Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант 06. СибГути. Заочно ускоренное обучение

Цена:
50 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon ФОЭ 06.doc
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты уси-ления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность, рассеива-емую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия η.

Исходные данные:
транзистор КТ605А
напряжение питания Eк=15
сопротивление нагрузки Rн=300
постоянный ток смещения в цепи базы Iбо=625
амплитуда переменной составляющей тока базы Iбм=375


Задача 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.


Задача 3
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры тран-зистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты Н21/h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.


Задача 4
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По вы-ходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить пе-редаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависи-мость от напряжения на затворе.

Исходные данные:
Полевой транзистор типа КП 903 А
UСИ0 = 18 В
UЗИ0 = 8 В

Дополнительная информация

Работа была сдана на оценку отлично.Так же если вам нужны подобные работы по другим дисциплинам, вы можете их посмотреть нажав на "Посмотреть другие работы этого продавца" в верхней части страницы.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант №9. СибГути. Заочно ускоренное обучение".
Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектор
User Twinki : 15 сентября 2016
200 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант №2. СибГути. Заочно ускоренное обучение
No 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора; в
User Twinki : 15 сентября 2016
200 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Контрольная работа. Вариант №14. СибГути. Заочно ускоренное обучение
Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора
User TheMrAlexey : 21 мая 2016
50 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Контрольная работа. Вариант №4. СибГути. Заочно ускоренное обучение
Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора
User TheMrAlexey : 21 мая 2016
50 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант 09. СибГути. Заочно ускоренное обучение
Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектор
User TheMrAlexey : 20 декабря 2015
50 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант №19. СибГути. Заочно ускоренное обучение
Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектор
User TheMrAlexey : 20 декабря 2015
50 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант №16. СибГути. Заочно ускоренное обучение
Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектор
User TheMrAlexey : 20 декабря 2015
50 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант №12. СибГути. Заочно ускоренное обучение
Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектор
User TheMrAlexey : 20 декабря 2015
50 руб.
Наивыгоднейший расчет режимов резания для станка 1А62
Деталь – вал; 1. Вид обработки Наружное продольное точение 2. Метод закрепления детали в станке в центрах 3. Материал детали сталь 37ХН3А ул; в = 130 кгс/мм2 4. Длина детали в мм 430 5. Длина обработки в мм 380 6. Диаметр детали до обработки в мм 66 7. Диаметр готовой детали в мм 57 8. Чистота обработанной поверхности Rа = 2,5 9. Станок модели 1А62
User Aronitue9 : 17 сентября 2012
20 руб.
СибГУТИ. Менеджмент в телекоммуникациях. Курсовая работа. Вариант 2 (12)
Оглавление Задание на курсовую работу "Технико-экономический проект развития ГТС" (12 вариант) 3 I. Сравнительный анализ АТС с различным типом коммутационного оборудования. 5 II. Оценка конкурентоспособности АТС с различным типом коммутационного оборудования и различных фирм - изготовителей. 8 III. Применяемые способы построения ГТС. 11 IV. Технико-экономический расчет по проекту наиболее конкурентоспособной АТС. 14 4.1. Определение объема линейных сооружений проектируемой АТС. 14 4.2. Определе
User Alexis87 : 27 июня 2014
250 руб.
СибГУТИ. Менеджмент в телекоммуникациях. Курсовая работа. Вариант 2 (12)
Физические основы классической механики; Задача № 125
Условие задачи: Определить КПД η неупругого удара бойка массой m1=0,5 т, падающего на сваю массой m2=120 кг. Полезной считать энергию, затраченную на вбивание сваи.
User ДО Сибгути : 31 января 2014
50 руб.
Лабораторная работа №1.Физика.1семестр.Изучение характеристик электростатического поля.
1. Цель работы Исследовать электростатическое поле, графически изобразить сечение эквипотенциальных поверхностей и силовые линии для некоторых конфигураций поля. 2. Основные теоретические сведения Любое заряженное тело создает в пространстве вокруг себя электромагнитное поле и взаимодействует с внешним электромагнитным полем. Поле, создаваемое неподвижными зарядами, называется электростатическим. Знание характеристик электрического поля требуется при работе с линиями связи, антеннами, резон
User 58197 : 9 февраля 2012
15 руб.
up Наверх