Физические основы электроники. Лабораторные работы №1,2,3. Вариант №11.
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1.Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2.Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
3.Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
2.Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
3.Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
Дополнительная информация
2015.Проверил: Савиных Валерий Леонидович. Зачтена без замечаний.
Похожие материалы
Физические основы электроники. Вариант №11
konst1992
: 31 января 2018
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
1. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных характеристик с (ОБ) приведена на рисунке 1 а.
100 руб.
Физические основы электроники Лабораторная работа №1
sprut89
: 16 сентября 2019
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
3 . Схемы исследования
На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении.
При измерении обратного тока (рисунок 1.2) изменяется полярность подводимого напряжения.
Для исследован
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
ANNA
: 18 февраля 2019
Отчет по работе №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
65 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Mercuryman
: 8 июля 2017
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
75 руб.
Физические основы электроники, Лабораторная работа №1
alru
: 26 января 2017
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
merzavec
: 8 декабря 2014
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
50 руб.
Лабораторная работа №1. Физические основы электроники
donkirik
: 19 июня 2014
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
150 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1
parovozz
: 23 декабря 2013
Отчет по работе №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
50 руб.
Другие работы
Вариант №1. Мировая экономика.
studypro2
: 3 апреля 2017
Контрольная работа
Вариант №1
Задание № 1
Дать определение следующим понятиям:
1. Социально – ориентированная экономика.
2. Многоукладность экономики.
3. Открытая экономика.
4. Трансформация административно – командной системы в рыночную систему.
5. Портфельные инвестиции.
6. Интенсивный тип экономического роста.
7. Прирост ВВП.
8. Таможенный союз.
9. Специальные права заимствования
10. Вертикальная диверсификация.
Задание № 2
Какие нижеприведенные процессы и явления, происходящие в мировом хоз
150 руб.
Экзамен. Алгебра и геометрия. Билет №15, 2013г
DmitrTolmach
: 5 ноября 2014
Задача 1.
Коллинеарность и компланарность векторов. Угол между векторами.
Описание.
Коллинеарность векторов, условия коллинеарности векторов.
Вектора, параллельные одной прямой или лежащие на одной прямой называют коллинеарными.
Условия коллинеарности векторов
Два вектора коллинеарные, если отношения их координат равны.
Два вектора коллинеарные, если их векторное произведение равно нулю.
Задача 2.
Уравнения прямой в пространстве.
Пояснение.
Задача 3.
Вычислить , где .
Задача 4.
Привести у
150 руб.
Протоколы абонентской сигнализации DSS1.Дисциплина «Цифровые сети интегрального обслуживания»
naviS
: 19 июля 2013
Отчет по лабораторной работе в виде скринов.
1. Какой уровень обеспечивает синхронизацию?
2. Какое устройство подключается к U-интерфейсу?
3. По какому каналу передается пользовательская информация?
4. Какова длина кадра в S-интерфейсе?(бит)
5. Какова скорость передачи данных для канала D?
6. Какой бит отвечает за устранение конфликтных ситуаций?
7. Какой код используется при базовом доступе U-интерфейса?
8. С какой скоростью передается информация по U-интерфейсу?
и т.д.
Результат 88%
70 руб.
Расчет разветвленной цепи синусоидального тока
fedovlaa
: 15 октября 2012
" вар 14 ТУСУР
Задание на курсовую работу.
Расчет разветвленной цепи синусоидального тока.
1. Cчитая, что индуктивная связь между катушками отсутствует:
1.1 составить систему уравнений в символической форме по методу контурных токов;
1.2 преобразовать схему до двух контуров;
1.3 в преобразованной схеме рассчитать токи по методу узловых потенциалов;
1.4 рассчитать ток в третьей ветви схемы (в ветви, обозначения компонентов которой имеют индекс 3) методом эквивалентного генератора и записать его