Физические основы электроники. Лабораторные работы №1, №2, №3. Без варианта.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon Лабораторная работа №3.docx
material.view.file_icon Лабораторная работа №1.docx
material.view.file_icon Лабораторная работа №2.docx
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Лабораторная работа №1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов

Лабораторная работа №2. Исследование статических характеристик биполярного транзистора

Лабораторная работа №3. ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Дополнительная информация

Зачет. 2015 год. Савиных Валерий Леонидович
Физические основы электроники Лабораторная работа №1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 3 . Схемы исследования На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении. При измерении обратного тока (рисунок 1.2) изменяется полярность подводимого напряжения. Для исследован
User sprut89 : 16 сентября 2019
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Отчет по работе №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" 1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
User ANNA : 18 февраля 2019
65 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
User Mercuryman : 8 июля 2017
75 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Физические основы электроники, Лабораторная работа №1
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
User alru : 26 января 2017
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
User merzavec : 8 декабря 2014
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Лабораторная работа №1. Физические основы электроники
Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
User donkirik : 19 июня 2014
150 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1
Отчет по работе №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
User parovozz : 23 декабря 2013
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1.
Лабораторная работа № 1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
User maromash : 30 марта 2013
350 руб.
Разработка и эксплуатация автоматизированных информационных систем
СОДЕРЖАНИЕ ВВЕДЕНИЕ 1 АЛГОРИТМ СОЗДАНИЯ ЧЕРТЕЖЕЙ 1.1 Операции с файлами 1.2 Строка состояния 1.3 Командная строка 1.4 Инструменты редактирования 1.5 Панели инструментов 1.6 Палитра свойств объектов 1.7 Панель свойств объектов 1.8 Контекстное меню 1.9 Ввод координат 1.10 Получение твердой копии рисунка ЗАКЛЮЧЕНИЕ СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ И ИНТЕРНЕТ РЕСУРСОВ ПРИЛОЖЕНИЕ 1 ПРИЛОЖЕНИЕ 2 ВВЕДЕНИЕ Цель данного курсового проекта заключается в применении системы автоматизированног
User alfFRED : 7 октября 2013
10 руб.
Роль банковской системы в экономике России
СОДЕРЖАНИЕ Введение БАНКОВСКАЯ СИСТЕМА РОССИИ Что такое банк? История возникновения банков Развитие банков Формирование современной банковской системы России ФУНКЦИИ И РОЛЬ БАНКОВ В ЭКОНОМИКЕ РОССИИ Центральный банк Коммерческие банки Деятельность ЦБ в период кризиса Заключение Список используемой литературы
User GnobYTEL : 23 января 2012
20 руб.
Гидравлика и гидропневмопривод Ч.2 ПГУПС 2025 Задача 3 Вариант 38
ТИПОВАЯ ЗАДАЧА №3.1 «Расчет гидроцилиндра» Рабочая жидкость плотностью равной ρ = 900 кг/м³ поступает в левую полость гидроцилиндра через дроссель с коэффициентом расхода μ = 0,62 и проходным отверстием диаметром dдр. под избыточным давлением ри; давление на сливе составляет рс (рис. 3). Поршень гидроцилиндра диаметром D под действием разности давлений в левой и правой полостях гидроцилиндра движется слева направо с некоторой скоростью V. Требуется определить значение силы F, преодолева
User Z24 : 9 января 2026
200 руб.
Гидравлика и гидропневмопривод Ч.2 ПГУПС 2025 Задача 3 Вариант 38
Расчет аналоговых и дискретных устройств связи. Вариант №73
Спроектировать дискретный фильтр, выделяющий гармоническое колебание заданной частоты из сигнала на выходе нелинейного преобразователя и удовлетворяющий условиям, указанным в таблице 1. Схема (б) КТ312В fг = 17,9 кГц Rк = 0,51 кОм Uпит. авт. = 19 В Схема 3.2б КП303Е Uо = -3,4 В Um = 3,2 В n=2 ΔА = 2 дБ Amin. = 25 дБ m=2
User b1nom : 23 января 2018
990 руб.
Расчет аналоговых и дискретных устройств связи. Вариант №73
up Наверх