Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант 06. СибГути. Заочно ускоренное обучение
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты уси-ления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность, рассеива-емую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия η.
Исходные данные:
транзистор КТ605А
напряжение питания Eк=15
сопротивление нагрузки Rн=300
постоянный ток смещения в цепи базы Iбо=625
амплитуда переменной составляющей тока базы Iбм=375
Задача 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры тран-зистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты Н21/h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Задача 4
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По вы-ходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить пе-редаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависи-мость от напряжения на затворе.
Исходные данные:
Полевой транзистор типа КП 903 А
UСИ0 = 18 В
UЗИ0 = 8 В
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты уси-ления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность, рассеива-емую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия η.
Исходные данные:
транзистор КТ605А
напряжение питания Eк=15
сопротивление нагрузки Rн=300
постоянный ток смещения в цепи базы Iбо=625
амплитуда переменной составляющей тока базы Iбм=375
Задача 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры тран-зистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты Н21/h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Задача 4
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По вы-ходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить пе-редаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависи-мость от напряжения на затворе.
Исходные данные:
Полевой транзистор типа КП 903 А
UСИ0 = 18 В
UЗИ0 = 8 В
Дополнительная информация
Работа была сдана на оценку отлично.Так же если вам нужны подобные работы по другим дисциплинам, вы можете их посмотреть нажав на "Посмотреть другие работы этого продавца" в верхней части страницы.
Похожие материалы
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант №9. СибГути. Заочно ускоренное обучение".
Twinki
: 15 сентября 2016
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектор
200 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант №2. СибГути. Заочно ускоренное обучение
Twinki
: 15 сентября 2016
No 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в
200 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Контрольная работа. Вариант №14. СибГути. Заочно ускоренное обучение
TheMrAlexey
: 21 мая 2016
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора
50 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Контрольная работа. Вариант №4. СибГути. Заочно ускоренное обучение
TheMrAlexey
: 21 мая 2016
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора
50 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант 09. СибГути. Заочно ускоренное обучение
TheMrAlexey
: 20 декабря 2015
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектор
50 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант №19. СибГути. Заочно ускоренное обучение
TheMrAlexey
: 20 декабря 2015
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектор
50 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант №16. СибГути. Заочно ускоренное обучение
TheMrAlexey
: 20 декабря 2015
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектор
50 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант №12. СибГути. Заочно ускоренное обучение
TheMrAlexey
: 20 декабря 2015
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектор
50 руб.
Другие работы
Наивыгоднейший расчет режимов резания для станка 1А62
Aronitue9
: 17 сентября 2012
Деталь – вал;
1. Вид обработки Наружное продольное точение
2. Метод закрепления детали в станке в центрах
3. Материал детали сталь 37ХН3А ул; в = 130 кгс/мм2
4. Длина детали в мм 430
5. Длина обработки в мм 380
6. Диаметр детали до обработки в мм 66
7. Диаметр готовой детали в мм 57
8. Чистота обработанной поверхности Rа = 2,5
9. Станок модели 1А62
20 руб.
СибГУТИ. Менеджмент в телекоммуникациях. Курсовая работа. Вариант 2 (12)
Alexis87
: 27 июня 2014
Оглавление
Задание на курсовую работу "Технико-экономический проект развития ГТС" (12 вариант) 3
I. Сравнительный анализ АТС с различным типом коммутационного оборудования. 5
II. Оценка конкурентоспособности АТС с различным типом коммутационного оборудования и различных фирм - изготовителей. 8
III. Применяемые способы построения ГТС. 11
IV. Технико-экономический расчет по проекту наиболее конкурентоспособной АТС. 14
4.1. Определение объема линейных сооружений проектируемой АТС. 14
4.2. Определе
250 руб.
Физические основы классической механики; Задача № 125
ДО Сибгути
: 31 января 2014
Условие задачи:
Определить КПД η неупругого удара бойка массой m1=0,5 т, падающего на сваю массой m2=120 кг. Полезной считать энергию, затраченную на вбивание сваи.
50 руб.
Лабораторная работа №1.Физика.1семестр.Изучение характеристик электростатического поля.
58197
: 9 февраля 2012
1. Цель работы
Исследовать электростатическое поле, графически изобразить сечение эквипотенциальных поверхностей и силовые линии для некоторых конфигураций поля.
2. Основные теоретические сведения
Любое заряженное тело создает в пространстве вокруг себя электромагнитное поле и взаимодействует с внешним электромагнитным полем. Поле, создаваемое неподвижными зарядами, называется электростатическим. Знание характеристик электрического поля требуется при работе с линиями связи, антеннами, резон
15 руб.