Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант 06. СибГути. Заочно ускоренное обучение

Цена:
50 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon ФОЭ 06.doc

Необходимые программы

Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты уси-ления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность, рассеива-емую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия η.

Исходные данные:
транзистор КТ605А
напряжение питания Eк=15
сопротивление нагрузки Rн=300
постоянный ток смещения в цепи базы Iбо=625
амплитуда переменной составляющей тока базы Iбм=375


Задача 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.


Задача 3
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры тран-зистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты Н21/h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.


Задача 4
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По вы-ходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить пе-редаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависи-мость от напряжения на затворе.

Исходные данные:
Полевой транзистор типа КП 903 А
UСИ0 = 18 В
UЗИ0 = 8 В

Дополнительная информация

Работа была сдана на оценку отлично.Так же если вам нужны подобные работы по другим дисциплинам, вы можете их посмотреть нажав на "Посмотреть другие работы этого продавца" в верхней части страницы.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант №9. СибГути. Заочно ускоренное обучение".
Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектор
User Twinki : 15 сентября 2016
200 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант №2. СибГути. Заочно ускоренное обучение
No 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора; в
User Twinki : 15 сентября 2016
200 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Контрольная работа. Вариант №14. СибГути. Заочно ускоренное обучение
Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора
User TheMrAlexey : 21 мая 2016
50 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Контрольная работа. Вариант №4. СибГути. Заочно ускоренное обучение
Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора
User TheMrAlexey : 21 мая 2016
50 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант №12. СибГути. Заочно ускоренное обучение
Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектор
User TheMrAlexey : 20 декабря 2015
50 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант №16. СибГути. Заочно ускоренное обучение
Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектор
User TheMrAlexey : 20 декабря 2015
50 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант 09. СибГути. Заочно ускоренное обучение
Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектор
User TheMrAlexey : 20 декабря 2015
50 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант №17. СибГути. Заочно ускоренное обучение
Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектор
User TheMrAlexey : 20 декабря 2015
50 руб.
Правовое регулирование и способы расчетов в предпринимательской деятельности
В области осуществления расчетов при предпринимательской деятельности важнейшую роль играют банки. Деятельность банка складывается из выполняемых им операций и предоставляемых услуг, которые имеют определенные свойства. Их несколько. Во-первых, будучи денежно-кредитным институтом, банк выполняет операции и оказывает услуги преимущественно в денежной форме. Во-вторых, эти операции и услуги носят коммерческий характер. Чаще всего за выполнение своей работы банк получает определенное вознаграждение
User alfFRED : 29 августа 2013
15 руб.
Поглощение как механизм стратегического развития компании
Содержание Введение 1. Поглощение как механизм стратегического развития компании 1.1 Понятие стратегии поглощение, ее сущность 1.2 Сравнительная характеристика преимуществ и недостатков стратегии поглощения 1.3 Процесс принятия решения о поглощении 2. Анализ российского рынка поглощений: этапы, особенности, перспективы 2.1 Основные этапы развития рынка поглощений в России 2.2 Современное состояние рынка поглощений, перспективы развития 3. Реализация стратегии поглощения на примере торго
User evelin : 2 ноября 2013
5 руб.
Основы программирования на С ++. Ответы Синергия. Тест 2022
1. В С++ все файлы … последовательность байтов • могут рассматриваться или как структурированная, или как неструктурированная • рассматриваются как неструктурированная • рассматриваются как структурированная 2. В С++ класс памяти определяет … переменной • время жизни и область видимости • только время жизни • только область видимости 3. В С++ компилятор может работать с переменными разных типов, т.е. если присвоить целочисленной переменной значение вещественной переменной, то будет присвоена т
User Nogav : 11 августа 2022
260 руб.
Управление процентным риском портфеля ГКО-ОФЗ в посткризисный период
Содержание. Введение........................................................................................................................................3 Глава 1. Процентные риски в управлении портфелем государственных облигаций.........9 §1.1. Влияние колебаний процентных ставок на рыночную стоимость портфеля об- лигаций......................................................................................................................9 §1.2. Классическая тео
User OstVER : 21 декабря 2012
5 руб.
up Наверх