Физические основы электроники. Лабораторные работы №1,2,3. Вариант №11.

Цена:
320 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 40213F1C-D41D-4622-A0CC-51029AAA0BFE.rar [ 2 MB ]
material.view.file_icon 3.doc [ 537 KB ]
material.view.file_icon 1.doc [ 239 KB ]
material.view.file_icon 2.doc [ 2 MB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

1.Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2.Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
3.Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).

Дополнительная информация

2015.Проверил: Савиных Валерий Леонидович. Зачтена без замечаний.

Похожие материалы

Физические основы электроники. Вариант №11
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). 1. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных характеристик с (ОБ) приведена на рисунке 1 а.
ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User konst1992 : 31 января 2018
100 руб.
Физические основы электроники Лабораторная работа №1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 3 . Схемы исследования На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении. При измерении обратного тока (рисунок 1.2) изменяется полярность подводимого напряжения. Для исследован
ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User sprut89 : 16 сентября 2019
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Отчет по работе №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" 1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
******* Не известно Работа Лабораторная Физические основы электроники
User ANNA : 18 февраля 2019
65 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Mercuryman : 8 июля 2017
75 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Физические основы электроники, Лабораторная работа №1
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User alru : 26 января 2017
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User merzavec : 8 декабря 2014
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Лабораторная работа №1. Физические основы электроники
Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User donkirik : 19 июня 2014
150 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1
Отчет по работе №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
СибГУТИ Электроника Работа Лабораторная
User parovozz : 23 декабря 2013
50 руб.

Другие работы

Зачет по дисциплине: Русский язык и культура речи
1. Введение. Процессы, протекающие в современном языке, которые влияют на возникновение «модных слов» 2. Анализ слова по понятиям Список литературы. ... Язык в конце XX- начала XXI века претерпел огромное количество изменений, обусловленных существенными преобразованиями в общественно- политической, государственно-правовой, культурной сферах жизни общества. Среди причин происходящих изменений можно отметить следующие: - изменение круга носителей языка - деидеологизация многих сфер человеческой
ДО СИБГУТИ Русский язык и культура речи (Риторика) Работа Зачетная
User Елена22 : 4 мая 2016
50 руб.
Технология строительного процесса подземной части здания
Содержание: 1. Область применения технологической карты……………………………….4 1.1 Исходные данные по варианту…………………………………………4 1.2. Основные технологические характеристики разрабатываемого грунта……………………………………………………5 2. Организация и технология строительного процесса……………………6 2.1. Подготовительные работы……………………………………………...6 2.2 Земляные работы…………………………………………………………8 2.2.1. Подсчет объемов работ………………………………………………..9 2.2.2. Выбор комплексного механизированного процесса……………….10 2.2.3. Каль
Строительство промышленное и гражданское Работа Курсовая
User DocentMark : 30 сентября 2011
45 руб.
Технология строительного процесса подземной части здания
Деякi вiхи становлення i проблеми української маркшейдерiї
Нині виповнюється 50 років з того часу, коли в Україні було видано серйозний довідник для маркшейдера в двох томах (Справочник маркшейдера, Металлургиздат) загальним обсягом 100,5 друкованих аркушів тиражем 10 тис. і 14 тис. відповідно кожний том. Ідея і ініціатива в підготовці, організації і виданні цих конче необхідних в ті післявоєнні роки книг належить видатному вченому-маркшейдеру Дмитру Миколайовичу Оглобліну (1905-1968 рр.), Заслуженому діячеві науки і техніки України, лауреатові Державно
Геология. Геодезия. Разраб. полезных ископ. Работа
User Slolka : 20 октября 2013
10 руб.
Основы построения телекоммуникационных систем и сетей. Экзаменационная работа. Билет 12.
Экзаменационная работа по дисциплине Основы построения телекоммуникационных систем и сетей. Билет 12. 1. Расчет параметров поэлементной синхронизации: Погрешность синхронизации, время синхронизации, время поддержания синхронизма, вероятность срыва синхронизма. 2. УПС. Назначение. Методы преобразования спектра с использованием несущей: АМ, ЧМ, ФМ, Связь ширины спектра канала и максимальной скорости модуляции. Структурные схемы, реализующие данные методы 3. Определить скорости модуляции и пере
ДО СИБГУТИ Основы построения телекоммуникационных систем и сетей Работа Экзаменационная
User Mental03 : 14 ноября 2017
up Наверх