариант.
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники». Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Внешний квантовый выход и потери излучения. Раздел Излучатели. 2.Устройство и принцип действия светоизлучающих диодов на основе гетеро-структур. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия фотоприёмных матриц. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия оптронов.
User reanimator00 : 14 февраля 2011
95 руб.
Устройства оптоэлектроники
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. 3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора
User alru : 22 сентября 2016
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Закон Снеллиуса. Раздел Излучатели. 2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа
User arkadij : 9 марта 2016
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Лавинный фотодиод Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр. тип ПП материала SI квантовая эфективность 0,7 Ширина запрещен-ной зоны W, эВ 1,12
User arkadij : 13 февраля 2016
500 руб.
Устройства оптоэлектроники
Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Закон Снеллиуса. Раздел Излучатели. 2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа.
User alyonka249 : 25 декабря 2015
70 руб.
Устройства оптоэлектроники
Контр. Раб.вариант No08.4 сем Задача No1 Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника(ФП). Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприёмника.(фототиристор) Задача No2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приёмника.Изобразить вид спектральной характеристики ФП и указать на ней λгр Тип ПП материала - Ge(германий) Квантовая эффективной ŋ = 0,2 Ширина запрещённой зоны ∆W = 0,6 ЭВ. Задача No3. Изобразить принципиальную
User женя68 : 6 декабря 2010
80 руб.
Устройства оптоэлектроники
СибГУТИ. Контрольная работа. Вариант 10. Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Задача № 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Задача №3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответств
User nat2744 : 13 ноября 2009
100 руб.
Анализ методики проведения аудиторской проверки кассовых операций
Введение 1.Предварительный обзор деятельности ООО «КАМАЗ-Энерго» 1.1 Характеристика деятельности предприятия 1.2 Оценка системы внутреннего контроля 1.3 Определение границ уровня существенности 1.4 Экспертиза учетной политики ООО «КАМАЗ-Энерго» 2.Аудит учета операций по кассе в организации 2.1 Цель и задачи проверки 2.2 Методика проверки учета операций по кассе 3.Заключение по итогам проверки Заключение Список использованной литературы Приложения Введение Аудиторская проверка – эт
User Elfa254 : 8 сентября 2013
5 руб.
Гидромеханика РГУ нефти и газа им. Губкина Гидродинамика Задача 25 Вариант 6
Решите задачу 24 при условии, что к отверстию присоединен внешний цилиндрический насадок. Задача 24 Жидкость плотностью ρ под избыточным давлением рм0 подается по трубе с площадью поперечного сечения s к баллону. На трубе перед баллоном установлен кран с коэффициентом сопротивления ξ. Из баллона жидкость вытекает в атмосферу через отверстие площадью s0 с расходом Q. Определить неизвестную величину.
User Z24 : 8 декабря 2025
150 руб.
Гидромеханика РГУ нефти и газа им. Губкина Гидродинамика Задача 25 Вариант 6
Контрольная работа по дисциплине: Теория Связи. Вариант №14.
ЗАДАЧА 1 Дано: Вольт-амперная характеристика (ВАХ) биполярного транзистора амплитудного модулятора аппроксимирована выражением: где iк - ток коллектора транзистора, S = 95 мА/В - крутизна характеристики, uб - напряжение на базе транзистора, uо = 0,75 В - напряжение отсечки, um = 0,45 В - амплитуда входного высокочастотного сигнала. Требуется: 1. Объяснить назначение модуляции несущей и описать различные виды модуляции. 2. Изобразить схему транзисторного амплитудного модулятора, пояснить
User teacher-sib : 30 августа 2023
800 руб.
promo
Загальна характеристика серії стандартів MRP – MRP II – ERP – CSRP
Зміст 1. Сутність корпоративних інформаційних систем, побудованих на основі концепції планування матеріальних ресурсів (MRP) і планування виробничих ресурсів (MRPII) 2. Корпоративні інформаційні системи, побудовані відповідно до концепції планування ресурсів підприємства (ERP) і концепції, орієнтованої на кінцевого споживача (CSRP) Список використаної літератури 1. Сутність корпоративних інформаційних систем, побудованих на основі концепції планування матеріальних ресурсів (MRP) і планування
User evelin : 6 октября 2013
10 руб.
up Наверх