Контрольная работа по электронике: "Исследование свойств удельного сопротивления и удельной электропроводности".

Дано: Ge, акцепторная примесь Na=8*1016 см-3. Экспотенциальный профиль распределения легирующей примеси, максимум слева.

Задание:
1) Построить графики зависимости удельной электропроводимости от температуры (в 0К)
для собственного и примесного полупроводников.
2) Построить графики зависимости Ln;i = f 3(1000/T) и Ln = f4 (1000/T) для собственного и примесного полупроводников. T – в 0K.
3) Найти удельное сопротивление, соответствующее данному полупроводнику, при температуре 3000 К. На сколько нужно изменить концентрацию примеси, чтобы изменить удельное сопротивление в 100 раз?
4) Вычислить время, за которое носители заряда пересекают брусок.
5)Вычислить отношение плотностей токов для электронов и дырок.
6) Определить направление напряженности электрического поля, направление движения электронов и дырок, а также направление электронной и дырочной компонент тока; сделать поясняющий чертеж.
7) Построить зонную диаграмму полупроводника при электрическом смещении.
8) Вычислить сопротивление бруска R и найти величину текущего в нем тока.
9) Построить граффик распределения концентрации основных носителей заряда вдоль оси х.
10) Вычислить в точках х1, х2, х3, градиенты концентраций основных носителей, величину плотности диффузионного тока, а также величину встроенного поля Ei; вкладом неосновных носителей можно пренебречь.
11) Определить направления компонент диффузионного и дрейфового токов и найти полный ток в точках х1, х2, х3..